FCA50CC50

MOSFET MODULE FCA50CC50 FCA50CC50 is a dual power MOSFET module designed for fast swiching applications of high voltage and current.（2 devices are serial connected with a fast recovery diode （trr≦100ns）reverse connected across each MOSFET. ） The mounting base of the module is electrically isolated from semiconductor elements for simple heatsink construction. ● ID＝50A, UL;E76102 M） （ 107.5±0.6 93±0.3 3ｰM5 78 VDSS＝500V ● Suitable for high speed switching applications. ● Low ON resistance. ● Wide Safe Operating Areas. ● trr≦100ns fast recovery diode for free wheel. （Applications） UPS CVCF） Motor Control, Switching Power Supply, etc. （ , D2 S1 q S2 w i G2 u S2 4 2 φ6.5 ・ 1 2 3 56 23 23 TAB =110 （T0.5） 30max NAME PLATE e D1 y S1 t G1 Unit：A ■Maximum Ratings Symbol VDSS VGSS ID IDP -ID PT Tj Tstg VISO Item Drain-Source Voltage Gate-Source Voltage Drain Current Source Current Total Power Dissipation Channel Temperature Storage Temperature Isolation Voltage（R.M.S.） Mounting Torque Mass Mounting M6） （ Terminal（M5） A.C. 1minute Recommended Value 2.5-3.9（25-40） Recommended Value 1.5-2.5（15-25） Typical Value Tc＝25℃ DC Pulse Duty 55% Conditions （Tj＝25℃ unless otherwise specified） Ratings FCA50CC50 500 ±20 50 100 50 330 −40 to ＋150 −40 to ＋125 2500 4.7（48） 2.7（28） 240 Unit V V A A W ℃ ℃ V N･m （kgf･B） g ■Electrical Charactistics Symbol IGSS IDSS （ DSS V BR） （ VGS th） （ RDS on） （ VDS on） （Tj＝25℃ unless otherwise specified） Conditions VGS＝±20V，VDS＝0V VGS＝0V，VDS＝500V VGS＝0V，ID＝1mA VDS＝VGS，ID＝10mA ID＝25A，VGS＝15V ID＝25A，VGS＝15V VDS＝10V，ID＝25A VGS＝0V，VDS＝25V，f＝1.0MHz VGS＝0V，VDS＝25V，f＝1.0MHz VGS＝0V，VDS＝25V，f＝1.0MHz 60 VDD＝300V，VGS＝15V ID＝25A，RG＝5Ω IS＝25A，VGS＝0V IS＝25A，VGS＝−5V，di/dt＝100A/ s μ MOSFET Diode 80 100 520 140 2.0 100 0.38 1.67 V ns ℃/W ns 30 10000 1900 750 500 1.0 5.0 140 3.5 Ratings Min. Typ. Max. ±1.0 1.0 Unit μA mA V V mΩ V S pF pF pF Item Gate Leakage Current Zero Gate Voltage Drain Current Darin-Source Breakdown Voltage Gate-Source Threshold Voltage Drain-Source On-State Resistance Drain-Source On-State Voltage Forward Transconductance Input Capacitance Output Capacitance Reverse Transfer Capacitance Turn-on Delay Time Switching Time Rise Time Turn-off Delay Time Fall Time Diode Forward Voltage Reverse Recovery Time gfs Ciss Coss Crss td on） （ tr td off） （ tf VSDS trr Rth j-c） Thermal Resistance （ 1 31max 4 35±0.6 17 FCA50CC50 Output Characteristics Typical） （ １０ ０ Tj＝25℃ Pulse Test Forward Transfer Characteristics Typical） （ ５ ０ VDS 10V Pulse Test １V ５ Drain Current ID A） （ ６ ０ ４ ０ １V ０ ８ V ６ V ５ V Drain Current ID A） （ ８ ０ ４ ０ ３ ０ Tj 25℃ ２ ０ １ ０ ０ ０ ４ VGs＝ V ２ ０ ０ ０ ２ ４ ６ ８ １ ０ ３ ４ ５ ６ Drain-Source Voltage VDＳ （V） Drain-Source On-State Resistance Ｒ Ｓ ｏ ） Ｄ（ ｎ（Ω） Gate-Source Voltage VＧＳ （V） Forward Transconductance ｇｓ ｆ （S） ５ ０ Forward Transconductance Vs. Drain Current Tj Drain-Source On-State Resistance Vs. Drain Current ０３ ． Pulse Test Typical 25℃ ２ ０ Typical ０２ ． １ ０ VDS 25V Pulse Test Tj 100℃ Tj 25℃ ５ ０１ ． Tj 25℃ ２ ２ ５ １ ０ ２ ０ ５ ０ １０ ０ ０ 0 25 5 ０ 75 100 125 １０ 5 Drain CurrentＩ Ｄ （A） Ｄ （A） Drain CurrentＩ １００ ００ Input Capacitance, Output Capacitance, Reverse Transfer Capacitance （Typical） Ciss Safe Operating Area ２ １２ ０ Pw Capacitance Ｃ Ｐ ） （Ｆ Drain Current ID A） （ ５ ２ ５ ２ ５ D.C . Pw Pw Pw VGs 0V f 1MHz Tj 25℃ １０ ００ Coss Crss １１ ０ 10 μs 100 μs 1m s 10m s １０ ０ Tc 25℃ Non-Repetitive １０ ０ ０ ４ ０ ８ ０ １０ ２ １０ ６ ２０ ０ ２０ ４ ２ Drain-Source Voltage VＤＳ （V） ５ １１ ０ ２ ５ １２ ０ ２ ５ １３ ０ Drain-Source Voltage VＤＳ （V） 2 FCA50CC50 Forward Voltage of Free Wheeling Diode Reverse Recovery CurrentＩ （A） ｒ ｒ １０ ０ ４ ０ Reverse Recovery Characteristics Typical dis/dt 100A/μs VGS ー5V ８ ０ ６ ０ ４ ０ Typical VGs 0V Pulse Test ２ ０ trr ２０ ０ Tj 25℃ lrr １ ０ trr １０ ０ Tj 125℃ ５ lrr ５ ０ 25℃ 150℃ ２ ０ ０ ０ ０５ ． １０ ． １５ ． ２０ ． ２５ ． ２ ５ １ ０ ２ ０ ５ ０ ２ ０ １０ ０ Drain-Source Voltage VＳＤＳ （V） （A） Source Current - Ｓ Ｉ Thermal Impedance θ - （℃/Ｗ） ｊｃ Max. Max. Thermal Impedance θ - （℃/Ｗ） ｊｃ １ ０ ５ ２ Transient Thermal Impedance （ＭＯ Ｆ Ｔ） ＳＥ ５ ２ １０ ０ ５ 50msec-10sec Transient Thermal Impedance Ｉ Ｄ （Ｄ Ｏ Ｅ） Max. 50msec-10sec １ -１ ０ 50μsec-10sec ５ 1msec-50msec ２ １ -１ ０ ５ １ ｍ ５ ｍ１ ０ ０ ｍ ５ ０ １ ０ ０ ｍ２ ０ ０ｍ ２ ｍ ２ ５ １ｍ２ｍ ５ｍ ｍ０ ０ ０ ５１ ０ ２ ２ ｍ ２ ５ １ｍ２ｍ ５ｍ ｍ０ ０ ０ ５１ ０ １ -２ ０ ５ μ１ ０ ０ μ ５ ０ １ ０ ０ μ２ ０ ０μ ｍ ５ ｍ１ ０ ０ ｍ ５ ０ １ ０ ０ ｍ２ ０ ０ｍ Timeｔ （sec） Time（sec） ｔ 3 Reverse Recovery Time t ｒ ｒ （ns） ４０ ０ Source Current -IＳ （A） MOSFET MODULE FCA75CC50 FCA75CC50 is a dual power MOSFET module designed for fast swiching applications of high voltage and current. （2 devices are serial connected with a fast recovery diode （trr≦100ns）reverse connected across each MOSFET. ） The mounting base of the module is electrically isolated from semiconductor elements for simple heatsink construction. ● ID＝75A, UL;E76102 M） （ 107.5±0.6 93±0.3 3ｰM5 78 VDSS＝500V ● Suitable for high speed switching applications. ● Low ON resistance. ● Wide Safe Operating Areas. ● trr≦100ns fast recovery diode for free wheel. （Applications） UPS CVCF） Motor Control, Switching Power Supply, etc. （ , D2 S1 q S2 w i G2 u S2 4 2 φ6.5 ・ 1 2 3 56 23 23 TAB =110 （T0.5） 30max NAME PLATE e D1 y S1 t G1 Unit：A ■Maximum Ratings Symbol VDSS VGSS ID IDP -ID PT Tj Tstg VISO Item Drain-Source Voltage Gate-Source Voltage Drain Current Source Current Total Power Dissipation Channel Temperature Storage Temperature Isolation Voltage（R.M.S.） Mounting Torque Mass Mounting M6） （ Terminal（M5） A.C. 1minute Recommended Value 2.5-3.9（25-40） Recommended Value 1.5-2.5（15-25） Typical Value Tc＝25℃ DC Pulse Duty 35% Conditions （Tj＝25℃ unless otherwise specified） Ratings FCA75CC50 500 ±20 75 150 75 430 −40 to ＋150 −40 to ＋125 2500 4.7（48） 2.7（28） 240 Unit V V A A W ℃ ℃ V N･m （kgf･B） g （Tj＝25℃） Conditions VGS＝±20V，VDS＝0V VGS＝0V，VDS＝500V VGS＝0V，ID＝1mA VDS＝VGS，ID＝10mA ID＝40A，VGS＝15V ID＝40A，VGS＝15V VDS＝10V，ID＝40A VGS＝0V，VDS＝25V，f＝1.0MHz VGS＝0V，VDS＝25V，f＝1.0MHz VGS＝0V，VDS＝25V，f＝1.0MHz 70 VDD＝300V，VGS＝15V ID＝40A，RG＝5Ω −IS＝40A，VGS＝0V −IS＝40A，VGS＝−5V，di/dt＝100A/ s μ MOSFET Diode 80 140 700 210 2.5 100 0.29 1.67 V ns ℃/W 4 ns 40 13500 2500 1000 500 1.0 5.0 110 4.4 Ratings Min. Typ. Max. ±1.0 1.0 Unit μA mA V V mΩ V S pF pF pF ■Electrical Characteristics Symbol IGSS IDSS （ DSS V BR） （ VGS th） （ RDS on） （ VDS on） Item Gate Leakage Current Zero Gate Voltage Drain Current Darin-Source Breakdown Voltage Gate-Source Threshold Voltage Drain-Source On-State Resistance Drain-Source On-State Voltage Forward Transconductance Input Capacitance Output Capacitance Reverse Transfer Capacitance Turn-on Delay Time Switching Time Rise Time Turn-off Delay Time Fall Time Diode Forward Voltage Reverse Recovery Time gfs Ciss Coss Crss td on） （ tr td off） （ tf VSDS trr Rth j-c） Thermal Resistance （ 31max 4 35±0.6 17 FCA75CC50 Output Characteristics Typical） （ １０ ０ Tj＝25℃ Pulse Test １V ５ ６ ０ Forward Transfer Characteristics Typical） （ VDS 10V Pulse Test Drain Current ID A） （ Drain Current ID A） （ ８ ０ １V ０ ８ V ６ V ５ V ５ ０ ４ ０ Tj ６ ０ ４ ０ ４ VGs＝ V 25℃ ３ ０ ２ ０ １ ０ ２ ０ ０ ０ ２ ４ ６ ８ １ ０ Forward Transconductance ｇｓ ｆ （S） １０ ０ ５ 0 Forward Transconductance Vs. Drain Current Drain-Source On-State Resistance Ｒ Ｓ ｏ ） Ｄ（ ｎ（Ω） Drain-Source Voltage VＤＳ （V） ０ ０ ３ ４ ５ ６ Gate-Source Voltage VＧＳ （V） ０３ ． Drain-Source On-State Resistance Vs. Drain Current VGS 10V Pulse Test Typical ２ ０ VDS 10V Pulse Test Tj 25℃ (Typical) ０２ ． Tj 100℃ １ ０ ０１ ． Tj 25℃ ５ １ ２ ５ １ ０ ２ ０ ５ ０ １０ ０ Tj 25℃ ０ ０ ２ ５ ５ ０ ７ ５ １０ ０ １５ ２ １０ ５ Drain CurrentＩ Ｄ （A） Drain CurrentＩ Ｄ （A） Input Capacitance, Output Capacitance, Reverse Transfer Capacitance （Typical） 2 １００ ００ Ciss Safe Operating Area Pw Capacitance Ｃ Ｐ ） （Ｆ Drain Current ID A） （ １２ ０ 5 Pw 10μ s Pw 10 s VGS 0V f 1MHz Tj 25℃ ２ １1 ０ 5 ２ １0 ０ ５ Tc 25℃ Non-Repetitive D.C Pw . 1m ms 0μ s 10 １０ ００ Coss Crss １０ ０ ０ ２ ４ ０ ８ ０ １０ ２ １０ ６ ２０ ０ ２０ ４ ５ １１ ０ ２ ５ １２ ０ ２ ５ １３ ０ Drain-Source Voltage VＤＳ （V） Drain-Source Voltage VＤＳ （V） 5 FCA75CC50 Reverse Recovery CurrentＩ （A） ｒ ｒ Source Current -IＳ （A） １０ ４ １０ ２ １０ ０ Tj VGS 0V Pulse Test Typical dis dt 100A'μs VGS −5V Typical ２ ０ trr ２０ ０ 25℃ lrr Tj 125℃ ８ ０ ６ ０ ４ ０ ２ ０ ０ ０ １０ ． ２０ ． ３０ ． １ ０ trr １０ ０ lrr ５ 25℃ 150℃ ５ ０ ２ ５ １ ０ ２ ０ ５ ０ ２ ０ １０ ０ Drain-Source Voltage VＳＤＳ （V） Source Current - Ｓ Ｉ （A） Transient Thermal Impedance （ＭＯ Ｆ Ｔ） ＳＥ Thermal Impedance θ - （℃/Ｗ） ｊｃ Maximum Thermal Impedance θ - （℃/Ｗ） ｊｃ ５ ２ １０ ０ ５ ２ １ -１ ０ ５ Transient Thermal Impedance Ｉ Ｄ （Ｄ Ｏ Ｅ） Maximum 50msec-10sec ５ 50msec-10sec ２ １ -１ ０ ５ 50μsec-50msec 1msec-50msec ２ １ -２ ０ ５ μ１ ０ ０ μ ５ ０ １ ０ ０ μ２ ０ ０μ ｍ ５ ｍ１ ０ ０ ｍ ５ ０ １ ０ ０ ｍ２ ０ ０ｍ ２ ｍ ２ ５ １ｍ２ｍ ５ｍ ｍ０ ０ ０ ５１ ０ １ ｍ ５ ｍ１ ０ ０ ｍ ５ ０ １ ０ ０ ｍ２ ０ ０ｍ ２ ｍ ２ ５ １ｍ２ｍ ５ｍ ｍ０ ０ ０ ５１ ０ Timeｔ （sec） Timeｔ （sec） Reverse Recovery Time t ｒ ｒ （ns） １０ ６ Forward Voltage of Free Wheeling Diode ４ ０ Reverse Recovery Characteristics ４０ ０ 6 MOSFET MODULE FBA50CA45/50 FBA50CA45/50 is a dual power MOSFET module designed for fast swiching applications of high voltage and current. （ 2 devices are serial connected.） The mounting base of the module is electrically isolated from semiconductor elements for simple heatsink construction. ● ID＝50A, ● Suitable UL;E76102 M） （ VDSS＝500V for high speed switching applications. ● Low ON resistance. ● Wide Safe Operating Areas. （Applications） UPS CVCF） Motor Control, Switching Power Supply, etc. （ , 107.5±0.6 93±0.3 4-M5 4 17 4 35±0.6 1 2 3 4 78 56 2- 6.5 φ 19 19 19 TAB =110 （T0.5） 30max NAME PLATE D2 S1 q S2 D1 we S1 r i G2 u S2 y S1 t G1 Unit：A ■Maximum Ratings Symbol VDSS VGSS ID IDP -ID PT Tj Tstg VISO Item Drain-Source Voltage Gate-Source Voltage Drain Current Source Current Total Power Dissipation Channel Temperature Storage Temperature Isolation Voltage（R.M.S.） Mounting Torque Mass Mounting M6） （ Terminal（M5） A.C. 1minute Recommended Value 2.5-3.9（25-40） Recommended Value 1.5-2.5（15-25） Typical Value Tc＝25℃ D.C. Pulse Conditions （Tj＝25℃ unless otherwise specified） Ratings FBA50CA45 FBA50CA50 450 ±20 50 100 50 320 150 −40 to ＋125 2500 4.7（48） 2.7（28） 220 500 Unit V V A A W ℃ ℃ V N･m （kgf･B） g ■Electrical Characteristics Symbol IGSS IDSS （ DSS V BR） （ VGS th） （ RDS on） （ VDS on） （Tj＝25℃ unless otherwise specified） Conditions VGS＝±20V，VDS＝0V VGS＝0V，VDS＝500V VGS＝0V，ID＝1mA VDS＝VGS，ID＝10mA ID＝25A，VGS＝15V ID＝25A，VGS＝15V VDS＝10V，ID＝25A VGS＝0V，VDS＝25V，f＝1.0MHz VGS＝0V，VDS＝25V，f＝1.0MHz VGS＝0V，VDS＝25V，f＝1.0MHz 60 RL＝12Ω，RGS＝50Ω，VGS＝15V ID＝25A，RG＝5Ω ーID＝25A，VGS＝0V ーID＝25A，VGS＝0V，di/dt＝100A/μs 700 0.39 60 650 130 1.5 V ns ℃/W ns 30 10000 1900 750 450 500 1.0 5.0 120 3.0 Ratings Min. Typ. Max. ±1.0 1.0 Unit μA mA V V mΩ V S pF pF pF Item Gate Leakage Current Zero Gate Voltage Drain Current FBA50CA45 Drain-Source Breakdown Voltage FBA50CA50 Gate-Source Threshold Voltage Drain-Source On-State Resistance Drain-Source On-State Voltage Forward Transconductance Input Capacitance Output Capacitance Reverse Transfer Capacitance Turn-on Delay Time Switching Time Rise Time Turn-off Delay Time Fall Time Diode Forward Voltage Reverse Recovery Time gfs Ciss Coss Crss td on） （ tr td off） （ tf VSDS trr Rth j-c） Thermal Resistance （ 7 31max FBA50CA45/50 １０ ０ ８ ０ Output Characteristics Typical） （ Tj 25℃ Pulse Test ５ ０ ４ 0 ３ ０ Forward Transfer Characteristics Typical） （ VDS 10V Pulse Test Drain Current ID A） （ 15V 10V 8V 6V ６ ０ Drain Current ID A） （ Tj 25℃ ４ ０ 5V ２ ０ １ ０ ０ ０ ２ ０ ０ ０ VGS 4V ２ ４ ６ ８ １ ０ １ ２ ３ ４ ５ ６ Drain-Source Voltage VＤＳ （V） Gate-Source Voltage VＧＳ （V） Drain-Source On-State Resistance Ｒ Ｓ ｏ ） Ｄ（ ｎ（Ω） Forward Transconductance ｇｓ ｆ （S） １０ ０ ５ 0 Forward Transconductance Vs. Drain Current ０３ ． Drain-Source On-State Resistance Vs. Drain Current Typical Pulse Test VGS 10V Tj 25℃ ０２ ． Tj ２ ０ VDS 25V Pulse Test 100℃ １ ０ ５ ０１ ． Tj 25℃ Tj −25℃ ２ １ ２ ５ １ ０ ２ ０ ５ ０ ０ ０ ２ ５ ５ ０ ７ ５ １０ ０ １５ ２ １０ ５ Ｄ （A） Drain CurrentＩ Ｄ （A） Drain CurrentＩ Input Capacitance, Output Capacitance, Reverse Transfer Capacitance （Typical） 2 １２ ０ Safe Operating Area Pw Capacitance Ｃ Ｐ ） （Ｆ Drain Current ID A） （ 5 ２ １1 ０ 5 ２ １0 ０ ５ ２ １０ ０ Tj 25℃ Non-Repetitive 10 0μ s 1m s 10 ms D. C. 10μ s １００ ００ Ciss VGS 0V f 1MHz Tj 25℃ １０ ００ Coss Crss FBA50CA45 FBA50CA50 １０ ０ ０ ４ ０ ８ ０ １０ ２ １０ ６ ２０ ０ ２０ ４ ２ ５ １１ ０ ２ ５ １２ ０ ２ ５ １３ ０ Drain-Source Voltage VＤＳ （V） （V） Drain-Source Voltage VＤＳ 8 FBA50CA45/50 Thermal Impedance θ -Ｃ ｊ （℃/Ｗ） １０ ０ Forward Voltage of Free Wheeling Diode Typical VGS 0V Pulse Test ５ ２ １ -１ ０ ５ ２ １ -２ ０ Transient Thermal Impedance M Max. Source Current I（A） S ８ ０ ６ ０ Tj 25℃ ４ ０ ２ ０ ０ ０４ ． ０６ ． ０８ ． １０ ． １２ ． １４ ． ｓｔ Normalized Transient Thermal Impedanseｒ（ ） Source-Drain VoltageVＳＤＳ （V） ５ μ１０ ０ μ ５０ １ ０ ０ μ２ ０ ０μ ｍ ２ ｍ ５ ｍ１ ０ ０ ｍ ５ ０ １ ０ ０ ｍ２ ０ ０ｍ ２ ５ １ｍ ２ｍ ｍ０ ０ ５１ ０ ５ｍ ０ Normalized Transient Thermal Impedanse Vs. Pulse Width ２ １ Timeｔ （sec） ［ ｊｃ ｔ（ ‐ ） θ‐ /Ｒｈｊｃ ］ ０． ５ ０ ０． ２ ０ ０． １ ０ ０． ０ ５ ０ D 0.5 0.2 0.1 0.05 0.02 0.01 0 ５ μ ０ μ５ ０ １ ０ １０ ０ μ ｍ ５ １ ｍ ５ ｍ ０ ｍ５ ０ １ ｍ ０ ０ １０ ０ ｍ ５１ ０ （sec） Pulse Width PＷ 9 MOSFET MODULE FBA75CA45/50 FBA75CA45/50 is a dual power MOSFET module designed for fast swiching applications of high voltage and current.（ 2 devices are serial connected.） The mounting base of the module is electrically isolated from semiconductor elements for simple heatsink construction. ● ID＝75A, ● Suitable UL;E76102 M） （ VDSS＝500V for high speed switching applications. ● Low ON resistance. ● Wide Safe Operating Areas. （Applications） UPS CVCF） Motor Control, Switching Power Supply, etc. （ , 107.5±0.6 93±0.3 4-M5 4 17 4 35±0.6 1 2 3 4 78 56 2- 6.5 φ 19 19 19 TAB =110 （T0.5） 30max NAME PLATE D2 S1 q S2 D1 we S1 r i G2 u S2 y S1 t G1 Unit：A ■Maximum Ratings Symbol VDSS VGSS ID IDP -ID PT Tj Tstg VISO Item Drain-Source Voltage Gate-Source Voltage Drain Current Source Current Total Power Dissipation Channel Temperature Storage Temperature Isolation Voltage（R.M.S.） Mounting Torque Mass Mounting M6） （ Terminal（M5） A.C. 1minute Recommended Value 2.5-3.9（25-40） Recommended Value 1.5-2.5（15-25） Typical Value Tc＝25℃ D.C. Pulse Duty＝36% Conditions （Tj＝25℃ unless otherwise specified） Ratings FBA75CA45 FBA75CA50 450 ±20 75 150 75 400 150 −40 to ＋125 2500 4.7（48） 2.7（28） 220 500 Unit V V A A W ℃ ℃ V N･m （kgf･B） g ■Electrical Characteristics Symbol IGSS IDSS （ DSS V BR） （ VGS th） （ RDS on） （ VDS on） （Tj＝25℃ unless otherwise specified） Conditions VGS＝±20V，VDS＝0V VGS＝0V，VDS＝500V VGS＝0V，ID＝1mA VDS＝VGS，ID＝10mA ID＝40A，VGS＝15V ID＝40A，VGS＝15V VDS＝10V，VD＝40A VGS＝0V，VDS＝25V，f＝1.0MHz VGS＝0V，VDS＝25V，f＝1.0MHz VGS＝0V，VDS＝25V，f＝1.0MHz 60 RL＝7.5Ω，RGS＝50Ω，VGS＝15V ID＝40A，RG＝5Ω ーID＝40A，VGS＝0V ーID＝40A，VGS＝0V，di/dt＝100A/μs 700 0.31 120 700 210 1.5 V ns ℃/W 10 ns 40 13500 2500 1000 450 500 1.0 5.0 0.10 4.0 Ratings Min. Typ. Max. ±1.0 1.0 Unit μA mA V V Ω V S pF pF pF Item Gate Leakage Current Zero Gate Voltage Drain Current FBA75CA45 Drain-Source Breakdown Voltage FBA75CA50 Gate-Source Threshold Voltage Drain-Source On-State Resistance Drain-Source On-State Voltage Forward Transconductance Input Capacitance Output Capacitance Reverse Transfer Capacitance Turn-on Delay Time Switching Time Rise Time Turn-off Delay Time Fall Time Diode Forward Voltage Reverse Recovery Time gfs Ciss Coss Crss td on） （ tr td off） （ tf VSDS trr Rth j-c） Thermal Resistance （ 31max FBA75CA45/50 １０ ０ ８ ０ ６ ０ Output Characteristics Typical） （ 15V ５ ０ 10V 8V 6V Forward Transfer Characteristics Typical） （ VDS 10V Pulse Test Drain Current I（A） D Drain Current I（A） D ４ ０ ３ ０ Tj 25℃ Tj 25℃ Pulse Test ４ ０ ２ ０ 5V ２ ０ １ ０ VGS ０ ０ 4V ２ ４ ６ ８ １ ０ １ ２ ０ ０ ３ ４ ５ ６ Drain-Source On-State Resistance Ｒ Ｓ ｏ ） Ｄ（ ｎ（Ω） Drain-Source Voltage VＤＳ （V） Gate-Source Voltage VＧＳ （V） Forward Transconductance ｇｓ ｆ （S） １０ ０ ５ 0 Forward Transconductance Vs. Drain Current Drain-Source On-State Resistance Vs. Channel Temperature ０２ ． ２ ０ １ ０ ５ VDS 10V Pulse Test Tj 25℃ (Typical) ID 75A ０１ ． ID 37.5A VGS 10V Pulse Test ２ ０５ ． １ ２ ５ １ ０ ２ ０ ５ ０ １０ ０ ０ −０ ８ −０ ４ ０ ４ ０ ８ ０ １０ ２ １０ ６ Drain-Source On-State Resistance Ｒ Ｓ ｏ ） Ｄ（ ｎ（Ω） Drain CurrentＩ Ｄ （A） Channel Temperature Ｔ ｊ （℃） ０２ ． Drain-Source On-State Resistance Vs. Drain Current VGS 10V Pulse Test Input Capacitance, Output Capacitance, Reverse Transfer Capacitance （Typical） Capacitance Ｃ Ｐ ） （Ｆ Tj 100℃ １００ ００ Ciss ０１ ． Tj 25℃ VGS 0V f 1MHz Tj 25℃ Tj −25℃ １０ ００ Coss Crss ０ ０ ２ ５ ５ ０ ７ ５ １０ ０ １０ ２ １０ ５ １０ ０ ０ ４ ０ ８ ０ １０ ２ １０ ６ ２０ ０ ２０ ４ Ｄ （A） Drain CurrentＩ （ Drain-Source Voltage VDS V） 11 FBA75CA45/50 ２ １ -２ ０ ５ Safe Operating Area Pw １０ ２ 10 0μ s 1m s 10 ms D.C . Forward Voltage of Free Wheeling Diode Tj 25℃ (Typical) Pulse Test Drain Current ID A） （ ２ １1 ０ ５ ２ １0 ０ ５ ２ ５ １1 ０ ２ ５ Source Current ーI（A） S １３ ０ 10μ s １０ ０ ８ ０ ６ ０ ４ ０ ２ ０ ０ FBA75CA45 FBA75CA50 １２ ０ ２ ５ ０４ ． ０６ ． ０８ ． １０ ． １２ ． １４ ． ｓｔ Normalized Transient Thermal Impedanseｒ（ ） ［ ｊｃ ｔ（ ‐ ） θ‐ /Ｒｈｊｃ ］ Drain-Source Voltage VＤＳ （V） Source-Drain Voltage VＳＤＳ （V） Thermal Impedance θ -Ｃ ｊ （℃/Ｗ） ５ ２ Transient Thermal Impedance 50msec-10sec Max. Max. Normalized Transient Thermal Impedanse Vs. Pulse Width ２ １ ０． ５ ０ ０． ２ ０ ０． １ ０ ０． ０ ５ ０ D １ -１ ０ ５ ２ 50μsec-50msec 0.5 0.2 0.1 0.05 0.02 0.01 0 １ -２ ０ ５ μ１０ ０ μ ５０ １ ０ ０ μ２ ０ ０μ ｍ ２ ｍ ２ ５ ｍ１ ０ ０ ｍ ５ ０ １ ０ ０ ｍ２ ０ ０ｍ ５ １ｍ ２ｍ ｍ０ ０ ５１ ０ ５ｍ ０ ５ μ０ μ５ ０ １ ０ １０ ０ μ ｍ ５ １ ｍ ５ ｍ ０ ｍ５ ０ １ ｍ ０ ０ １０ ０ ｍ ５１ ０ （sec） Pulse ＰＷ Timeｔ （sec） 12 MOSFET MODULE SF100BA50 13.0±0.2 8.0±0.2 SF100BA50 is a isolated power MOSFET module designed for fast swiching applications of high voltage and current. The mounting base of the module is electrically isolated from semiconductor elements for simple heatsink construction. ● ID＝100A, UL;E76102 M） （ 2φ6.5 80.5max 52.5max 2-M5      （depth 10mm） VDSS＝500V ● Suitable for high speed switching applications. ● Low ON resistance. ● Wide Safe Operating Areas. ● trr≦700ns （Applications） UPS CVCF） Motor Control, Switching Power Supply, etc. （ , w 42.8max 3 1 2 4 34.0±0.2 65.0±0.2 2.8×0.8TAB＃110 31.5 29.5 8.5max NAME PLATE q S 2.0 G S 4.0 Unit：A ■Maximum Ratings Symbol VDSS VGSS ID IDP -ID PT Tj Tstg VISO Item Drain-Source Voltage Gate-Source Voltage Drain Current Source Current Total Power Dissipation Channel Temperature Storage Temperature Isolation Voltage（R.M.S.） Mounting Torque Mass Mounting （M6） Terminal（M5） A.C. 1minute Tc＝25℃ DC Pulse Duty＝43% Conditions （Tj＝25℃ unless otherwise specified） Ratings SF100BA50 500 ±20 100 200 100 600 −40∼＋150 −40∼＋125 2500 4.7（48） 2.7（28） 160 Recommended Value 2.5∼3.9 （25∼40） Recommended Value 1.5∼2.5 （15∼25） Typical Value Unit V V A A W ℃ ℃ V N･m （kgf･B） g ■Electrical Characteristics Symbol IGSS IDSS （ DSS V BR） （ VGS th） （ RDS on） （ VDS on） （Tj＝25℃ unless otherwise specified） Conditions VGS＝±20V，VDS＝0V VGS＝0V，VDS＝500V VGS＝0V，ID＝1mA VDS＝VGS，ID＝10mA ID＝50A，VGS＝15V ID＝50A，VGS＝15V VDS＝10A，ID＝50A VGS＝0V，VDS＝25V，f＝1.0MHz VGS＝0V，VDS＝25V，f＝1.0MHz VGS＝0V，VDS＝25V，f＝1.0MHz 70 RL＝6Ω，RGS＝50Ω，VGS＝15V ID＝50A，RG＝5Ω −ID＝50A，VGS＝0V −ID＝50A，VGS＝0V，di/dt＝100A/ s μ 700 120 1100 280 1.5 V ns 0.21 ℃/W μs 60 20000 3800 1500 500 1.0 5.0 70 3.5 Ratings Min. Typ. Max. ±2.0 1.0 Unit μA mA V V mΩ V S pF pF pF Item Gate Leakage Current Zero Gate Voltage Drain Current Darin-Source Breakdown Voltage Gate-Source Threshold Voltage Drain-Source On-State Resistance Drain-Source On-State Voltage Forward Transconductance Input Capacitance Output Capacitance Reverse Transfer Capacitance Turn-on Delay Time Switching Time Rise Time Turn-off Delay Time Fall Time Diode Forward Voltage Reverse Recovery Time gfs Ciss Coss Crss td on） （ tr td off） （ tf VSDS trr Rth j-c） Thermal Resistance （ 13 SF100BA50 ２０ ０ １０ ６ Output Characteristics Typical） （ Tj 25℃ Pulse Test Forward Transfer Characteristics Typical） （ １０ ０ VDS 10V Pulse Test Tj Drain Current ID A） （ 25℃ 15V 10V Drain Current ID A） （ 4V １０ ２ ８ ０ 8V 6V ８ 0 ６ ０ ４ ０ ２ ０ ０ ０ 5V ４ ０ ０ ０ VGS ２ ４ ６ ８ １ ０ １ ２ ３ ４ ５ ６ Drain-Source Voltage VDS（V） Drain-Source On-State Resistance Ｒ Ｓ ｏ ） Ｄ（ ｎ（Ω） Drain-Source Voltage VGS（V） Forward Transconductance ｇｓ ｆ （S） １０ ０ Forward Transconductance Vs. Drain Current ０． １ ５ Drain-Source On-State Resistance Vs. Drain Current Pulse Test Typical VGS 10V ５ 0 ０． １ ０ Tj 100℃ ２ ０ VDS 25V Pulse Test １ ０ Typical Tj 25℃ ０．5 ０ Tj 25℃ Tj −25℃ ５ ２ ５ １ ０ ２ ０ ５ ０ １０ ０ ０ ０ ５ ０ １０ ０ １０ ５ ２０ ０ ２０ ５ Drain Current ID（A） Drain Current ID（A） Input Capacitance, Output Capacitance, Reverse Transfer Capacitance （Typical） ５ Safe Operating Area ２ １２ ０ 10 0μ s 1m s （ Drain Current ID A） Capacitance Ｃ Ｐ ） （Ｆ PW Ciss １００ ００ VGS 10 μ s 0V f 1MHz Tj 25℃ ２ １１ ０ ５ Tc 25℃ Non-Repetitive １０ ００ Coss Crss 10 m s D. C １０ ０ ０ ４ ０ ８ ０ １０ ２ １０ ６ ２０ ０ ２０ ４ １０ ０ ２ ５ １１ ０ ２ ５ １２ ０ ２ ５ Drain-Source Voltage VDS（V） Drain-Source Voltage VDS（V） 14 SF100BA50 Thermal Impedance θ‐（℃/Ｗ） ｊｃ ２０ ０ Forward Voltage of Free Wheeling Diode VGS 0V Pulse Test Typical Tj 25℃ ５ ２ Transient Thermal Impedance Max. Max. 50ms−10s Source Current ーI（A） S １０ ６ １０ ２ ８ ０ ４ ０ ０ １ -１ ０ 50μs−50ms ５ ２ １ -２ ０ ０ ５ μ１０ ０ μ ５ ０ １ ０ ０ μ２ ０ ０μ ｍ ５ ｍ１ ０ ０ ｍ ５ ０ １ ０ ０ ｍ２ ０ ０ｍ ２ ｍ ２ ５ １ｍ２ｍ ｍ０ ０ ５１ ０ ５ｍ ０ ０４ ． ０６ ． ０８ ． １０ ． １２ ． １４ ． ｓｔ Normalized Transient Thermal Impedanseｒ（ ） Source-Drain Voltage VＳＤＳ V） （ ２ １ -１ ０ Normalized Transient Thermal Impedanse Vs. Pulse Width Max. Max. Time t（sec） ［ ｊｃ ｔ（ ‐ ） θ‐ /Ｒｈｊｃ ］ ５D ２ 0.5 0.2 0.1 0.05 0.02 0.01 D0 １ -２ ０ ５ ２ ５ μ１ ０ ５ ０ １ ０ ０μ ０μ ｍ ５ １ ｍ ５ ｍ ０ ｍ ５０ １ ｍ０ ０ １０ ０ ｍ ５１ ０ （sec） Pulse Width ＰＷ 15 MOSFET MODULE SF150BA50 13.0±0.2 8.0±0.2 SF150BA50 is a isolated power MOSFET module designed for fast swiching applications of high voltage and current. The mounting base of the module is electrically isolated from semiconductor elements for simple heatsink construction. ● ID＝150A, UL;E76102 M） （ 2φ6.5 80.5max 52.5max 2-M5      （depth 10mm） VDSS＝500V ● Suitable for high speed switching application. ● Low ON resistance. ● Wide Safe Operating Areas. （Applications） UPS CVCF） Motor Control, Switching Power Supply, etc. （ , w 42.8max 3 1 2 4 34.0±0.2 65.0±0.2 2.8×0.8TAB＃110 31.5 29.5 8.5max NAME PLATE G S S 2.0 q 4.0 Unit：A ■Maximum Ratings Symbol VDSS VGSS ID IDP -ID PT Tj Tstg VISO Item Drain-Source Voltage Gate-Source Voltage Drain Current Source Current Total Power Dissipation Channel Temperature Storage Temperature Isolation Voltage（R.M.S.） Mounting Torque Mass Mounting M6） （ Terminal（M5） A.C. 1minute Recommended Value 2.5-3.9（25-40） Recommended Value 1.5-2.5（15-25） Typical Value Tc＝25℃ DC Pulse Duty＝35% Conditions （Tj＝25℃ unless otherwise specified） Ratings SF150BA50 500 ±20 150 300 150 780 −40 to ＋150 −40 to ＋125 2500 4.7（48） 2.7（28） 160 Unit V V A A W ℃ ℃ V N･m （kgf･B） g ■Electrical Characteristics Symbol IGSS IDSS （ DSS V BR） （ VGS th） （ RDS on） （ VDS on） （Tj＝25℃ unless otherwise specified） Conditions VGS＝±20V，VDS＝0V VGS＝0V，VDS＝500V VGS＝0V，ID＝1mA VDS＝VGS，ID＝10mA ID＝75A，VGS＝15V ID＝75A，VGS＝15V VDS＝10V，ID＝75A VGS＝0V，VDS＝25V，f＝1.0MHz VGS＝0V，VDS＝25V，f＝1.0MHz VGS＝0V，VDS＝25V，f＝1.0MHz 90 RL＝4Ω，RGS＝50Ω，VGS＝15V ID＝75A，RG＝5Ω −ID＝75A，VGS＝0V −ID＝75A，VGS＝0V，di/dt＝100A/ s μ 700 0.16 180 1400 360 1.5 V ns ℃/W ns 80 27000 5000 2000 500 1.0 5.0 50 3.75 Ratings Min. Typ. Max. ±2.0 2.0 Unit μA mA V V mΩ V S pF pF pF Item Gate Leakage Current Zero Gate Voltage Drain Current Darin-Source Breakdown Voltage Gate-Source Threshold Voltage Drain-Source On-State Resistance Drain-Source On-State Voltage Forward Transconductance Input Capacitance Output Capacitance Reverse Transfer Capacitance Turn-on Delay Time Switching Time Rise Time Turn-off Delay Time Fall Time Diode Forward Voltage Reverse Recovery Time gfs Ciss Coss Crss td on） （ tr td off） （ tf VSDS trr Rth j-c） Thermal Resistance （ 16 SF150BA50 ２０ ０ １０ ６ １０ ２ ８ ０ ４ ０ Output Characteristics Typical） （ Tj 25℃ Pulse Test 15V １０ ０ ８ 0 ６ ０ ４ ０ Forward Transfer Characteristics Typical） （ Tj 25℃ Pulse Test VDS 10V 5V Drain Current ID A） （ 4V Drain Current ID A） （ 10V 8V 6V ２ ０ ０ ０ VGS ２ ４ ６ ８ １ ０ １ ２ ０ ３ ４ ５ ６ Drain-Source On-State Resistance Ｒ Ｓ ｏ ） Ｄ（ ｎ（Ω） Drain-Source Voltage Ｖ Ｓ Ｄ（Ｖ） Gate-Source Voltage ＶＧＳ （Ｖ） Forward Transconductance ｇｓ ｆ （Ｓ） ２０ ０ １0 ０ ５ ０ Forward Transconductance Vs. Drain Current ０． １ ０ Drain-Source On-State Resistance Vs. Channel Temperature VGS 10V Pulse Test ID 150A ０． ０ ５ ID ２ ０ １ ０ ５ １ VDS 10V Pulse Test Typical Typical Tj 25℃ 75A ２ ５ １ ０ ２ ０ ５ ０ １０ ０ ２０ ０ ０ -０ ８ -０ ４ ０ ４ ０ ８ ０ １０ ２ １０ ６ Drain-Source On-State Resistance Ｒ Ｓ ｏ ） Ｄ（ ｎ（Ω） Ｄ （Ａ） Drain CurrentＩ Channel Temperature Ｔ ｊ （℃） ０． １ ０ Drain-Source On-State Resistance Vs. Drain Current Pulse Test Input Capacitance, Output Capacitance, Reverse Transfer Capacitance （Typical） Capacitance Ｃ Ｐ ） （Ｆ Ciss Tj 100℃ １００ ００ VGS 0V f 1MHz Tj 25℃ Coss ０． ０ ５ Tj 25℃ １０ ００ Crss Tj −25℃ ０ ０ ５ ０ １０ ０ １０ ５ ２０ ０ ２０ ５ ３０ ０ １０ ０ ０ ４ ０ ８ ０ １０ ２ １０ ６ ２０ ０ ２０ ４ Ｄ （Ａ） Drain CurrentＩ Drain-Source Voltage Ｖ Ｓ Ｄ（Ｖ） 17 SF150BA50 ５ ２ Safe Operating Area Pw 10 0μ 1m 10 m D. C. ２０ ０ 10 μ s Forward Voltage of Free Wheeling Diode VGS 0V Pulse Test １２ ０ ５ ２ １ s s s Source Current I（A） S Drain Current ID A） （ １０ ６ １０ ２ ８ ０ １ ０ ５ ４ ０ ０ ０ ２ １０ ０ Tc 25℃ Non-Repetitive ２ ５ １１ ０ ２ ５ １２ ２ ０ ５ １３ ０ ０４ ． ０６ ． ０８ ． １０ ． １２ ． １４ ． Drain-Source Voltage VＤＳ （V） ｓｔ Normalized Transient Thermal Impedanseｒ（ ） ［ ｊｃ ｔ（ ‐ ） θ‐ /Ｒｈｊｃ ］ Source-Drain Voltage VＳＤＳ （V） Thermal Impedance θ - （℃/Ｗ） ｊｃ ５ ２ Transient Thermal Impedance 50ms−10s ２ Normalized Transient Thermal Impedanse Vs. Pulse Width Max. Max. １ -１ ０ ５ D １ -１ ０ ５ 50μs−50ms 0.5 ２ 0.2 0.1 0.05 0.02 0.01 0 ２ １ -２ ０ ５ ２ １ -２ ０ ５ ５ μ１０ ０ μ ５０ １ ０ ０ μ２ ０ ０μ ｍ ２ ｍ ５ ｍ１ ０ ０ ｍ ５ ０ １ ２ ０ ０ ｍ２ ０ ０ｍ ５ １ｍ ２ｍ ｍ０ ０ ５１ ０ ５ｍ ０ ５ μ ０ μ５ ０ １ ０ １０ ０ μ ｍ ５ １ ｍ ５ ｍ０ ｍ５ ０ １ ｍ ０ ０１０ ０ ｍ ５１ ０ Pulse Width ＰＷ （sec） Timeｔ （sec） 18 MOSFET MODULE SF100CB100 SF100CB100 is a isolated power MOSFET module designed for fast swiching applications of high voltage and current with a fast recovery diode（trr≦300ns）reverse connected. The mounting base of the module is electrically isolated from semiconductor elements for simple heatsink construction. ● ID＝100A, UL;E76102 M） （ 108max 93±0.5 D S 4ｰφ6.5 VDSS＝1000V ● Suitable for high speed switching applications. ● Low ON resistance. ● Wide Safe Operating Areas. ● trr≦300ns fast recovery diode for free wheel （Applications） S G 24.0 2ｰM6 2ｰM4 21.0 29.0 36.0max S D ■Maximum Ratings Symbol VDSS VGSS ID IDP -ID PT Tj Tstg VISO Item Drain-Source Voltage Gate-Source Voltage Drain Current Source Current Total Power Dissipation Channel Temperature Storage Temperature Isolation Voltage（R.M.S.） Mounting Torque Mass Mounting M6） （ Terminal（M6） Terminal（M4） A.C. 1minute Recommended Value 2.5-3.9（25-40） Recommended Value 2.5-3.9（25-40） Recommended Value 1.0-1.4（10-14） Typical Value Tc＝25℃ DC Pulse Conditions Unit：A （Tj＝25℃ unless otherwise specified） 25.5max Ratings SF100CB100 1000 ±30 100 200 100 800 −40 to ＋150 −40 to ＋125 2500 4.7（48） 4.7（48） 1.5（15） 460 Ratings Min. Typ. Max. ±0.1 4.0 1000 1.5 3.5 150 15 30 50 16000 2900 1800 19200 4200 2600 150 300 600 300 1.8 300 0.16 0.64 Unit V V A A W ℃ ℃ V N･m （kgf･B） g ■Electrical Characteristics Symbol IGSS IDSS （ DSS V BR） （ VGS th） （ RDS on） （ VDS on） （Tj＝25℃ unless otherwise specified） Conditions VGS＝±20V，VDS＝0V VGS＝0V，VDS＝800V VGS＝0V，ID＝1mA VDS＝VGS，ID＝10mA ID＝100A，VGS＝15V ID＝100A，VGS＝15V VDS＝10A，VD＝75A VGS＝0V，VDS＝25V，f＝1.0MHz VGS＝0V，VDS＝25V，f＝1.0MHz VGS＝0V，VDS＝25V，f＝1.0MHz RL＝6Ω，VGS＝15V/−5V ID＝100A，RG＝2.2Ω −ID＝100A，VGS＝0V −ID＝100A，VGS＝15V，di/dt＝400A/ s μ MOSFET Diode Unit μA mA V V mΩ V S pF pF pF Item Gate Leakage Current Zero Gate Voltage Drain Current Darin-Source Breakdown Voltage Gate-Source Threshold Voltage Drain-Source On-State Resistance Drain-Source On-State Voltage Forward Transconductance Input Capacitance Output Capacitance Reverse Transfer Capacitance Turn-on Delay Time Switching Time Rise Time Turn-off Delay Time Fall Time Diode Forward Voltage Reverse Recovery Time gfs Ciss Coss Crss td on） （ tr td off） （ tf VSDS trr ns ns ℃/W 19 Rth j-c） Thermal Resistance （ 41.5max 48±0.5 63max 20.0 V SF100CB100 １０ ４ １０ ２ Output Characteristics Typical Tj 25℃ Pulse Test 15V 10V 8V １０ ０ ８ 0 Forward Transfer Characteristics Typical VDS 50V Pulse Test Drain Current ID A） （ Drain Current ID A） （ １０ ０ ８ ０ ６ ０ Tj 25℃ Tj 100℃ 6V ６ ０ ４ ０ 5V ４ ０ ２ ０ VGS ２ ０ ０ ０ 4V ０ ０ ２ ４ ６ ８ １ ０ １ ２ １ ４ １ ６ １ ８ ２ ０ １ ２ ３ ４ ５ ６ ７ Drain-Source Voltage VDS（V） Drain-Source On-State Resistance Ｒ Ｓ ｏ ） Ｄ（ ｎ（Ω） Gate-Source Voltage VGS（V） Forward Transconductance ｇｓ ｆ （Ｓ） ２０ ０ １0 ０ ５ ０ Forward Transconductance Vs. Drain Current Drain-Source On-State Resistance Vs. Channel Temperature ０３ ． Typical VGS 15V Pulse Test ID 100A ID 50A Tj 25℃ 100℃ ０２ ． Tj ２ ０ １ ０ ５ ０５ ． Typical VDS 50V Pulse Test ０１ ． １ ２ ５ １ ０ ２ ０ ５ ０ １０ ２０ ０ ０ ０ ０ ２ ０ ４ ０ ６ ０ ８ ０ １０ ０ １０ ２ １０ ４ １０ ６ Drain-Source On-State Resistance Ｒ Ｓ ｏ ） Ｄ（ ｎ（Ω） Drain Current ID（A） Channel Temperature Tj（℃） ０． ２ ０ Drain-Source On-State Resistance Vs. Drain Current 10５ ５ Input Capacitance, Output Capacitance, Reverse Transfer Capacitance （Typical） Capacitance Ｃ Ｐ ） （Ｆ ０． １ ５ 10V VGS ２ 10４ ５ ２ １３ ０ ５ VGS 0V f 1MHz Tj 25℃ (Typical) Ciss 15V Coss ０． １ ０ Typical Tj 25℃ Pulse Test Crss ０． ０ ５ １ ２ ５ １ ０ ２ ０ ５ ０ １０ ２０ ０ ０ ５０ ０ １ -１ ０ ２ ５ １０ ０ ２ ５ １１ ０ ２ ５ １２ ０ Drain Current ID（A） Drain-Source Voltage VDS（V） １ ５ Input Charge Drain Current ID A） （ Typical ID 100A Tj 25℃ Safe Operating Area ２ 10２ ５ ２ 10１ ５ ２ １０ ０ ５ Tc 25℃ Non-Repetitive Pw Pw D.C Pw Pw Gate-Source Voltage ＶＧＳ （Ｖ） １ ０ 50μ s 10 0μ s VDD 250V VDD 400V 1m s 10 ms . ５ ０ ０ ５０ ０ １０ ００ １０ ５０ ２ ５ １１ ０ ２ ５ １２ ０ ２ ５ １３ ０ Gate Charge Ｑ （ Ｃ） ｇｎ Drain-Source Voltage VDS（V） 20 SF100CB100 Reverse Drain Current ーID A） （ ３０ ０ Reverse Recovery Time t ｒ ｒ （ns） Reverse Recovery CurrentＩ （A） ｒ ｒ Reverse Recovery Charge Ｑ ｒ μ ｒ Ｃ） （ Forward Voltage of Free Wheeling Diode １２ ０ ５ ２ １１ ０ ５ ２ １０ ０ ５ Reverse Recovery Characteristics lrr lrr Qrr ２０ ０ Tj 125℃ Qrr Typical dis/dt 100A/μs VGS −5V trr trr Tj Tj Tj 25℃ Typical VGS 0V Pulse Test １０ ０ ２ １ -１ ０ ５ ０ ５ ０ １０ ０ 25℃ 150℃ ０ ０ １０ ． ２０ ． ３０ ． １０ ５ Source-Drain Voltage VＳＤＳ （V） Source CurrentＩ Ｓ （A） Thermal Impedance θ -Ｃ ｊ （℃/Ｗ） １０ ００ Switching Characteristics ５ ２ Transient Thermal Impedance （ＭＯ Ｆ Ｔ） ＳＥ 50msec∼10sec Max. Max. Switching Timeｔ ｎ ） （ｓ ５0 ０ td(off) １ -１ ０ 50μsec∼50msec ２０ ０ １０ ０ tf tr td(on) ５ ２ ５ ０ ２ ０ Tj 25℃ VGS ＋15V −5V VDD 600V Pw 50μs RG 2.2Ω １ -２ ０ ５ ２ ５ １ ０ ２ ０ ５ ０ １０ ０ ２０ ０ Ｄ （A） Drain CurrentＩ ５ μ ０ μ２ ０ ５ ０ １ ２ ０ １０ ０ μ ０ μ ｍ ｍ ５ ｍ ０ ｍ２ ０ ０ ｍ １ ２ ０ １ ０ ０ ｍ５ ０ ５ １ ｍ２ ｍ ５ ｍ ｍ０ ０ ０ ５１ ０ Timeｔ （sec） Thermal Impedance θ -Ｃ ｊ （℃/Ｗ） １０ ０ ５ 50μsec∼50msec Transient Thermal Impedance Ｉ Ｄ （Ｄ Ｏ Ｅ） 50msec∼10sec Max. Max. ２ １ -１ ０ ５ ２ １ -２ ０ ５ ２ ５ μ ０ μ２ ０ ５ ０ １ ２ ０ １０ ０ μ ０ μ ｍ ｍ ５ ｍ ０ ｍ２ ０ ０ ｍ １ ２ ０ １ ０ ０ ｍ５ ０ ５ １ ｍ２ ｍ ５ ｍ ｍ０ ０ ０ ５１ ０ Timeｔ （sec） 21