TMG12C80F

TRIAC(Through Hole / Isolated) TMG12C80F Triac TMG12C80F is designed for full wave AC control applications. It can be used as an ON/OFF function or for phase control operation. 10.5±0.3 3.2±0.3 4.7±0.2 2.7±0.2 TO-220F Typical Applications Home Appliances : Washing Machines, Vacuum Cleaners, Rice Cookers, Micro Wave Ovens, Hair Dryers, other control applications ● Industrial Use : SMPS, Copier Machines, Motor Controls, Dimmer, SSR, Heater Controls, Vending Machines, other control applications ● 1 16.0±0.3 φ3.2 ±0 .2 3 9.7±0.3 2.6±0.2 0.60±0.15 13.0±0.5 1.1±0.2 3.0±0.3 1.4±0.2 2 1 T1 2 T2 3 Gate Features 0.6±0.15 IT(RMS)=12A ● High Surge Current ● Low Voltage Drop ● Lead-Free Package ● 1 2 3 2.54±0.25 5.08±0.5 Identifying Code：T12C8F Unit：mm ■Maximum Ratings Symbol VDRM （ IT RMS） ITSM I2t PGM （ PG AV） IGM VGM VISO Tj Tstg Item Repetitive Peak Off-State Voltage R.M.S. On-State Current Surge On-State Current I2t（for fusing） Peak Gate Power Dissipation Average Gate Power Dissipation Peak Gate Current Peak Gate Voltage Isolation Breakdown Voltage（R.M.S.） Operating Junction Temperature Storage Temperature Mass Reference （Tj=25℃ unless otherwise specified） Tc＝79℃ One cycle, 50Hz/60Hz, Peak value non-repetitive A.C. 1minute Ratings 800 12 119/130 71 5 0.5 2 10 1500 −40∼＋125 −40∼＋150 2 Unit V A A A2S W W A V V ℃ ℃ g ■Electrical Characteristics Symbol IDRM VTM ＋ I GT1 − I GT1 ＋ I GT3 − I GT3 ＋ V GT1 − V GT1 ＋ V GT3 − V GT3 VGD 〔dv/dt〕 c IH Rth Item Repetitive Peak Off-State Current Peak On-State Voltage 1 2 Gate Trigger Current 3 4 1 2 Gate Trigger Voltage 3 4 Non-Trigger Gate Voltage Critical Rate of Rise of Off-State Voltage at Commutation Reference VD=VDRM, Single phase, half wave, Tj＝125℃ IT＝20A, Inst. measurement VD＝6V，RL＝10Ω Tj＝125℃，VD＝1 2VDRM ／ Tj＝125℃， di/dt〕＝−6A/ms，VD＝400V 〔 c Junction to case Ratings Min. Typ. Max. 2 1.4 30 30 ― 30 1.5 1.5 ― 1.5 0.2 10 20 3.3 Unit mA V mA V V V/ s μ mA ℃/W Holding Current Thermal Resistance Trigger mode of the triac Mode 1 I （ ＋ ） Mode 2 I ） （ − Mode 3 III （ ＋ ） Mode 4 III ） （ − TMG12C80F １０ ０ Gate Characteristics ２０ ０ On-State Characteristics MAX） （ On-State Peak Current A） （ １０ ０ ５ ０ ２ ０ １ ０ ５ ２ １ ０５ ． ０２ ． ０５ ． １０ ． １５ ． ２０ ． ２５ ． Ｔ= ５ ｊ２ ℃ Ｔ= ２ ℃ ｊ１ ５ Gate Voltage （V） １ ０ VGM （10V） PGM （5W） PG （0.5W） （AV） １ 25℃ 1＋GT１ 1−GT１ 1−GT３ VGD 0.2V） （ ０１ ． １ ０ IGM （2A） １０ ０ １０ ００ １００ ００ ３０ ． ３５ ． Gate Current mA） （ On-State Voltage （V） Power Dissipation （W） 14 12 10 8 ０ θ ３０ ６゜ π θ 2π θ１ ０ ＝８゜ θ１ ０ ＝５゜ θ１ ０ ＝２゜ θ９ ゜ ＝０ θ６ ゜ ＝０ θ３ ゜ ＝０ θ Conduction Angle ： Allowable Case Temperature （℃） １ 6 RMS On-State Current vs Maximum Power Dissipation １５ ２ １５ １ １５ ０ RMS On-State vs Allowable Case Temperature θ ＝30゜ ９ ５ ８ ５ ７ ５ ６ ５ ０ ０ θ ３０ ６゜ π θ 2π θ ＝60゜ θ ＝90゜ θ ＝120゜ θ ＝150゜ θ ＝180゜ 6 4 2 ０ ０ ２ 4 6 8 10 12 14 θ Conduction Angle ： ２ ４ ６ ８ １ ０ １ ２ RMS On-State Current （A） RMS On-State Current （A） Transient Thermal Impedance （℃/W） １０ ４ Surge On-State Current Rating （Non-Repetitive） １ ０ Transient Thermal Impedance Surge On-State Current A） （ １０ ２ １０ ０ ８ ０ ６ ０ ４ ０ 20 ０ １ １ ０ １0 ０ 60HZ 50HZ １ ０１ . ００ .１ ０１ . １ １ ０ １０ ０ Time （Cycles） Time （Sec.） １０ ００ ５０ ０ ２０ ０ １０ ０ ５ ０ IGT − Tj （Typical） １０ ００ VGT −Tj （Typical） IGT （t℃） ×100 （％） IGT ２ ℃） （５ VGT （t℃） ×100 （％） VGT ２ ℃） （５ ５０ ０ ２０ ０ V−GT３ 3−） （ V＋GT１ 1＋） （ （ V−GT１ 1−） I＋GT１ 1＋） （ I−GT１ 1−） （ １０ ０ ５ ０ ２ ０ １ ０ −０ ５ I−GT３ 3−） （ ２ ０ １ ０ −０ ５ ０ ５ ０ １０ ０ １０ ５ ０ ５ ０ １０ ０ １０ ５ Junction Temp. Tj （℃） Junction Temp. Tj （℃）