SMG16C60F

THYRISTOR( Through Hole/Isolated) SMG16C60F Thyristor SMG16C60F is designed for full wave AC control applications. It can be used as an ON/OFF function or for phase control operation. 10.5±0.3 3.2±0.3 4.7±0.2 2.7±0.2 TO-220F Typical Applications ● ● 9.7±0.3 Home Appliances : Electric Blankets, Starter for FL, other control applications Industrial Use : SMPS, Solenoid for Breakers, Motor Controls, Heater Controls, other control applications 1 16.0±0.3 φ3.2 ±0 .2 3 2.6±0.2 Features 0.60±0.15 3.0±0.3 13.0±0.5 1.1±0.2 1.4±0.2 IT(AV)=16A High Surge Current ● Low Voltage Drop ● Lead-Free Package ● ● 2 1K 2A 3 Gate 0.6±0.15 1 2 3 2.54±0.25 5.08±0.5 Identifying Code：S16C6F Unit：mm ■Maximum Ratings Symbol VRRM VRSM VDRM IT AV） （ IT RMS） （ ITSM I2t PGM （ PG AV） （Tj=25℃ unless otherwise specified） Item Repetitive Peak Reverse Voltage Non-Repetitive Peak Reverse Voltage Repetitive Peak Off-State Voltage Average On-State Current R.M.S. On-State Current Surge On-State Current I2t Peak Gate Power Dissipation Average Gate Power Dissipation Peak Gate Current Peak Gate Voltage Forward） （ Peak Gate Voltage Reverse） （ Isolation Breakdown（R.M.S.） Operating Junction Temperature Storage Temperature Mass A.C 1minute Reference Ratings 600 720 600 Unit V V V A A A A2S W W A V V V ℃ ℃ g Single phase, half wave, 180°conduction, Tc＝58℃ , Single phase, half wave, 180°conduction, Tc＝58℃ , 50Hz/60Hz, 1 ／ 2 16 25.1 240/263 288 5 0.5 2 6 10 1500 −40∼＋125 −40∼＋150 2 cycle Peak value, non-repetitive IFGM VFGM VRGM VISO Tj Tstg ■Electrical Characteristics Symbol IDRM IRRM VTM IGT VGT VGD IH （ Rth j-c） Item Repetitive Peak Off-State Current Repetitive Peak Reverse Current Peak On-State Voltage Gate Trigger Current Gate Trigger Voltage Non-Trigger Gate Voltage Holding Current Thermal Resistance Reference Tj＝125℃, VD＝VDRM, Tj＝125℃, VR＝VRRM, IT＝35A, Inst. measurement VD＝6V, RL＝10Ω Tj＝125℃, VD＝1 2VDRM, ／ Ratings Min. Typ. Max. 2 2 1.5 30 1.4 0.2 15 3 Unit mA mA V mA V V mA ℃/W Junction to case SanRex 50 Seaview Blvd. Port Washington, NY 11050 PH(516)625-1313 FX(516)625-8845 E-mail:semi@sanrex.com SMG16C60F １ ０ Gate Characteristics VFGM ６ （ V） PGM ５ （ W） １０ ００ On-State Voltage Max  Ｔ= ５ ｊ２ ℃ Ｔ= ２ ℃ ｊ１ ５ PG （ . W） （AV） ０ ５ IFGM ２ （ A） １ ２℃ ５ On-State Current A） （ １００ ００ Gate Voltage （V） １０ ０ １ ０ VGD ０２ （ . V） ０１ . １ １ ０ １０ ０ １０ ００ １ ０５ . １ １５ . ２ ２５ . ３ ３. ５ Gate Current mA） （ On-State Voltage （V） ２ ５ Average On-State Current vs Power Dissipation （Single phase half wave） θ１ ０ ＝８゜ θ１ ０ ＝２゜ θ９ ゜ ＝０ １０ ３ Average On-State Current vs Ambient Temperature （Single phase half wave） ０ π θ ３０ ６゜ 2π ２ ０ θ６ ゜ ＝０ θ３ ゜ ＝０ Ambient Temperature （℃） １０ ２ １０ １ １０ ０ ９ ０ ８ ０ ７ ０ ６ ０ ５ ０ ４ ０ ０ ２ ４ ６ θ３ ゜ ＝０ Power Dissipation （W） θ Conduction Angle ： １ ５ １ ０ ０ π θ ３０ ６゜ 2π ５ ０ ０ θ Conduction Angle ： θ ６ ゜ θ９ ゜ θ １ ０ ＝０ ＝０ ＝２゜ θ１ ０ ＝８゜ ２ ４ ６ ８ １ ０ １ ２ １ ４ １ ６ １ ８ ８ １ ０ １ ２ １ ４ １ ６ １ ８ Average On-State Current （A） Average On-State Current （A） ３０ ０ Transient Thermal Impedance （℃／W） Surge On-State Current Rating （Non-Repetitive） １ ０ Maximum Transient Thermal Impedance Characteristics Surge On-State Current A） （ ２０ ５ ２０ ０ １０ ５ １０ ０ ５ ０ ０ １ ６ Hz ０ ５ Hz ０ １ １ ０ １０ ０ ０１ . ００ .１ ０１ . １ １ ０ １０ ０ Time （Cycles） Time （sec.） １０ ００ IGT −Tj ［Change Rate］ （Typical） Gate Trigger Voltage （V） １ ０９ . ０８ . ０７ . ０６ . ０５ . ０４ . ０３ . ０２ . VGT −Tj （Typical） IGT （t℃） ×100 （％） IGT ２ ℃） （５ １０ ０ １ ０ −０ ５ −５ ２ ０ ２ ５ ５ ０ ７ ５ １０ ０ １５ ２ ０１ . ０ −０ ５ −５ ２ ０ ２ ５ ５ ０ ７ ５ １０ ０ １５ ２ Junction Temp. （℃） Junction Temp. （℃） SanRex 50 Seaview Blvd. Port Washington, NY 11050 PH(516)625-1313 FX(516)625-8845 E-mail:semi@sanrex.com SMG16C60F 150 140 VD −Tj Change Rate （Typical） 150 140 130 120 110 100 90 80 70 60 VR −Tj Change Rate （Typical） VD t℃） （ ×100 （％） VD ２ ℃） （５ 120 110 100 90 80 70 60 50 −０ ５ −５ ２ ０ ２ ５ ５ ０ ７ ５ １０ ０ １５ ２ V（t℃） R ×100 （％） V（25℃） R 130 50 −０ ５ −５ ２ ０ ２ ５ ５ ０ ７ ５ １０ ０ １５ ２ Junction Temp. （℃） Junction Temp. （℃） SanRex 50 Seaview Blvd. Port Washington, NY 11050 PH(516)625-1313 FX(516)625-8845 E-mail:semi@sanrex.com