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SBA500A40

SBA500A40

  • 厂商:

    SANREX

  • 封装:

  • 描述:

    SBA500A40 - MODULE - SanRex Corporation

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SBA500A40 数据手册
サイリスタモジュール SBA500AA UL:E76102 M) ( SanRexパワーサイリスタモジュールSBA500AAシリーズは、大電力の制 御、整流の全ての用途に応用できます。 (特徴) ● 2素子入り絶縁形モジュールです。 ● 定格臨界オン電流上昇率は200A/ μsです。 ● 最小臨界オフ電圧上昇率は500V/ μsです。 ● ● 表面処理にガラスパッシベーションを採 K1 138max 60±0.2 60±0.2 K1 A2 4 2 5 7 6φ6.5 (主な用途) ● 各種整流回路、交直流モーター制御、電気 豊富なシリーズが有り、逆並列接続、ブリ ッジ接続等の組み合わせが容易です。 3 1 6 8 K2 G1 炉、調光装置、静止スイッチ K1 A2 47±1 A1 28±1 60±1 K2 28±1 4-M4 depth8㎜ 4-M8 depth15㎜ るため、同一の放熱体に複数個のモジュー ルを取付けることができ、組立が容易です。 K1 G1 G2 K2 A1 K2 66max ● 主電極と金属ベースとの間が絶縁されてい 単位:A ■最大定格 記 号 VDRM VRSM VRRM 記 号 (AV) IT (RMS) IT 項     目 ピーク繰返し逆電圧 ピーク非繰返し逆電圧 ピーク繰返しオフ電圧 項     目 平均オン電流 実効オン電流 サージオン電流 電流二乗時間積 ピークゲート損失 平均ゲート損失 ピークゲート順電流 ピークゲート順電圧 ピークゲート逆電圧 臨界オン電流上昇率 絶縁耐圧 接合部温度 保存温度 取付け (M6) 締付トルク 端 子 (M8) 制御端子(M4) 質量 SBA500A40 400 480 400 (特にことわらない限り Tj=25℃) 定格値 単 位 SBA500AA80 SBA500AA120 SBA500AA160 800 1200 1600 V 960 1350 1700 V 800 1200 1600 V 定格値 500 785 9.1/10.0 416 15 5 5 10 5 単位 A A kA kA2S W W A V V A/ μs V ℃ ℃ N・m (kgf・B) N・m (kgf・B) N・m (kgf・B) g 単位 mA mA V mA V V V/ μs ℃/W 条          件 単相半波平均値,180° 導通角,ケース温度66℃ 単相半波実効値,180° 導通角,ケース温度66℃ 50Hz/60Hz商用単相半波1サイクル波高値,非繰返し 定格サージオン電流に対する値 ITSM I2t PGM (AV) PG IFGM VFGM VRGM di/dt VISO Tj Tstg IG=200mA, D=1 2VDRM, G/dt=0.2A/ V / dI μs A.C. 1分間 200 2500 −40∼+125 −40∼+125 推奨値 2.5∼3.9 (推奨値  25∼40) 推奨値 8.8∼10 (推奨値  90∼105) 推奨値 1.0∼1.4 (推奨値  10∼14) 標準値 4.7 (48) 11.0 (115) 1.5 (15) 1100 ■電気的特性 記 号 IDRM IRRM VTM IGT VGT VGD dv/dt 項     目 最大オフ電流 最大逆電流 最大オン電圧 最大ゲートトリガ電流 最大ゲートトリガ電圧 最小ゲート非トリガ電圧 最小臨界オフ電圧上昇率 条          件 定格ピーク繰返しオフ電圧に於て,単相半波 Tj=125℃ 定格ピーク繰返し逆電圧に於て,単相半波 Tj=125℃ オン電流波高値1500A,瞬時測定 VD=6V,IT=1A VD=6V,IT=1A Tj=125℃,VD=1 2VDRM / Tj=125℃,VD=2 3VDRM,指数関数波形 / 接合部−ケース間 規格値 150 150 1.45 200 3 0.25 500 0.085 Rth j-c) 最大熱抵抗 ( 31 8 48±1 用しているので、高信頼度が得られます。 78max 60±0.2 13.5 13.5 SBA500AA 10 0 5 0 2 0 ゲー ト ト リガ特性 100 00 最大オン状態特性 Pe 25℃ −40℃ 05 . 02 . 01 . 1 0 2 0 125℃ Maximum Gate Non-Trigger Voltage Peak Gate Current (5A) ゲ1 0 ー ト5 電 圧2 (V) 1 Peak Forward Gate Voltag (10V) Ga te Po Av we era ( r ge 15 Ga W te ) Po we (5 r W) ak オ ン 20 00 電 流 ︵ 00 波 10 高 値 50 0 ︶ (A) 20 0 10 0 05 . 1 15 . 50 00 T= 5 j2 ℃ Maximum 0 5 10 20 00 50 10 20 0 00 00 50 100 00 00 2 25 . ゲート電流(mA) オン電圧(V) 10 20 10 00 0 電 80 力 損 0 失 60 (W) 40 0 20 0 最大電力損失特性 〈単相半波〉 Per one element 10 3 10 2 D.C. 平均電流対最大許容ケース温度 〈単相半波〉 Per one element 10 8゜ 12 ゜ 0 9゜ 0 6゜ 0 3゜ 0 0 θ 360゜ θ:Conduction Angle π 2 π 1 最 10 大 10 0 許 容9 0 ケ ー8 0 ス 温7 0 度 6 0 (℃) 5 0 80 0 4 0 0 0 π θ 360゜ 2 π θ:Conduction Angle 3゜ 0 6 ゜ 9 ゜ 10 10 0 0 2゜ 8゜ D.C. 0 0 10 0 20 0 30 0 40 0 50 60 0 0 70 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 0 0 0 0 0 0 0 0 0 平均オン電流(A) 平均電流(A) 100 20 サージ電流耐量 〈非繰返し〉 Per one element Tj=25℃ start 01 . 最大過渡熱インピーダンス Per one element サ 00 ー1 0 0 ジ オ 00 ン 80 電 流 60 00 ︵ 波 00 高 40 値 ︶ 20 00 (A) 0 1 2 5 60Hz 50Hz 過 . 8 渡 00 熱 イ ン 00 . 6 ピ ー ダ 00 . 4 ン ス θ 00 j-c . 2 (℃/W) 10 0 Junction to Case 1 0 2 0 5 0 0 -3 1 0 1 -2 0 1 -1 0 10 0 11 0 12 0 通電時間(サイクル数) 時 間 t(秒)
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