TMG25CQ60F

TRIAC(Through Hole / Isolated) TMG25CQ60F Triac TMG25CQ60F is designed for full wave AC control applications. It can be used as an ON/OFF function or for phase control operation. Typical Applications 10.16 0.3 ± 3.3 0.3 ± 4.7 0.2 ± (Tj=150℃) TO-220F2 2.54 0.2 ± Home Appliances : Washing Machines, Vacuum Cleaners, Rice Cookers, Micro Wave Ovens, Hair Dryers, other control applications ● Industrial Use : SMPS, Copier Machines, Motor Controls, Dimmer, SSR, Heater Controls, Vending Machines, other control applications ● 1 15.9 0.3 ± φ3 .2± 0.2 3 9.2 0.3 ± 2 13 0.5 ± 3.2 0.3 ± 1.4 0.2 ± 0.8 0.2 ± 2.76 0.2 ± 0.5 0.15 ± Features IT(RMS)=25A ● High Surge Current ● Low Voltage Drop ● Lead-Free Package ● 1 T1 2 T2 3 Gate 1 2 3 2.54 0.25 ± 5.08 0.5 ± Identifying Code：T25CQ6F Unit：mm ■Maximum Ratings Symbol VDRM （ IT RMS） ITSM I2t PGM （ PG AV） IGM VGM VISO Tj Tstg Item Repetitive Peak Off-State Voltage R.M.S. On-State Current Surge On-State Current I2t（for fusing） Peak Gate Power Dissipation Average Gate Power Dissipation Peak Gate Current Peak Gate Voltage Isolation Breakdown Voltage（R.M.S.） Operating Junction Temperature Storage Temperature Mass Reference （Tj=25℃ unless otherwise specified） Tc＝93℃ One cycle, 50Hz/60Hz, Peak value non-repetitive A.C. 1minute Ratings 600 25 225/250 260 5 0.5 2 10 1500 −40∼＋150 −40∼＋150 2.2 Unit V A A A2S W W A V V ℃ ℃ g ■Electrical Characteristics Symbol IDRM VTM ＋ I GT1 − I GT1 ＋ I GT3 − I GT3 ＋ V GT1 − V GT1 ＋ V GT3 − V GT3 VGD 〔dv/dt〕 c IH Rth Item Repetitive Peak Off-State Current Peak On-State Voltage 1 2 Gate Trigger Current 3 4 1 2 Gate Trigger Voltage 3 4 Non-Trigger Gate Voltage Critical Rate of Rise of Off-State Voltage at Commutation Reference VD=VDRM, Single phase, half wave, Tj＝150℃ IT＝35A, Inst. measurement VD＝6V，RL＝10Ω Tj＝150℃，VD＝1 2VDRM ／ Tj＝150℃， di/dt〕＝−12.5A/ms， D＝2 3VDRM 〔 c V ／ Junction to case Ratings Min. Typ. Max. 5 1.4 30 30 ― 30 1.5 1.5 ― 1.5 0.1 5 35 1.9 Unit mA V mA V V V/ s μ mA ℃/W Holding Current Thermal Resistance Trigger mode of the triac Mode 1 I （ ＋ ） Mode 2 I ） （ − Mode 3 III （ ＋ ） Mode 4 III ） （ − TMG25CQ60F １０ ０ Gate Characteristics １０ ００ On-State Characteristics MAX） （ Ｔ= ５ ｊ２ ℃ Ｔ= ５ ℃ ｊ１ ０ Gate Voltage （V） １ ０ VGM （10V） PGM （5W） IGM （2A） １ PG （0.5W） （AV） 25℃ 1＋GT１ 1−GT１ 1−GT３ VGD 0.1V） （ On-State Peak Current A） （ １０ ０ １ ０ ０１ ． ００ ． １ １ ０ １０ ０ １０ ００ １００ ００ 1 ０５ . １ １５ . ２ ２５ . ３ ３. ５ ４ Gate Current mA） （ On-State Voltage （V） Power Dissipation （W） ３ ０ ２ ５ ２ ０ １ ５ １ ０ ５ ０ ０ ０ θ π θ 2π ＝ θ 180゜ θ 150゜ ＝ θ 120゜ ＝ ＝ θ 90゜ ＝ θ 60゜ θ 30゜ ＝ ３０ ６゜ θ Conduction Angle ： Allowable Case Temperature （℃） ３ ５ RMS On-State Current vs Maximum Power Dissipation １０ ５ １０ ４ １０ ３ １０ ２ １０ １ １０ ０ RMS On-State vs Allowable Case Temperature θ ＝30゜ θ 2π θ ＝60゜ θ ＝90゜ θ ＝120゜ θ ＝150゜ θ ＝180゜ ０ θ π ３０ ６゜ θ Conduction Angle ： ５ １ ０ １ ５ ２ ０ ２ ５ ９ ０ ０ ５ １ ０ １ ５ ２ ０ ２ ５ RMS On-State Current （A） RMS On-State Current （A） Transient Thermal Impedance （℃/W） ３０ ０ Surge On-State Current Rating （Non-Repetitive） １ ０ Transient Thermal Impedance Surge On-State Current A） （ ２０ ５ ２０ ０ １０ ５ １０ ０ ５ ０ ０ １ 60HZ 50HZ １ １ ０ １0 ０ ０１ . ００ .１ ０１ . １ １ ０ １０ ０ Time （Cycles） Time （Sec.） IGT −Tj （Typical） １０ ００ １０ ００ VGT −Tj （Typical） IGT （t℃） ×100 （％） IGT ２ ℃） （５ VGT （t℃） ×100 （％） VGT ２ ℃） （５ １０ ０ I＋GT１ !＋） （ I−GT１ !−） （ １０ ０ V＋GT1 !＋） （ V−GT1 !−） （ − V GT3 #−） （ I−GT３ #−） （ １ ０ −０ ５ −５ ２ ０ ２ ５ ５ ０ ７ ５ １０ ０ １５ ２ １０ ５ １ ０ −０ ５ −５ ２ ０ ２ ５ ５ ０ ７ ５ １０ ０ １５ ２ １ 50 Junction Temp. Tj （℃） Junction Temp. Tj （℃）