US6J2TR

物料型号：US6J2 器件简介：该器件是ROHM公司生产的TUMT6系列的P沟道MOSFET，适用于开关应用。 引脚分配：文档中提供了内电路图，显示了Tr1的源极、栅极和Tr2的漏极、源极、栅极的引脚分配。 参数特性：文档列出了在Ta=25°C时的电气特性，包括栅源漏电流、漏源击穿电压、零栅压漏电流、栅阈值电压、静态漏源导通电阻、正向转移导纳、输入电容、输出电容、反向转移电容、导通延迟时间、上升时间、关闭延迟时间、下降时间、总栅极电荷、栅源电荷、栅漏电荷等。 功能详解：文档提供了测量电路和开关波形图，帮助理解器件的工作原理和性能。 应用信息：该器件适用于开关应用。 封装信息：文档中未提供封装信息，但通常这类器件会有多种封装选项。