PE250HB160

THYRISTOR MODULE PK(PD,PE)250HB UL;E76102 M） （ Power Thyristor/Diode Module PK250HB series are designed for various rectifier circuits and power controls. For your circuit application. following internal connections and wide voltage ratings up to 1,600V are available. Isolated mounting base ● IT AV）250A, IT RMS）310A, ITSM 5500A （ （ ● di/dt 200 A/μs ● dv/dt 500V/μs （Applications） Various rectifiers AC/DC motor drives Heater controls Light dimmers Static switches Internal Configurations 92 12 26 26 7 4- （M5） φ6 5 12 5 K1G1 K2G2 18 2 M8×14 ♯110TAB （2.8.0.5T） K2 G2 3 2 60 48 24 R8.0 52 80±0.3 A1K2 （K2） K1 （A2） G1 1 3 2 A1K2 （K2） K1 （A2） G1 1 3 2 A1K2 （K2） K1 （A2） 1 PK PD PE ■Maximum Ratings Symbol VRRM VRSM VDRM Symbol （ IT RMS） Item ＊Repetitive Peak Reverse Voltage ＊Non-Repetitive Peak Reverse Voltage Repetitive Peak Off-State Voltage Item ＊R.M.S. On-State Current ＊Surge On-State Current ＊I t 2 PK250HB120 PE250HB120 Ratings PD250HB120 PK250HB160 PE250HB160 33 K2 K2 G2 42max 34max Unit：A PD250HB160 Unit V V V 1200 1300 1200 Conditions Single phase, half wave, 180° conduction, Tc：72℃ Single phase, half wave, 180° conduction, Tc：72℃ 1 cycle, ／ 2 1600 1700 1600 Ratings 250 390 5000/5500 125000 10 3 3 10 5 Unit A A A A2S W W A V V A/ s μ V ℃ ℃ N･ｍ （㎏f･B） g （ IT AV） ＊Average On-State Current ITSM It 2 50Hz/60Hz, peak Value, non-reqetitive Value for one cycle of surge current PGM （ PG AV） Peak Gate Power Dissipation Average Gate Power Dissipation Peak Gate Current Peak Gate Voltage（Forward） Peak Gate Voltage（Reverse） Critical Rate of Rise of On-State Current ＊Operating Junction Temperature ＊Storage Temperature Mounting Torque Mass Mounting（M5） Recommended Value 1.5-2.5（15-25） Terminal（M8） Recommended Value 8.8-10 （90-105） Typical Value IG＝100mA， ＝25℃， D＝1 2VDRM， G/dt＝0.1A/ s Tj V／ dI μ ＊Isolation Breakdown Voltage （R.M.S.） A.C. 1 minute IFGM VFGM VRGM di/dt VISO Tj Tstg 200 2500 −40 to ＋125 −40 to ＋125 2.7（28） 11（115） 510 ■Electrical Characteristics Symbol IDRM IRRM VTM IGT/VGT VGD tgt dv/dt IH IL Item Repetitive Peak Off-State Current, max. ＊Repetitive Peak Reverse Current, max. ＊Peak On-State Voltage, max. Gate Trigger Current/Voltage, max. Non-Trigger Gate, Voltage. min. Turn On Time, max. Critical Rate of Rise of Off-State Voltage, min. Holding Current, typ. Lutching Current, typ. Conditions at VDRM, Single phase, half wave, Tj＝125℃ at VDRM, Single phase, half wave, Tj＝125℃ On-State Current 750A, Tj＝125℃ Inst. measurement Tj＝25℃，IT＝1A，VD＝6V Tj＝125℃，VD＝1 2VDRM ／ IT＝250A，G＝100mA， ＝25℃， D＝1 2VDRM， G/dt＝0.1A/μs I Tj V／ dI Tj＝125℃，VD＝2 3VDRM，Exponential wave. ／ Tj＝25℃ Tj＝25℃ Junction to case Ratings 50 50 1.60 100/3 0.25 10 500 50 100 0.14 Unit mA mA V mA/V V μs V/ s μ mA mA ℃/W Rth j-c）＊Thermal Impedance, max. （ ＊mark：Thyristor and Diode part. No mark：Thyristor part 33 ２ １１ ０ Gate Characteristics Peak Forward Gate Voltag （10V） P （ eak 10 G W at ）e Ga te ５ ２ １０ ０ ５ ２ 25℃ 125℃ Maximum Gate Non-Trigger Voltage Po we （ r Peak Gate Current （3A） Av er ag e Po we r −30℃ １ ０１ １ ０ − １ ２ ５ １２ ０ ２ ５ １３ ０ ２ Gate Current （mA） Allowable Case Temperature （℃） ６０ ０ Average On-State Current Vs Power Dissipation （Single phase half wave） Per one element ５０ ０ ４０ ０ θ θ ＝90゜ ＝120゜ θ ＝60゜ θ ＝30゜ θ ＝180゜ ３０ ０ ２０ ０ 360 。 １０ ０ ０ ０ : Conduction Angle １０ ０ ２０ ０ ３０ ０ Average On-State Current （A） Transient Thermal Impedance θ （℃/W） j-c ６０ ００ Surge On-State Current Rating （Non-Repetitive） Per one element Ｔ ＝ ５ start ｊ２℃ Surge On-State Current （A） ５０ ００ ４０ ００ 60Hz ３０ ００ ２０ ００ １０ ００ ００ １ ０ 50Hz ; PK(PD,PE)250HB ２ On-State Characteristics Tj＝125℃ On-State Current （A） １３ ０ Gate Voltage （V） ５ ２ 3W ） １２ ０ ５ ２ ５ １１ ０ ０５ ． １０ ． １５ ． ２０ ． ２５ ． ３０ ． On-State Voltage （V） １０ ４ １０ ２ １０ ０ ８ ０ ６ ０ Average On-State Current Vs Maximum Allowable Case Temperature （Single phase half wave） Per one element D.C. Power Dissipation （W） 2 360 。 θ Conduction Angle :：Conduction Angle 2 θ ＝30゜ θ ＝120゜ θ ＝180゜ ＝60゜ θ ＝90゜ θ D.C. ４０ ０ ４ ０ ０ １０ ０ ２０ ０ ３０ ０ ４０ ０ Average On-State Current （A） ０２ ． Transient Thermal Impedance Maximum ０１ ． Junction to Case Per one element ２ ５ １１ ０ ２ ５ １２ ０ ０ -３ １ ０２ Time （cycles） W3 Total Power Dissipation （W） B6 Id Ar.m.s.） （ Allowable Case Temperature （℃） ７ ０ ８ ０ ７ ０ Id Aav.） （ Id Aav.） （ ７ ０ ８ ０ Id Ar.m.s.） （ ２０ ００ １０ ６０ １０ ２０ ８０ ０ ４０ ０ Conduction Angle θ 180° ８ ０ Rth Rth Rth Rth Rth Rth f-a:0.5℃/W ９ ０ f-a:0.4℃/W f-a:0.3℃/W f-a:0.2℃/W ０ f-a:0.1℃/W １ ０ f-a: 0.05℃/W Rth Rth Rth Rth Rth Rth f-a:0.5℃/W f-a:0.4℃/W f-a:0.3℃/W f-a:0.2℃/W f-a:0.1℃/W f-a: 0.05℃/W B2 R th Rth Rth Rth Rth Rth f-a:0.5℃/W f-a:0.4℃/W ０ f-a:0.3℃/W ９ f-a:0.2℃/W f-a:0.1℃/W f-a: 0.05℃/W １ ０ ０ ９ ０ １０ ０ １０ １ １０ ２ １５ ２ W1 １０ １ １０ ２ １５ ２ １０ １ １０ ２ １５ ２ ０ ０ ２０ ０ ４０ ０ ６０ ０ ０ ２ ４ ６ ８ １ ０１ ０ ０ ０ ０ ００ ２ ０ ２ ４ ６ ８ １ ０１ ０ ０ ０ ０ ００ ２ ０ ２ ４ ６ ８ １ ０１ ０ ０ ０ ０ ００ ２ Output Current （A） Ambient Temperature （℃） Ambient Temperature （℃） Ambient Temperature （℃） Allowable Case Temperature （℃） ２０ ４０ Output Current W１ Bidirectional connection ； Time t sec） （ B６ Six pulse bridge connection ； Ｗ３ Three phase ； bidiretional connection B２ ；Two Pluse bridge connection ５ １ -２ ２ ０ ５ １ -１ ２ ０ ５ １０ ２ ０ ５ １１ ０ 34