SMG04C60

THYRISTOR SMG04C60 Thyristor SMG04C60 is designed for full wave AC, DC control applications. It can be used as an ON/OFF function or for phase control operation. 5.0±0.2 4.0±0.2 5.0±0.2 TO92 Typical Applications ● ● Home Appliances : Electric Blankets, Starter for FL Industrial Use : SMPS, Solenoid for Breakers, Motor Controls, Heater Controls 2.3±0.2 2.0MAX 3 1 Features IT(AV)=0.4A ● High Surge Current ● Low Voltage Drop ● 13.5±0.5 0.45+0.2 - 0.1 0.45+0.2 - 0.1 2 1 Gate 2A 3K 1 2 3 2.50+0.6 - 0.2 2.50+0.6 - 0.2 Identifying Code：S04C6 Unit：mm ■Maximum Ratings Symbol VRRM VRSM VDRM IT AV） （ IT RMS） （ ITSM It 2 （Tj=25℃ unless otherwise specified） Item Repetitive Peak Reverse Voltage Non-Repetitive Peak Reverse Voltage Repetitive Peak Off-State Voltage Average On-State Current R.M.S. On-State Current Surge On-State Current It 2 Reference Ratings 600 720 600 Unit V V V A A A A2S W W A V V ℃ ℃ g Single phase, half wave, 180°conduction, Ta＝55℃ , Single phase, half wave, 180°conduction, Ta＝55℃ , 50/60Hz, 1 ／ 2 0.4 0.63 9.1/10 0.4 0.5 0.1 0.3 6 6 −40∼＋125 −40∼＋125 0.2 cycle Peak value, non-repetitive PGM （ PG AV） Peak Gate Power Dissipation Average Gate Power Dissipation Peak Gate Current Peak Gate Voltage Forward） （ Peak Gate Voltage Reverse） （ Operating Junction Temperature Storage Temperature Mass IFGM VFGM VRGM Tj Tstg ■Electrical Characteristics Symbol IDRM IRRM VTM IGT VGT VGD IH （ Rth j-a） Item Repetitive Peak Off-State Current Repetitive Peak Reverse Current Peak On-State Voltage Gate Trigger Current Gate Trigger Voltage Non-Trigger Gate Voltage Holding Current Thermal Resistance Reference Tj＝125℃, VD＝VDRM, RGK＝1kΩ Tj＝125℃, VR＝VRRM, RGK＝1kΩ IT＝1.2A, Inst. measurement VD＝6V, RL＝100Ω Tj＝125℃, VD＝1 2VDRM, RGK＝1kΩ ／ Junction to ambient Ratings Min. Typ. Max. 0.5 0.5 1.2 100 0.8 0.2 300 150 Unit mA mA V μA V V μA ℃/W SMG04C60 １ ０ Gate Characteristics .5W r0 e（ ow te P Ga ak Pe Peak Gate Voltage V） （６ １ ０ ge era Av On-State Voltage（MAX） Ｔ= ５ ｊ２ ℃ １ Peak Gate Current . A） （０３ On-State Current A） （ １０ ００ Gate Voltage （V） １ ．W r （０ we Po te Ga ） １ ） ２℃ ５ Non-Trigger Gate Voltage (0.2V) ０１ . ００ .１ ０１ . １ １ ０ １０ ０ ０１ . ０ ０５ . １ １５ . ２ ２５ . ３ Gate Current mA） （ On-State Voltage （V） ０５ . Average On-State Current vs Power Dissipation （Single phase half wave） θ１ ０ ＝８゜ θ１ ０ ＝２゜ θ９ ゜ ＝０ １０ ３ Average On-State Current vs Ambient Temperature （Single phase half wave） ０ π θ ３０ ６゜ 2π ０４ . θ６ ゜ ＝０ θ３ ゜ ＝０ Ambient Temperature （℃） １０ ２ １０ １ １０ ０ ９ ０ ８ ０ ７ ０ ６ ０ ５ ０ ４ ０ ０ θ３ ゜ ＝０ θ６ ゜ ＝０ Power Dissipation （W） θ Conduction Angle ： ０３ . ０２ . ０ π θ ３０ ６゜ 2π ０１ . ０ ０ θ Conduction Angle ： θ９ ゜ θ １ ０ ＝０ ＝２゜ θ１ ０ ＝８゜ ００ ０１ ０１ ０２ ０２ ０３ ０３ ０４ ０４ .５ . .５ . .５ . .５ . .５ ００ ０１ ０１ ０２ ０２ ０３ ０３ ０４ ０４ .５ . .５ . .５ . .５ . .５ Average On-State Current （A） Average On-State Current （A） １ ２ Transient Thermal Impedance （℃／W） Surge On-State Current Rating             （Non-Repetitive） １０ ００ Maximum Transient Thermal Impedance Characteristics Surge On-State Current A） （ １ ０ ８ ６ ４ ２ ０ １ ６ HZ ０ ５ HZ ０ １０ ０ １ ０ １ ０ １０ ０ １ ００ １ .０ ００ .１ ０１ . １ １ ０ １０ ０ １０ ００ Time （Cycles） Time （sec.） １０ ００ IGT −Tj ［Change Rate］ （Typical） Gate Trigger Voltage （V） −０ ２ ０ ２ ０ ４ ０ ６ ０ ８ ０ １０ １０ １０ ０ ２ ４ １ ０９ . VGT −Tj （Typical） IGT （t℃） ×100 （％） IGT ２ ℃） （５ ０８ . ０７ . ０６ . ０５ . ０４ . ０３ . ０２ . ０１ . ０ −０ ４ −０ ２ ０ ２ ０ ４ ０ ６ ０ ８ ０ １０ １０ １０ ０ ２ ４ １０ ０ １ ０ −０ ４ Junction Temp. （℃） Junction Temp. （℃）