SBA500AA120

サイリスタモジュール SBA500AA UL:E76102 M） （ SanRexパワーサイリスタモジュールSBA500AAシリーズは、大電力の制 御、整流の全ての用途に応用できます。 （特徴） ● 2素子入り絶縁形モジュールです。 ● 定格臨界オン電流上昇率は200A/ μsです。 ● 最小臨界オフ電圧上昇率は500V/ μsです。 ● ● 表面処理にガラスパッシベーションを採 K1 138max 60±0.2 60±0.2 K1 A2 4 2 5 7 6φ6.5 （主な用途） ● 各種整流回路、交直流モーター制御、電気 豊富なシリーズが有り、逆並列接続、ブリ ッジ接続等の組み合わせが容易です。 3 1 6 8 K2 G1 炉、調光装置、静止スイッチ K1 A2 47±1 A1 28±1 60±1 K2 28±1 4-M4 depth8㎜ 4-M8 depth15㎜ るため、同一の放熱体に複数個のモジュー ルを取付けることができ、組立が容易です。 K1 G1 G2 K2 A1 K2 66max ● 主電極と金属ベースとの間が絶縁されてい 単位：A ■最大定格 記 号 VDRM VRSM VRRM 記 号 （AV） IT （RMS） IT 項     目 ピーク繰返し逆電圧 ピーク非繰返し逆電圧 ピーク繰返しオフ電圧 項     目 平均オン電流 実効オン電流 サージオン電流 電流二乗時間積 ピークゲート損失 平均ゲート損失 ピークゲート順電流 ピークゲート順電圧 ピークゲート逆電圧 臨界オン電流上昇率 絶縁耐圧 接合部温度 保存温度 取付け （M6） 締付トルク 端 子 （M8） 制御端子（M4） 質量 SBA500A40 400 480 400 （特にことわらない限り Tj＝25℃） 定格値 単 位 SBA500AA80 SBA500AA120 SBA500AA160 800 1200 1600 V 960 1350 1700 V 800 1200 1600 V 定格値 500 785 9.1/10.0 416 15 5 5 10 5 単位 A A kA kA2S W W A V V A/ μs V ℃ ℃ N･ｍ （kgf･B） N･ｍ （kgf･B） N･ｍ （kgf･B） g 単位 mA mA V mA V V V/ μs ℃/W 条          件 単相半波平均値，180° 導通角，ケース温度66℃ 単相半波実効値，180° 導通角，ケース温度66℃ 50Hz/60Hz商用単相半波1サイクル波高値，非繰返し 定格サージオン電流に対する値 ITSM I2t PGM （AV） PG IFGM VFGM VRGM di/dt VISO Tj Tstg IG＝200mA， D＝1 2VDRM， G/dt＝0.2A/ V ／ dI μs A.C. 1分間 200 2500 −40∼＋125 −40∼＋125 推奨値 2.5∼3.9 （推奨値  25∼40） 推奨値 8.8∼10 （推奨値  90∼105） 推奨値 1.0∼1.4 （推奨値  10∼14） 標準値 4.7 （48） 11.0 （115） 1.5 （15） 1100 ■電気的特性 記 号 IDRM IRRM VTM IGT VGT VGD dv/dt 項     目 最大オフ電流 最大逆電流 最大オン電圧 最大ゲートトリガ電流 最大ゲートトリガ電圧 最小ゲート非トリガ電圧 最小臨界オフ電圧上昇率 条          件 定格ピーク繰返しオフ電圧に於て，単相半波 Tj＝125℃ 定格ピーク繰返し逆電圧に於て，単相半波 Tj＝125℃ オン電流波高値1500A，瞬時測定 VD＝6V，IT＝1A VD＝6V，IT＝1A Tj＝125℃，VD＝1 2VDRM ／ Tj＝125℃，VD＝2 3VDRM，指数関数波形 ／ 接合部−ケース間 規格値 150 150 1.45 200 3 0.25 500 0.085 Rth j-c） 最大熱抵抗 （ 31 8 48±1 用しているので、高信頼度が得られます。 78max 60±0.2 13.5 13.5 SBA500AA １０ ０ ５ ０ ２ ０ ゲー ト ト リガ特性 １００ ００ 最大オン状態特性 Pe 25℃ −40℃ ０５ ． ０２ ． ０１ ． １ ０ ２ ０ 125℃ Maximum Gate Non-Trigger Voltage Peak Gate Current （5A） ゲ１ ０ ー ト５ 電 圧２ （V） １ Peak Forward Gate Voltag （10V） Ga te Po Av we era （ r ge 15 Ga W te ） Po we （5 r W） ak オ ン ２０ ００ 電 流 ︵ ００ 波 １０ 高 値 ５０ ０ ︶ （A） ２０ ０ １０ ０ ０５ ． １ １５ ． ５０ ００ Ｔ= ５ ｊ２ ℃ Maximum ０ ５ １０ ２０ ００ ５０ １０ ２０ ０ ００ ００ ５０ １００ ００ ００ ２ ２５ ． ゲート電流（mA） オン電圧（V） １０ ２０ １０ ００ ０ 電 ８０ 力 損 ０ 失 ６０ （W） ４０ ０ ２０ ０ 最大電力損失特性 〈単相半波〉 Per one element １０ ３ １０ ２ D.C. 平均電流対最大許容ケース温度 〈単相半波〉 Per one element １０ ８゜ 12 ゜ ０ ９゜ ０ ６゜ ０ ３゜ ０ 0 θ 360゜ θ：Conduction Angle π ２ π １ 最 １０ 大 １０ ０ 許 容９ ０ ケ ー８ ０ ス 温７ ０ 度 ６ ０ （℃） ５ ０ ８０ ０ ４ ０ ０ 0 π θ 360゜ ２ π θ：Conduction Angle ３゜ ０ ６ ゜ ９ ゜ １０ １０ ０ ０ ２゜ ８゜ D.C. ０ ０ １０ ０ ２０ ０ ３０ ０ ４０ ０ ５０ ６０ ０ ０ ７０ ０ １０ ２０ ３０ ４０ ５０ ６０ ７０ ８０ ９０ ０ ０ ０ ０ ０ ０ ０ ０ ０ 平均オン電流（A） 平均電流（A） １００ ２０ サージ電流耐量 〈非繰返し〉 Per one element Tj＝25℃ start ０１ ． 最大過渡熱インピーダンス Per one element サ ００ ー１ ０ ０ ジ オ ００ ン ８０ 電 流 ６０ ００ ︵ 波 ００ 高 ４０ 値 ︶ ２０ ００ （A） ０ １ ２ ５ 60Hz 50Hz 過 ． ８ 渡 ００ 熱 イ ン ００ ． ６ ピ ー ダ ００ ． ４ ン ス θ ００ j-c ． ２ （℃/W） １０ ０ Junction to Case １ ０ ２ ０ ５ ０ ０ -３ １ ０ １ -２ ０ １ -１ ０ １０ ０ １１ ０ １２ ０ 通電時間（サイクル数） 時 間 t（秒）