TMG1C60

TRIAC( Through Hole) TMG1C60 Triac TMG1C60 is designed for full wave AC control applications. It can be used as an ON/OFF function or for phase control operation. Typical Applications 5.0±0.2 5.0±0.2 ( Sensitive Gate) 4.0±0.2 TO-92 13.5±0.5 Home Appliances : Washing Machines, Vacuum Cleaners, Rice Cookers, Micro Wave Ovens, Hair Dryers, other control applications ● Industrial Use : SMPS, Copier Machines, Motor Controls, Dimmer, SSR, Heater Controls, Vending Machines, other control applications ● 2.3±0.2 2.0MAX 1 2 0.45+0.2 - 0.1 0.45+0.2 - 0.1 Features 3 1 T1 2 Gate 3 T2 2.50+0.6 - 0.2 IT(RMS)=1A High Surge Current ● Lead-Free Package ● ● 1 2 3 2.50+0.6 - 0.2 Identifying Code：T1C6 Unit：mm ■Maximum Ratings Symbol VDRM （ IT RMS） （Tj=25℃ unless otherwise specified） Item Repetitive Peak Off-State Voltage R.M.S. On-State Current Surge On-State Current I t（for fusing） 2 Reference Tc＝58℃ One cycle, 50Hz/60Hz, Peak value non-repetitive Ratings 600 1 9.1/10 0.41 1 0.1 0.5 6 −40∼＋125 −40∼＋150 0.2 Unit V A A A2S W W A V ℃ ℃ g ITSM It 2 PGM （ PG AV） Peak Gate Power Dissipation Average Gate Power Dissipation Peak Gate Current Peak Gate Voltage Operating Junction Temperature Storage Temperature Mass IGM VGM Tj Tstg ■Electrical Characteristics Symbol IDRM VTM ＋ I GT1 − I GT1 ＋ I GT3 − I GT3 ＋ V GT1 − V GT1 ＋ V GT3 − V GT3 Item Repetitive Peak Off-State Current Peak On-State Voltage 1 2 3 4 1 2 3 4 Non-Trigger Gate Voltage Critical Rate of Rise of Off-State Voltage at Commutation Reference VD=VDRM, Single phase, half wave, Tj＝125℃ IT＝1.5A, Inst. measurement Ratings Min. Typ. Max. 0.5 1.6 5 5 10 5 1.8 1.8 2.0 1.8 Unit mA V Gate Trigger Current VD＝6V，RL＝10Ω Gate Trigger Voltage mA V VGD 〔dv/dt〕 c IH Tj＝125℃，VD＝1 2VDRM ／ Tj＝125℃， di/dt〕＝−0.5A/ms，VD＝2 3VDRM 〔 c ／ Junction to case 0.2 2 4 50 V V/ s μ mA ℃/W Holding Current Rth j-c） Thermal Resistance （ Trigger mode of the triac Mode 1 I （ ＋ ） Mode 2 I ） （ − Mode 3 III （ ＋ ） Mode 4 III ） （ − SanRex 50 Seaview Blvd. Port Washington, NY 11050 PH(516)625-1313 FX(516)625-8845 E-mail:semi@sanrex.com TMG1C60 １ ０ Gate Characteristics VGM （6V） PGM （1W） １ ０ On-State Characteristics MAX） （ Ｔ= ５ ｊ２ ℃ Ｔ =１ ５ ｊ ２℃ PG （0.1W） （AV） 25℃ 1＋GT１ 1−GT１ 1−GT３ IGM （0.5A） On-State Current A） （ Gate Voltage （V） １ １ 25℃ 1＋GT３ VGD 0.2V） （ ０１ ． １ １ ０ １０ ０ １０ ００ ０１ . ０ ０５ . １ １５ . ２ ２５ . ３ ３５ . ４ ４５ . ５ Gate Current mA） （ On-State Voltage （V） RMS On-State Current vs Maximum Power Dissipation １４ . Power Dissipation （W） ０ π θ θ 2π θ ＝180゜ θ ＝150゜ θ ＝120゜ θ ＝90゜ θ ＝60゜ １２ . １ ０８ . ０６ . ０４ . ０２ . ０ ０ ３０ ６゜ θ Conduction Angle ： Allowable Case Temperature （℃） １０ ３ １０ ２ １０ １ １０ ０ ９ ０ ８ ０ ７ ０ RMS On-State vs Allowable Case Temperature θ ＝30゜ θ ＝60゜ π θ ３０ ６゜ θ 2π θ ＝30゜ θ ＝90゜ θ ＝120゜ θ ＝150゜ θ ＝180゜ ０ ６ ０ ５ ０ ４ 0 ０ θ Conduction Angle ： ０２ . ０４ . ０６ . ０８ . １ ０２ . ０４ . ０６ . ０８ . １ RMS On-State Current （A） RMS On-State Current （A） １ ０ ８ ６ ４ ２ ０ １ 60HZ 50HZ Transient Thermal Impedance （℃/W） １ ２ Surge On-State Current Rating （Non-Repetitive） １０ ００ Transient Thermal Impedance Surge On-State Current A） （ Rth （j−a） １０ ０ Rth （j−c） １ ０ １ ０ １0 ０ １ ００ .１ ０１ . １ １ ０ １０ ０ １０ ００ Time （Cycles） Time （Sec.） IGT −Tj （Typical） １０ ００ １０ ００ VGT −Tj （Typical） IGT （t℃） ×100 （％） IGT ２ ℃） （５ VGT （t℃） ×100 （％） VGT ２ ℃） （５ V＋GT1 V−GT1 V＋GT1 V−GT3 １０ ０ I＋GT１ I−GT１ I−GT3 １０ ０ I＋GT3 １ ０ −０ ５ −５ ２ ０ ２ ５ ５ ０ ７ ５ １０ ０ １５ ２ １ ０ −０ ５ −５ ２ ０ ２ ５ ５ ０ ７ ５ １０ ０ １５ ２ Junction Temp. Tj （℃） Junction Temp. Tj （℃） SanRex 50 Seaview Blvd. Port Washington, NY 11050 PH(516)625-1313 FX(516)625-8845 E-mail:semi@sanrex.com