SMG08C60A

THYRISTOR( Surface Mount Device/Non-isolated) SMG08C60A Thyristor SMG05C60A is designed for full wave AC control applications. It can be used as an ON/OFF function or for phase control operation. Typical Applications ● ● 2.45 0.15 ± 4.1 0.15 ± 4.5 0.1 ± 1.6 0.2 ± ( Sensitive Gate) 1.5 0.1 ± TO-89 2 Home Appliances : Electric Blankets, Starter for FL, other control applications Industrial Use : SMPS, Solenoid for Breakers, Motor Controls, Heater Controls, other control applications 1 1 0.1 ± 2 3 0.42 0.1 ± 0.46 0.1 ± （1.5） 2.2 0.9 0.4 0.05 ± 3 1 3 0.1 ± Features 45゜ 45゜ IT(AV)=0.5A ● High Surge Current ● Lead-Free Package ● 1.0 1.5 3.0 1.0 1.5 1.0 3.7 2 1.5 1.8 1 Gate 2A 3K Identifying Code：S05C6A Unit：mm ■Maximum Ratings Symbol VRRM VRSM VDRM IT AV） （ IT RMS） （ ITSM I2t PGM （ PG AV） （Tj=25℃ unless otherwise specified） Item Repetitive Peak Reverse Voltage Non-Repetitive Peak Reverse Voltage Repetitive Peak Off-State Voltage Average On-State Current R.M.S. On-State Current Surge On-State Current I2t Peak Gate Power Dissipation Average Gate Power Dissipation Peak Gate Current Peak Gate Voltage Forward） （ Peak Gate Voltage Reverse） （ Operating Junction Temperature Storage Temperature Mass Reference Ratings 600 720 600 Unit V V V A A A A2S W W A V V ℃ ℃ g Single phase, half wave, 180°conduction, Tc＝46℃ , Single phase, half wave, 180°conduction, Tc＝46℃ , 50Hz/60Hz, 1 ／ 2 0.8 1.3 18/20 1.65 0.5 0.1 0.3 6 6 −40∼＋125 −40∼＋150 0.05 cycle Peak value, non-repetitive IFGM VFGM VRGM Tj Tstg ■Electrical Characteristics Symbol IDRM IRRM VTM IGT VGT VGD IH （ Rth j-a） Item Repetitive Peak Off-State Current Repetitive Peak Reverse Current Peak On-State Voltage Gate Trigger Current Gate Trigger Voltage Non-Trigger Gate Voltage Holding Current Thermal Resistance Reference Tj＝125℃, VD＝VDRM, RGK＝1kΩ Tj＝125℃, VR＝VRRM, RGK＝1kΩ IT＝2.5A, Inst. measurement VD＝6V, RL＝100Ω Tj＝125℃, VD＝1 2VDRM, RGK＝1kΩ ／ Junction to ambient Ratings Min. Typ. Max. 0.5 0.5 1.5 100 0.8 0.2 300 65 Unit mA mA V μA V V μA ℃/W SMG08C60A １ ０ Gate Characteristics VFGM （6V） １ ０ On-State Voltage （MAX） Ｔ= ５ ｊ２ ℃ Ｔ= ２ ℃ ｊ１ ５ PG （0.1W） （AV） On-State Current A） （ PGM （0.5W） Gate Voltage （V） １ IFGM （0.3A） １ 25℃ VGD 0.2V） （ ０１ ． 0.0 １ 0. １ １ １ ０ 100 1000 ０１ . ０ ０５ . １ １５ . ２ ２５ . ３ ３５ . Gate Current mA） （ On-State Voltage （V） Average On-State Current vs Power Dissipation （Single phase half wave） 1.4 Power Dissipation （W） 1.2 1 0.8 0.6 0.4 0.2 ０ ０ ０ .1 ０ .2 ０ .3 ０ .4 ０ .5 ０ .6 ０ θ ３０ ６゜ π 2π Average On-State Current vs Ambient Temperature （Single phase half wave） Ambient Temperature（℃） 120 ０ π θ ３０ ６゜ 2π θ＝150゜ θ＝120゜ θ ＝90゜ θ ＝60゜ θ ＝30゜ θ＝180゜ 100 80 60 40 20 θ ＝30゜ θ Conduction Angle ： θ Conduction Angle ： ＝150゜ θ ＝60゜ θ ＝90゜ θ ＝120゜ θ θ ＝180゜ ０ .7 ０ .8 ０ .9 0 ０ ０ .1 ０ .2 ０ .3 ０ .4 ０ .5 ０ .6 ０ .7 ０ .8 ０ .9 Average On-State Current A） （ Average On-State Current A） （ １０ ２ １０ ０ ８ ０ ６ ０ ４ ０ ２ ０ ０ １ １ ０ １０ ０ ６ Hz ０ ５ Hz ０ Transient Thermal Impedance （℃/W） １０ ４ Surge On-State Current Rating （Non-Repetitive） １０ ０ Maximum Transient Thermal Impedance Characteristics Surge On-State Current A） （ １ ０ Time （Cycles） １ ００ .１ ０１ . １ １ ０ １０ ０ １０ ００ Time （Sec.） Gate Trigger Voltage （V） １０ ００ IGT −Tj Change Rate （Typical） 1 0.9 0.8 0.7 0.6 0.5 0.4 0.3 0.2 0.1 VGT −Tj （Typical） IGT （t℃） ×100 （％） IGT ２ ℃） （５ １０ ０ １ ０ −０ ５ −５ ２ ０ ２ ５ ５ ０ ７ ５ １０ ０ １５ ２ 0 −０ ５ −５ ２ ０ ２ ５ ５ ０ ７ ５ １０ ０ １５ ２ Junction Temp.（℃） Junction Temp. （℃） SMG08C60A 150 140 VD −Tj Change Rate （Typical） VD RGK=rkΩ） （ ×100 （％） VD RGK=1kΩ） （ RGK=1kΩ 120 100 80 60 40 20 VD −RGK Change Rate （Typical） Tj=125℃ VD t℃） （ ×100 （％） VD ２ ℃） （５ 130 120 110 100 90 80 70 60 50 −０ ５ −５ ２ ０ ２ ５ ５ ０ ７ ５ １０ ０ １５ ２ 0 1 10 100 Junction Temp. （℃） Gate Cathode Resistance（KΩ） 1000 IH −RGK Change Rate （Typical） Tj=25℃ 150 140 VR −Tj Change Rate （Typical） IH RGK=rkΩ） （ ×100 （％） IH RGK=1kΩ） （ IH t℃） （ ×100 （％） IH 25℃） （ 1 10 100 130 120 110 100 90 80 70 60 50 −０ ５ 100 10 0.1 −５ ２ ０ ２ ５ ５ ０ ７ ５ １０ ０ １５ ２ Gate Cathode Resistance（KΩ） Junction Temp. （℃） 3