SMG5C60

THYRISTOR( Through Hole/Non-isolated) SMG5C60 2.98 ±0.44 Thyristor SMG5C60 is designed for full wave AC control applications. It can be used as an ON/OFF function or for phase control operation. 10.10 ＋ 0.18 − 0.44 TO-220AB 4.5 ＋ 0.2 − 0.1 1.27 ±0.12 Typical Applications ● ● 2 15.00 ＋ 0.87 − 0.57 8.60＋ 0.30 − 0.22 Home Appliances : Electric Blankets, Starter for FL, other control applications Industrial Use : SMPS, Solenoid for Breakers, Motor Controls, Heater Controls, other control applications φ3 .8 3 2 1 3 Features 13.5 ±0.8 2.48 ±0.45 4.23 ±0.5 1.27 ±0.13 0.85 ±0.1 0.45 ＋ 0.15 − 0.1 IT(AV)=5A ● High Surge Current ● Low Voltage Drop ● Lead-Free Package ● 2 1K 2A 3 Gate 2.54 1 2.54 2 3 Identifying Code：S5C6 Unit：mm ■Maximum Ratings Symbol VRRM VRSM VDRM IT AV） （ IT RMS） （ ITSM I2t PGM （ PG AV） （Tj=25℃ unless otherwise specified） Item Repetitive Peak Reverse Voltage Non-Repetitive Peak Reverse Voltage Repetitive Peak Off-State Voltage Average On-State Current R.M.S. On-State Current Surge On-State Current I2t Peak Gate Power Dissipation Average Gate Power Dissipation Peak Gate Current Peak Gate Voltage Forward） （ Peak Gate Voltage Reverse） （ Operating Junction Temperature Storage Temperature Mass Reference Ratings 600 720 600 Unit V V V A A A A2S W W A V V ℃ ℃ g Single phase, half wave, 180°conduction, Tc＝103℃ , Single phase, half wave, 180°conduction, Tc＝103℃ , 50Hz/60Hz, 1 ／ 2 5 7.8 80/88 32 5 0.5 2 6 10 −40∼＋125 −40∼＋150 2 cycle Peak value, non-repetitive IFGM VFGM VRGM Tj Tstg ■Electrical Characteristics Symbol IDRM IRRM VTM IGT VGT VGD IH （ Rth j-c） Item Repetitive Peak Off-State Current Repetitive Peak Reverse Current Peak On-State Voltage Gate Trigger Current Gate Trigger Voltage Non-Trigger Gate Voltage Holding Current Thermal Resistance Reference Tj＝125℃, VD＝VDRM Tj＝125℃, VR＝VRRM IT＝15A, Inst. measurement VD＝6V, RL＝10Ω Tj＝125℃, VD＝1 2VDRM ／ Junction to case Ratings Min. Typ. Max. 2 2 1.5 10 1.4 0.2 15 3 Unit mA mA V mA V V mA ℃/W SanRex 50 Seaview Blvd. Port Washington, NY 11050 PH(516)625-1313 FX(516)625-8845 E-mail:semi@sanrex.com SMG5C60 １ ０ Gate Characteristics VFGM ６ （ V） PGM ５ （ W） １０ ０ On-State Voltage Max  Ｔ= ５ ｊ２ ℃ Ｔ= ２ ℃ ｊ１ ５ PG （ . W） （AV） ０ ５ IFGM ２ （ A） On-State Current A） （ Gate Voltage （V） １ ２℃ ５ １ ０ VGD ０２ （ . V） ０１ . １ １ ０ １０ ０ １０ ００ １００ ００ １ ０５ . １ １５ . ２ ２５ . ３ Gate Current mA） （ On-State Voltage （V） ８ ７ Average On-State Current vs Power Dissipation （Single phase half wave） θ１ ０ ＝８゜ θ１ ０ ＝２゜ θ９ ゜ ＝０ θ６ ゜ ＝０ θ３ ゜ ＝０ １０ ３ Average On-State Current vs Ambient Temperature （Single phase half wave） ０ π θ ３０ ６゜ 2π ６ ５ ４ ３ ２ １ ０ ０ １ ２ ３ Ambient Temperature （℃） １５ ２ １０ ２ １５ １ １０ １ １５ ０ １０ ０ θ３ ゜ ＝０ Power Dissipation （W） θ Conduction Angle ： ０ π θ ３０ ６゜ 2π θ ６ ゜ θ９ ゜ θ １ ０ ＝０ ＝０ ＝ ２ ゜ θ１ ０ ＝８゜ θ Conduction Angle ： ９ ５ ９ ０ ０ １ ２ ３ ４ ５ ６ ４ ５ ６ Average On-State Current （A） Average On-State Current （A） １０ ０ Transient Thermal Impedance （℃／W） Surge On-State Current Rating （Non-Repetitive） １ ０ Maximum Transient Thermal Impedance Characteristics Surge On-State Current A） （ ９ ０ ８ ０ ７ ０ ６ ０ ５ ０ ４ ０ ３ ０ ２ ０ １ ０ ０ １ １ ０ １０ ０ ６ Hz ０ ５ Hz ０ １ ００ .１ ０１ . １ １ ０ １０ ０ Time （Cycles） Time （Sec.） １０ ００ IGT −Tj ［Change Rate］ （Typical） Gate Trigger Voltage （V） −５ ２ ０ ２ ５ ５ ０ ７ ５ １０ ０ １５ ２ １ ０９ . ０８ . ０７ . ０６ . ０５ . ０４ . ０３ . ０２ . VGT −Tj （Typical） IGT （t℃） ×100 （％） IGT ２ ℃） （５ １０ ０ １ ０ −０ ５ ０１ . ０ −０ ５ −５ ２ ０ ２ ５ ５ ０ ７ ５ １０ ０ １５ ２ Junction Temp. （℃） Junction Temp. （℃） SanRex 50 Seaview Blvd. Port Washington, NY 11050 PH(516)625-1313 FX(516)625-8845 E-mail:semi@sanrex.com SMG5C60 150 140 VD −Tj Change Rate （Typical） 150 140 130 120 110 100 90 80 70 60 VR −Tj Change Rate （Typical） VD t℃） （ ×100 （％） VD ２ ℃） （５ 120 110 100 90 80 70 60 50 −０ ５ −５ ２ ０ ２ ５ ５ ０ ７ ５ １０ ０ １５ ２ V（t℃） R ×100 （％） V（25℃） R 130 50 −０ ５ −５ ２ ０ ２ ５ ５ ０ ７ ５ １０ ０ １５ ２ Junction Temp. （℃） Junction Temp. （℃） SanRex 50 Seaview Blvd. Port Washington, NY 11050 PH(516)625-1313 FX(516)625-8845 E-mail:semi@sanrex.com