SMG5D60D

THYRISTOR( Surface Mount Device/Non-isolated) SMG5D60D Thyristor SMG5D60D is designed for full wave AC control applications. It can be used as an ON/OFF function or for phase control operation. Typical Applications ( Sensitive Gate) TO-252 （5.34） （0.9） 6.10 0.20 ± 0.80 0.20 ± MIN 1.40 TYP 1.90  Home Appliances : Electric Blankets, Starter for FL, other control applications ● Industrial Use : SMPS, Solenoid for Breakers, Motor Controls, Heater Controls, other control applications ● 0.70 0.20 ± TC POINT 2 2 IT(AV)=5A ● High Surge Current ● Lead-Free Package ● 2.70 0.20 ± Features 1 2 3 MIN 0.55  1 3 0.96 0.20 ± 0.76 0.20 ± 2.30 0.20 ± 0.50 0.10 ± 1.02 0.20 ± 2.30 0.20 ± 2.30 0.20 ± 2 1K 2A 3 Gate Identifying Code：S5D6D Unit：mm ■Maximum Ratings Symbol VRRM VRSM VDRM IT AV） （ IT RMS） （ ITSM I2t PGM （ PG AV） （Tj=25℃ unless otherwise specified） Item Repetitive Peak Reverse Voltage Non-Repetitive Peak Reverse Voltage Repetitive Peak Off-State Voltage Average On-State Current R.M.S. On-State Current Surge On-State Current I2t Peak Gate Power Dissipation Average Gate Power Dissipation Peak Gate Current Peak Gate Voltage Forward） （ Peak Gate Voltage Reverse） （ Operating Junction Temperature Storage Temperature Mass Reference Ratings 600 720 600 Single phase, half wave, 180°conduction, Tc＝98℃ , Single phase, half wave, 180°conduction, Tc＝98℃ , 50Hz/60Hz, 1 ／ 2 5 7.8 80/88 32 0.5 0.1 0.3 6 6 −40∼＋125 −40∼＋150 0.32 cycle Peak value, non-repetitive IFGM VFGM VRGM Tj Tstg ■Electrical Characteristics Symbol IDRM IRRM VTM IGT VGT VGD IH （ Rth j-c） Item Repetitive Peak Off-State Current Repetitive Peak Reverse Current Peak On-State Voltage Gate Trigger Current Gate Trigger Voltage Non-Trigger Gate Voltage Holding Current Thermal Resistance Reference Tj＝125℃, VD＝VDRM, RGK＝220Ω Tj＝125℃, VR＝VRRM, RGK＝220Ω IT＝15A, Inst. measurement VD＝6V, RL＝10Ω Tj＝125℃, VD＝1 2VDRM, RGK＝220kΩ ／ RGK＝220Ω Junction to case Ratings Min. Typ. Max. 2 2 1.8 1 0.1 3.5 3 200 0.8 ℃/W SanRex 50 Seaview Blvd. Port Washington, NY 11050 PH(516)625-1313 FX(516)625-8845 E-mail:semi@sanrex.com （0.65） （0.90） Unit V V V A A A A2S W W A V V ℃ ℃ g Unit mA mA V μA V V mA （5.21） 6.60 0.20 ± 5.34 0.30 ± 2.30 0.10 ± 0.50 0.10 ± SMG5D60D １ ０ Gate Characteristics VFGM （6V） PGM （0.5W） １０ ０ On-State Voltage（MAX） Tj＝ ５ ２℃ Tj＝ ２ ℃ １５ IFGM （0.3A） １ 25℃ PG （0.1W） （AV） On-State Current A） （ 1000 Gate Voltage （V） １ ０ ０１ ． VGD 0.1V） （ ０0 ． １ 0.0 １ 0. １ １ １ ０ 100 １ 0.5 １ １５ . ２ ２５ . ３ ３５ . ４ Gate Current mA） （ On-State Voltage （V） １ ０ ９ Average On-State Current vs Power Dissipation （Single phase half wave） θ１ ０ ＝８゜ θ１ ０ ＝２゜ θ９ ゜ ＝０ θ６ ゜ ＝０ θ３ ゜ ＝０ １０ ３ Average On-State Current vs Ambient Temperature （Single phase half wave） ０ π θ ３０ ６゜ 2π Power Dissipation （W） ８ ７ ６ ５ ４ ３ ２ １ ０ ０ １ ２ ３ Ambient Temperature （℃） １５ ２ １０ ２ １５ １ １０ １ １５ ０ １０ ０ ９ ５ ９ ０ ０ １ θ３ ゜ ＝０ θ Conduction Angle ： ０ π θ ３０ ６゜ 2π θ Conduction Angle ： θ ６ ゜ θ９ ゜ θ １ ０ ＝０ ＝０ ＝ ２ ゜ θ１ ０ ＝８゜ ４ ５ ６ ２ ３ ４ ５ ６ Average On-State Current （A） Average On-State Current （A） Transient Thermal Impedance （℃／W） １０ ０ Surge On-State Current Rating （Non-Repetitive） １ ０ Maximum Transient Thermal Impedance Characteristics Surge On-State Current A） （ ９ ０ ８ ０ ７ ０ ６ ０ ５ ０ ４ ０ ３ ０ ２ ０ １ ０ ０ １ １ ０ １０ ０ ６ Hz ０ ５ Hz ０ １ ００ .１ ０１ . １ １ ０ １０ ０ Time （Cycles） Time （Sec.） １０ ００ IGT −Tj ［Change Rate］ （Typical） Gate Trigger Voltage （V） −５ ２ ０ ２ ５ ５ ０ ７ ５ １０ ０ １５ ２ １ ０９ . ０８ . ０７ . ０６ . ０５ . ０４ . ０３ . ０２ . VGT −Tj （Typical） IGT （t℃） ×100 （％） IGT ２ ℃） （５ １０ ０ １ ０ １ −０ ５ ０１ . ０ −０ ５ −５ ２ ０ ２ ５ ５ ０ ７ ５ １０ ０ １５ ２ Junction Temp. （℃） Junction Temp. （℃） SanRex 50 Seaview Blvd. Port Washington, NY 11050 PH(516)625-1313 FX(516)625-8845 E-mail:semi@sanrex.com SMG5D60D 150 140 VD −Tj Change Rate （Typical） 150 140 VR −Tj Change Rate （Typical） VD t℃） （ ×100 （％） VD ２ ℃） （５ 120 110 100 90 80 70 60 50 −０ ５ −５ ２ ０ ２ ５ ５ ０ ７ ５ １０ ０ １５ ２ V（t℃） R ×100 （％） V（25℃） R 130 130 120 110 100 90 80 70 60 50 −０ ５ −５ ２ ０ ２ ５ ５ ０ ７ ５ １０ ０ １５ ２ Junction Temp. （℃） Junction Temp. （℃） SanRex 50 Seaview Blvd. Port Washington, NY 11050 PH(516)625-1313 FX(516)625-8845 E-mail:semi@sanrex.com