SANKEN ELECTRIC CO., LTD.
製
品
仕
様
書
品名：SCM1246MF
LF No. 2552
RoHS 指令対応
RoHS Directive Compliance
承認
審査
作成
Masahiro Sasaki
Seiichi Funakura
Hiroshi Yokokawa
サンケン電気株式会社 技術本部 MCD 事業部
発行年月日
2013／7／4
仕様書番号
SSJ-04105
61426-01
SCM1246MF
SANKEN ELECTRIC CO., LTD.
１ 適用範囲
Scope
この規格は、高圧三相モータドライバＩＣ ＳＣＭ１２４６ＭFについて適用する。
The present specifications shall apply to SCM1246MF.
２ 概要
Outline
種別
Type
構造
Structure
主用途
Applications
半導体集積回路（ハイブリッドＩＣ）
Semiconductor IC (Hybrid IC)
樹脂封止型（トランスファーモールド）
Plastic package (Transfer mold)
高圧三相モータドライブ
High voltage 3-phase motor drive
３ 絶対最大定格（Ｔａ＝２５℃）
Absolute maximum ratings (Ta=25°C)
項目
Parameter
電源電圧
Supply Voltage
電源電圧（サージ）
Supply Voltage (Surge)
IGBT 出力耐圧
IGBT breakdown voltage
制御電源電圧
Logic supply voltage
ブートストラップ制御電源電圧
Boot-strap voltage
出力電流（連続）
Output current (continued)
出力電流（パルス）
Output current (pulsed)
入力電圧
Input voltage
FO 端子電圧
FO terminal voltage
OCP 端子電圧
OCP terminal voltage
熱抵抗（接合・ケース間）
Thermal resistance (junction to case)
動作ケース温度
Case operation temperature
接合温度（パワー部）
Junction temperature (IGBT)
保存温度
Storage temperature
絶縁耐圧
Isolation voltage
130704
記号
Symbol
規格
Rating
単位
Units
VDC
450
V
VDC(Surge)
500
V
VCES
600
V
VCC
20
V
VBS
20
V
IO
30
A
TC=25°C
IOP
45
A
PW≤1ms
VIN
−0.5 to +7
V
VFO
−0.5 to +7
V
VOCP
−10 to +5
V
R(j-c)Q
3.0
R(j-c)F
4.0
TC(OP)
−20 to +100
°C
Tj
150
°C
Tstg
−40 to +150
°C
Viso
2500
Vrms
°C / W
条件
Conditions
VBB-LS1,2,3 間
Between VBB and LS1,2,3
VBB-LS1,2,3 間
Between VBB and LS1,2,3
VCC=15V, IC=1mA
VIN=0V
VCC-COM 間
Between VCC and COM
VB-HS(U,V,W)間
Between VB and HS (U,V,W)
HIN, LIN-COM 間
Between HIN, LIN and COM
FO-COM 間
Between FO and COM
OCP-COM 間
Between OCP and COM
IGBT １素子当り
1 element operation (IGBT)
FWD １素子当り
1 element operation (FWD)
裏面フィン-リード端子間 AC １分間
FIN to each pin, 1 minute, AC
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４ 電気的特性
Electrical characteristics
４－１ 電気的特性（Ｔａ＝２５℃）
Electrical characteristics (Ta=25°C)
項目
Parameter
制御電源電流
Logic supply current
ブート電源電流
Bootstrap supply current
入力電圧
Input voltage
入力電圧ヒステリシス幅
Input voltage hysteresis
入力電流
Input current
ブートストラップ電源低下保護電圧
Under voltage lock out (Bootstrap)
制御電源低下保護電圧
Under voltage lock out (Logic supply)
FO 端子出力電圧
FO terminal output voltage
過電流保護トリップ電圧
Over current protection trip voltage
過電流保護保持時間
Over current protection hold time
ブランキングタイム
Blanking time
過熱保護及び解除しきい値
Over temperature protection
activating and releasing temperature
IGBT 出力耐圧
IGBT breakdown voltage
IGBT 出力漏れ電流
IGBT leakage current
IGBT 出力飽和電圧
IGBT saturation voltage
FWD 順電圧降下
FWD forward voltage
ブートダイオードリーク電流
Bootstrap diode leakage current
ブートダイオード順電圧
Bootstrap diode forward voltage
ブートダイオード直列抵抗
Diode series resistor (Boot Strap)
ハイサイドスイッチング時間
High side switching time
ローサイドスイッチング時間
Low side switching time
130704
規格値 Value
Typ.
Max.
記号
Symbol
Min.
ICC
－
3
－
mA
IBS
－
140
－
µA
VIH
VIL
－
1.0
2.0
1.5
2.5
－
V
VH
－
0.5
－
V
VCC=15V
IIH
－
230
500
µA
VCC=15V, VIN=5V
VUVHL
VUVHH
VUVLL
VUVLH
VFOL
VFOH
10.0
10.5
10.0
10.5
－
4.8
11.0
11.5
11.0
11.5
－
－
12.0
12.5
12.0
12.5
0.5
－
VTRIP
0.46
0.50
0.54
V
VCC=15V
tP
20
26
－
µs
VCC=15V
tbk
－
1.65
－
µs
VCC=15V
TDH
135
150
165
TDL
105
120
135
°C
VCC=15V
VCES
600
－
－
V
ICES
－
－
1
mA
VCE(sat)
－
1.7
2.2
V
VF
－
1.9
2.4
V
IIB
－
－
10
µA
VR=600V
VFB
－
1.1
1.3
V
IF=0.15A
RB
17.6
22.0
26.4
Ω
td(on)
tr
trr
td(off)
tf
td(on)
tr
trr
td(off)
tf
－
－
－
－
－
－
－
－
－
－
660
110
60
700
50
660
150
70
690
50
－
－
－
－
－
－
－
－
－
－
単位
Units
V
V
V
条件
Conditions
VCC=15V, 3 回路合計
3 circuits total
VB-HS=15V
1 circuit, HIN=5V
VCC=15V, Output: ON
VCC=15V, Output: OFF
VB-HS 間
Between VB and HS
VCC-COM 間
Between VCC and COM
VCC=15V, VFO=5V
RFO=10kΩ
VCC=15V, IC=1mA
VIN=0V
VCC=15V, VCE=600V
VIN=0V
VCC=15V,IC=30A
VIN=5V
VCC=15V, IF=30A
VIN=0V
ns
VDC=300V, VCC=15V
IC=30A, VIN=0↔5V
Inductive load
ns
VDC=300V, VCC=15V
IC=30A, VIN=0↔5V
Inductive load
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スイッチング時間の定義
Switching Time Definition
４－２ 推奨動作条件
Recommended operating conditions
項目
Parameter
主電源電圧
Main supply voltage
制御電源電圧
Logic supply voltage
最小入力パルス幅
Minimum input pulse width
入力信号デッドタイム
Dead time
FO プルアップ抵抗
FO pull-up resister
FO プルアップ電圧
FO pull-up voltage
FO ノイズ除去コンデンサ
FO noise removes capacitor
ブートコンデンサ
Bootstrap Capacitor
シャント抵抗
Shunt resister
RC フィルタ抵抗
RC filter resistor
RC フィルタコンデンサ
RC filter capacitor
PWM キャリア周波数
PWM carrier frequency
記号
Symbol
Min.
推奨値 Value
Typ.
Max.
単位
Units
VDC
－
300
400
V
VCC, VBS
13.5
－
16.5
V
tINmin(on)
tINmin(off)
0.5
0.5
－
－
－
－
µs
tdead
1.0
－
－
µs
RFO
1
－
22
kΩ
VFO
3.0
－
5.5
V
CFO
0.001
－
0.01
µF
CBOOT
10
－
220
µF
RS
12
－
－
mΩ
RO
－
－
100
Ω
CO
－
－
2200
pF
fc
－
－
20
kHz
条件
Conditions
VBB-LS 間
Between VBB and LS
ON pulse
OFF pulse
for IP≤45A
４－３ ブロックダイアグラム（１／３回路）
Block diagram (1/3 circuit)
VB
VBB
HS
RB
BootDi
UV
Detect
VCC
HIN
Input Logic
LIN
COM
UV
Detect
Level
Shift
U,V,W
Drive
Circuit
STP
FO
OCP
FRD
Drive
Circuit
O.C.
Protect
Thermal
Protect
FRD
LS
MIC
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４－４ 真理値表
Truth table
モード
Mode
正常 *1
Normal
過熱保護
TSD
過電流保護
OCP
VCC 減電圧 *2
UVLO ( VCC )
VB 減電圧 *3
UVLO ( VB )
シャットダウン
FO ( =L )
HIN
LIN
L
H
L
H
L
H
L
H
L
H
L
H
L
H
L
H
L
H
L
H
L
H
L
H
L
L
H
H
L
L
H
H
L
L
H
H
L
L
H
H
L
L
H
H
L
L
H
H
H-side
IGBT
OFF
ON
OFF
OFF
OFF
OFF
OFF
OFF
OFF
OFF
OFF
OFF
OFF
OFF
OFF
OFF
OFF
OFF
OFF
OFF
OFF
OFF
OFF
OFF
L-side
IGBT
OFF
OFF
ON
OFF
OFF
OFF
OFF
OFF
OFF
OFF
OFF
OFF
OFF
OFF
OFF
OFF
OFF
OFF
ON
OFF
OFF
OFF
OFF
OFF
*1： 同相にて HIN=LIN=H を入力した場合は、上下同時オン防止機能が働き
IGBT は H-side, L-side 共に OFF となります。
In the case where a pair of HIN and LIN signals are asserted at the same time, the shoot-through
prevention feature sets both the high-side and the low-side IGBTs off.
*2： VCC 減電圧からの復帰後については、H-side の IGBT は次の立ち上がり
エッジから入力論理に応じて ON/OFF を行います（エッジ動作）。一方、
L-side の IGBT は入力論理に応じて ON/OFF を行います（レベル動作）。
After the VCC power rail recovers from a UVLO condition, a rising edge of HIN starts driving the
high-side IGBT (edge trigger). On the other hand, after the UVLO condition is released, the input level
of the LIN pins reflects the state of the low-side IGBTs (level trigger).
*3：
VB 減電圧からの復帰後は、次の立ち上がりエッジから H-side の IGBT の
ON/OFF を行います（エッジ動作）。
After the VB power rail recovers from a UVLO condition, a rising edge of HIN starts driving the
high-side IGBT (edge trigger).
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５ 機械的特性
Mechanical characteristics
項目
Parameter
締付けトルク
Mounting torque
放熱面平坦度
Heat sink flatness
質量
Weight
Min.
規格値 Value
Typ.
Max.
単位
Units
58.8
－
78.4
N·cm
0
－
200
µm
－
11.8
－
g
条件
Conditions
M3 screw
※ 放熱面平坦度測定位置
Measurement point of heat sink flatness
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６ 端子配列
Pin Arrangement
Marked Side
端子番号
Pin Number
端子番号
Pin No.
端子名
Pin name
I/O
1
FO1
IN/OUT
U 相ｴﾗｰ出力/ｼｬｯﾄﾀﾞｳﾝ入力端子
U Phase Fault Output/Shutdown Input terminal
2
OCP1
IN
U 相過電流保護入力端子
Input for Overcurrent Protection
(U Phase)
3
LIN1
IN
U 相 L-side 制御入力信号端子
Signal Input for L-side U Phase
( Active H )
4
COM1
－
U 相 制御電源(GND)端子
Supply Ground for U Phase IC
5
HIN1
IN
U 相 H-side 制御入力信号端子
Signal Input for H-side U Phase
6
VCC1
－
U 相 制御電源(+)端子
Supply Voltage for U Phase IC
7
VB1
－
U 相 H-side 駆動電源(+)端子
H-side Floating Supply Voltage for U Phase
8
HS1
－
U 相 H-side 駆動電源(−)端子
H-side Floating Supply Ground for U Phase
9
FO2
IN/OUT
V 相ｴﾗｰ出力/ｼｬｯﾄﾀﾞｳﾝ入力端子
V Phase Fault Output/Shutdown Input terminal
10
OCP2
IN
V 相過電流保護入力端子
Input for Overcurrent Protection
(V Phase)
11
LIN2
IN
V 相 L-side 制御入力信号端子
Signal Input for L-side V Phase
( Active H )
12
COM2
－
V 相 制御電源(GND)端子
Supply Ground for V Phase IC
13
HIN2
IN
V 相 H-side 制御入力信号端子
Signal Input for H-side V Phase
14
VCC2
－
V 相 制御電源(+)端子
Supply Voltage for V Phase IC
15
VB2
－
V 相 H-side 駆動電源(+)端子
H-side Floating Supply Voltage for V Phase
16
HS2
－
V 相 H-side 駆動電源(−)端子
H-side Floating Supply Ground for V Phase
17
FO3
IN/OUT
W 相ｴﾗｰ出力/ｼｬｯﾄﾀﾞｳﾝ入力端子
W Phase Fault Output/Shutdown Input terminal
18
OCP3
IN
W 相過電流保護入力端子
Input for Overcurrent Protection
(W Phase)
19
LIN3
IN
W 相 L-side 制御入力信号端子
Signal Input for L-side W Phase
( Active H )
20
COM3
－
W 相 制御電源(GND)端子
Supply Ground for W Phase IC
21
HIN3
IN
W 相 H-side 制御入力信号端子
Signal Input for H-side W Phase
22
VCC3
－
W 相 制御電源(+)端子
Supply Voltage for W Phase IC
23
VB3
－
W 相 H-side 駆動電源(+)端子
H-side Floating Supply Voltage for W Phase
24
HS3
－
W 相 H-side 駆動電源(−)端子
H-side Floating Supply Ground for W Phase
25
VBB
－
ｲﾝﾊﾞｰﾀ電源(+)端子
Positive DC Bus Supply Voltage
26
W
－
W 相 出力端子
Output for W Phase
27
LS3
－
W 相ｲﾝﾊﾞｰﾀ電源(−)端子
Negative DC Bus Supply Ground for W Phase
28
VBB ＊
－
ｲﾝﾊﾞｰﾀ電源(+)端子
Cut-pin (Positive DC Bus Supply Voltage)
29
V
－
V 相 出力端子
Output for V Phase
30
LS2
－
V 相ｲﾝﾊﾞｰﾀ電源(−)端子
Negative DC Bus Supply Ground for V Phase
31
VBB ＊
－
ｲﾝﾊﾞｰﾀ電源(+)端子
Cut-pin (Positive DC Bus Supply Voltage)
32
U
－
U 相 出力端子
Output for U Phase
33
LS1
U 相ｲﾝﾊﾞｰﾀ電源(−)端子
Negative DC Bus Supply Ground for U Phase
－
Function
機能
( Active H )
( Active H )
( Active H )
＊: Cut pin
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７ 応用回路例
Typical application circuits
VCC
CBOOT
+
CP
(7)
VB1
(8)
HS1
(31)
RB
BootDi
(6)
ZD
+
CP
UV
Detect
VCC1
(5)
HIN1
(3)
LIN1
(4)
COM1
(1)
FO1
UV
Detect
Level
Shift
Input Logic
CBOOT
+
OCP1
(15)
VB2
(16)
HS2
(28)
UV
Detect
Controller
VCC2
(11)
LIN2
(12)
COM2
(9)
FO2
UV
Detect
Level
Shift
Input Logic
STP
CBOOT
+
OCP2
(23)
VB3
(24)
HS3
INT
LIN3
(20)
COM3
(17)
FO3
FRD (30)
Thermal
Protect
LS2
(25)
UV
Detect
VCC3
(19)
M
V
RB
(22)
HIN3
(29)
MIC2
BootDi
(21)
FRD
Drive
Circuit
Drive
Circuit
O.C.
Protect
(10)
LS1
RB
(14)
HIN2
(33)
FRD
Thermal
Protect
MIC１
BootDi
(13)
(32)
U
Drive
Circuit
STP
O.C.
Protect
(2)
FRD
Drive
Circuit
Input Logic
VBB
UV
Detect
Level
Shift
STP
FRD
Drive
Circuit
(26)
W
Drive
Circuit
+
CS
VFO
(18)
RFO
OCP3
O.C.
Protect
FRD (27)
Thermal
Protect
LS3
MIC3
A/D
RO
CFO
CO
DRS
RS
COM
１シャント検出方式の回路例
Typical application utilizing one shunt resistor, RS
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応用回路についての注意事項
Cautions for Typical application circuits
・誤動作を防止するため、LS から COM 間は可能な限り配線を短くしてください。十分に配線を短くできない場合には、
LS-COM 間に高速ダイオード DRS を接続してください。
To avoid malfunction, the wiring LS pin to COM should be as short as possible. When wiring cannot sufficiently be
shortened, insert a fast diode DRS between LS and COM.
・サージ電圧による過電圧を避けるために、電解コンデンサと並列に 0.01µ~1µF スナバコンデンサ CS を取り付けてくだ
さい。
To prevent surge destruction, put a 0.01-1 µF snubber capacitor CS in parallel with the electrolytic capacitor.
・サージ電圧による破壊を防止するために、VCC-COM 間に 18~20V のツェナーダイオード ZD を接続することを推奨し
ます。
It is recommended to insert an 18-20 V Zener diode ZD between VCC to COM to prevent surge destruction.
・サージ電圧による誤動作を防止するために、VCC-COM 間および VB-HS 間に 0.01µ~0.1µF セラミックコンデンサ CP
を接続することを推奨します。
It is recommended to insert a 0.01-0.1 µF ceramic capacitor CP VCC to COM and VB to HS to prevent surge malfunction.
・電流検出用シャント抵抗 RS の後段にローパスフィルタ（RC フィルタ、応用回路例の RO, CO）を構成する際に、その
時定数は 0.22µs 以下となるように設計してください。IPM の OCP 回路内部にはフィルタ（1.65µs (typ)）が入っており
ますので、0.22µs 以上のフィルタに設定した場合、検出遅れによる IPM 破壊につながる可能性がありますので、ご注
意下さい。
When the low pass filter (RC filter, RO, CO in typical application circuit) is connected to the shunt resistor Rs for current detection,
the time constant should be set to be 0.22 µs or shorter. Care should be taken that the IPM destruction may be caused due to the
detection delay when the time constant of filter is set to be 0.22 µs or longer since the filter (1.65 µs (typ)) is incorporated in the
OCP circuit of IPM.
・FO 端子には、プルアップ抵抗 RFO およびノイズ除去用コンデンサ CFO を実装してください。また過電流時には FO 信
号は短期間（26µs (typ)）のみ出力します。その間に IPM への入力指令が OFF できるよう、FO 信号は MCU の割り込み
ポート(INT)と接続するようにして下さい。
The pull-up resistor RFO and the capacitor CFO for noise reduction should be connected to the FO terminal. The FO signal is output
only in short time (26 µs (typ)) in overcurrent. The FO signal should be connected to the interrupt port of MCU so that the input
command to the IPM can be turned off during the time period.
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８ 保護動作時のタイムチャート
Timing chart of protection mode
８－１ UVLO 動作タイムチャート
Timing chart of UVLO protection
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８－２ STP 動作タイムチャート
Timing chart of Shoot Through Prevention
Shoot Through Prevention
HIN
LIN
VCC
VB
*VCC,VB-HS=15V
HO
LO
FO
*HINとLINは同相
*HIN and LIN of the same phases
８－３ TSD 動作タイムチャート
Timing chart of Thermal Shut Down
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８－４ OCP 動作タイムチャート
Timing chart of Over Current Protection
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９ 外形
Package information
９－１ 外形、寸法
Package type, physical dimensions
(Bottom View)
※1
Mark1: ○
Mark2: ◎
※1: Two different types of
marks to be used.
図番 DWGNo.: 2552
A. 品名表示
Type Number
B. ロット番号
Lot Number
第１文字
1st letter
第２文字
2nd letter
130704
SCM1246MF
西暦年号下一桁
The last digit of year
月
Month
１～９：アラビア数字
1 to 9: Arabic Numerals
１０：Ｏ，１１：Ｎ，１２：Ｄ
O for Oct., N for Nov., D for Dec.
第３，４文字
3rd & 4th letter
第５文字
5th letter
製造日
day
01~31
01 to 31: Arabic Numerals
弊社識別
discrimination
A~Z
A to Z
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９－２ 外観
Appearance
本体は、汚れ、亀裂等なく綺麗であること。
The body shall be clean and shall not bear any stain or rust.
９－３ 標示
Marking
標示は本体に、品名及びロット番号を明瞭、かつ容易に消えぬようレーザーで捺印すること。
The type number and lot number shall be clearly stamped by laser on the body so that cannot be
erased easily.
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１０ 梱包仕様
Packing specifications
１０－１ スティック
Stick
スティック形式 ＳＣＭ－Ａ
Stick type SCM-A
510
17
41
X
スティックの両端にゴム製ストッパー
A rubber stopper is provided on both ends of stick
X 方向に１０個（最大１０個入り）
10 pieces in X direction (Maximum 10 pieces in one stick)
１０－２ ダンボール箱
A corrugated carton
105
528
216
Z
Y
Y 方向に５列
5 sticks in Y direction
Z 方向に５段
5 sticks in Z direction
１０×５×５＝２５０個（最大）
10 pieces × 5 × 5 = 250 pieces (max)
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１０－３ 梱包明細書
Packing label
製品の出荷の際に梱包明細書を貼付する。
The following information is included on a packing label.
1) 受注番号
Internal order number
2) 分納回数
Number of times on partial shipment
3) お届け先
Customer name
ROHS タイオウ
4) 貴社注番
Customer’s P.O. number
5) 貴社品番
Customer’s part number
6) 品名
Sanken part number
7) 納期
Delivery date
8) 発送日
Shipping date
9) 出荷数
Quantity to be shipped
10) 箱数
Number of box
11) 原産国：MADE IN JAPAN
The country of origin: MADE IN JAPAN
12) RoHS 指令対応
RoHS Directive Compliance
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１１ 使用上の注意
Cautions and warnings
使用上の注意 CAUTION / WARNING
保管環境、特性検査上の取り扱い方法によっては信頼度を損なう要因となりますので、注意事項に留意さ
れますようお願いいたします。
Since reliability can be affected adversely by improper storage environment and handling methods during
characteristic tests, please observe the following cautions.
１１－１ 保管上の注意事項
Cautions for Storage
● 保管環境は、常温(5~35°C)、常湿(40~75%)中が望ましく、高温多湿や温湿度変化の大きな場所を避けて
ください。
Ensure that storage conditions comply with the standard temperature (5 to 35 °C) and the standard relative
humidity (around 40 to 75 %) and avoid storage locations that experience extreme changes in temperature or
humidity.
● 腐食性ガス等の有毒ガスが発生しない塵埃の少ない場所で直射日光を避けてください。
Avoid locations where dust or harmful gases are present and avoid direct sunlight.
● 長期保管したものは、使用前に半田付け性やリードの錆等について再点検してください。
Reinspect for rust in leads and solderability that have been stored for a long time.
１１－２ 特性検査、取り扱い上の注意事項
Cautions for characteristic Tests and Handling
● 受入検査等で特性検査を行う場合は、測定器からのサージ電圧の印加、端子間ショートや誤接続等に
十分ご注意ください｡また定格以上の測定は避けてください｡
When characteristic tests are carried out during inspection testing and other standard tests periods, protect the
devices from surge of power from the testing device, shorts between the devices and the heatsink.
１１－３ 推奨締め付けトルク
Screwing torque
● 締め付けトルクは 58.8~78.4N·cm (6.0~8.0kgf·cm) として下さい。また締め付けの際には、製品と放熱フ
ィンとの間に異物（シリコーングリースを除く）がないようにしてください。
The torque of screwing to the heatsink shall be 58.8 to 78.4 N·cm (6.0 to 8.0 kgf·cm).
When screwing, there shall be no foreign substance between the product and the heatsink, except for silicone
grease.
１１－４ 放熱用シリコーングリースをご使用の際の注意
Remarks in using silicone grease for a heatsink
● 本製品を放熱板に取付けシリコーングリースをご使用する際は、均一に薄く塗布して下さい。必要以
上に塗布することは、無理な応力を加えることになります。
When silicone grease is used in mounting this product on a heatsink, it shall be applied evenly and thinly.
If more silicone grease than required is applied, it may produce forced stress.
● 揮発性の放熱用シリコーングリースは長時間経過しますとヒビ割れが生じ、放熱効果を悪化させます。
稠度の小さい（固い）放熱用シリコーングリースは、ビス止め時にモールド樹脂クラックの原因とな
ります。
Volatile type silicone grease may produce cracks after elapse of long term, resulting in reducing heat radiation
effect. Silicone grease with low consistency (hard grease) may cause cracks in the mold resin when screwing the
product to a heatsink.
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弊社では、寿命に影響を与えない下記の放熱用シリコーングリースを推奨しております。
Out recommended silicone grease for heat radiation purpose, which will not cause any adverse effect on the product
life is indicated below:
品名 Type
G746
YG6260
SC102
Suppliers
メーカー名
信越化学工業（株）
モメンティブ･パフォーマンス･マテリア
ルズ・ジャパン合同会社
東レ･ダウコーニング（株）
Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.
Momentive Performance Materials
holing Inc.
Dow Corning Toray Co., Ltd.
１１－５ 半田付け方法
Soldering
● 半田付けの際は、下記条件以内でできるだけ短時間に作業をするよう、ご配慮ください。
When soldering the products, please be sure to minimize the working time, within the following conditions.
・260±5 °C 10 sec.
・380±10 °C
5 sec. （半田ごて）
Soldering iron
半田付けは製品本体より 1.5mm のところまでとする。
At a distance of 1.5 mm from the main body of the Products
１１－６ 静電気破壊防止のための取扱注意
Considerations to protect the Products from Electrostatic Discharge
● デバイスを取り扱う場合は、人体アースを取ってください。人体アースはリストストラップ等を用い、
感電防止のため、1MΩ の抵抗を人体に近い所へ入れてください。
When handling the devices, operator must be grounded. Grounded wrist straps be worn and should have at least
1 MΩ of resistance near operators to ground to prevent shock hazard.
● デバイスを取り扱う作業台は導電性のテーブルマットやフロアマット等を敷きアースを取ってくださ
い｡
Workbenches where the devices are handled should be grounded and be provided with conductive table and floor
mats.
● カーブトレーサーなどの測定器を使う場合、測定器もアースを取ってください｡
When using measuring equipment such as a curve tracer, the equipment should also be grounded.
● 半田付けをする場合、半田ごてやディップ槽のリーク電圧がデバイスに印加されるのを防ぐため、半
田ごての先やディップ槽をアースしてください。
When soldering the devices, the head of a soldering iron or a solder bath must be grounded in other to prevent
leak voltage generated by them from being applied to the devices.
● デバイスを入れる容器は、弊社出荷時の容器を用いるか、導電性容器やアルミ箔等で、静電対策をし
てください。
The devices should always be stored and transported in our shipping containers or conductive containers, or be
wrapped up in aluminum foil.
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１１－７ その他
Others
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本書に記載されている動作例及び回路例は、使用上の参考として示したもので、これらに起因する
弊社もしくは第三者の工業所有権、知的所有権、その他の権利の侵害問題について弊社は一切責任を
負いません。
Application and operation examples described in this document are quoted for the sole purpose of reference for the use of
the products herein and Sanken can assume no responsibility for any infringement of industrial property rights, intellectual
property rights or any other rights of Sanken or any third party which may result from its use.
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弊社は品質、信頼性の向上に努めていますが、半導体製品では、ある確率での欠陥、故障の発生は避
けられません。部品の故障により結果として、人身事故、火災事故、社会的な損害等を発生させない
よう、使用者の責任に於いて、装置やシステム上で十分な安全設計及び確認を行ってください。
Although Sanken undertakes to enhance the quality and reliability of its products, the occurrence of failure and defect of
semiconductor products at a certain rate is inevitable. Users of Sanken products are requested to take, at their own risk,
preventative measures including safety design of the equipment or systems against any possible injury, death, fires or
damages to the society due to device failure or malfunction.
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本書に記載されている製品は、一般電子機器（家電製品、事務機器、通信端末機器、計測機器など）
に使用されることを意図しております。ご使用の際は、納入仕様書に署名または押印の上ご返却をお
願いいたします。
高い信頼性が要求される装置（輸送機器とその制御装置、交通信号制御装置、防災･防犯装置、各種
安全装置など）への使用をご検討の際には、必ず弊社販売窓口へご相談及び納入仕様書に署名または
押印の上、ご返却をお願いいたします。
極めて高い信頼性が要求される装置（航空宇宙機器、原子力制御、生命維持のための医療機器など）
には弊社の文書による合意が無い限り使用しないでください。
Sanken products listed in this document are designed and intended for the use as components in general purpose electronic
equipment or apparatus (home appliances, office equipment, telecommunication equipment, measuring equipment, etc.).
Please return to us this document with your signature(s) or seal(s) prior to the use of the products herein.
When considering the use of Sanken products in the applications where higher reliability is required (transportation
equipment and its control systems, traffic signal control systems or equipment, fire/crime alarm systems, various safety
devices, etc.), please contact your nearest Sanken sales representative to discuss, and then return to us this document with
your signature(s) or seal(s) prior to the use of the products herein.
The use of Sanken products without the written consent of Sanken in the applications where extremely high reliability is
required (aerospace equipment, nuclear power control systems, life support systems, etc.) is strictly prohibited.
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弊社のデバイスをご使用、またはこれを使用した各種装置を設計する場合、定格値に対するディレー
ティングをどの程度行うかにより、信頼性に大きく影響いたします。
ディレーティングとは信頼性を確保または向上するため、各定格値から負荷を軽減した動作範囲を設
定したり、サージやノイズなどについて考慮することを言います。ディレーティングを行う要素には、
一般的には電圧、電流、電力などの電気的ストレス、周囲温度、湿度などの環境ストレス、半導体デ
バイスの自己発熱による熱ストレスがあります。これらのストレスは、瞬間的数値あるいは最大値、
最小値についても考慮する必要があります。
なおパワーデバイスやパワーデバイス内蔵 IC は、自己発熱が大きく接合部温度(Tj)のディレーティン
グの程度が、信頼性を大きく変える要素となりますので充分にご配慮ください。
In the case that you use our semiconductor devices or design your products by using our semiconductor devices, the
reliability largely depends on the degree of derating to be made to the rated values. Derating may be interpreted as a case that
an operation range is set by derating the load from each rated value or surge voltage or noise is considered for derating in
order to assure or improve the reliability. In general, derating factors include electric stresses such as electric voltage, electric
current, electric power etc., environmental stresses such as ambient temperature, humidity etc. and thermal stress caused due
to self-heating of semiconductor devices. For these stresses, instantaneous values, maximum values and minimum values
must be taken into consideration.
In addition, it should be noted that since power devices or IC’s including power devices have large self-heating value, the
degree of derating of junction temperature (Tj) affects the reliability significantly.
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本書に記載されている製品のご使用にあたって、これらの製品に他の製品・部材を組み合わせる場合、
或いは、これらの製品に物理的、化学的その他何らかの加工・処理を施す場合には、使用者の責任に
於いてそのリスクをご検討の上行ってください。
When using the products specified herein by either (i) combining other products or materials therewith or (ii) physically,
chemically or otherwise processing or treating the products, please duly consider all possible risks that may result from all
such uses in advance and proceed therewith at your own responsibility.
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本書に記載された製品は耐放射線設計をしておりません。
Anti radioactive ray design is not considered for the products listed herein.
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弊社物流網外での輸送、製品落下等によるトラブルについて弊社は一切責任を負いません。
Sanken assumes no responsibility for any troubles, such as dropping products caused during
transportation out of Sanken’s distribution network.
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工商网监
湘ICP备2023018690号
