TMG25CQ60J

TRIAC(Through Hole / Isolated) TMG25CQ60J 15.5 0.3 ± 4.5 0.3 ± (Tj=150 ) Triac TMG25CQ60J is designed for full wave AC control applications. It can be used as an ON/OFF function or for phase control operation. Typical Applications 5.5 0.2 ± 3.0 0.2 ± Home Appliances : Washing Machines, Vacuum Cleaners, Rice Cookers, Micro Wave Ovens, Hair Dryers, other control applications Industrial Use : SMPS, Copier Machines, Motor Controls, Dimmer, SSR, Heater Controls, Vending Machines, other control applications Features 26.5 0.3 ± φ3 .2± 0.2 1 3 3.5 0.2 ± 17.3 0.3 ± 2.0 0.2 ± 2.5 0.3 ± 2.0 0.2 ± 4.0 0.2 ± 2.0 0.2 ± 0.75 0.25 ± 2 1 T1 2 T2 3 Gate 17.4 0.5 ± 3.3 0.2 ± 0.9 0.2 ± IT(RMS)=25A High Surge Current Low Voltage Drop Lead-Free Package 1 2 3 5.45 0.3 ± 10.9 0.5 ± Identifying Code T25CQ6J Unit mm Maximum Ratings Symbol VDRM IT RMS ITSM I2t PGM PG AV IGM VGM VISO Tj Tstg Item Repetitive Peak Off-State Voltage R.M.S. On-State Current Surge On-State Current I2t for fusing Peak Gate Power Dissipation Average Gate Power Dissipation Peak Gate Current Peak Gate Voltage Isolation Breakdown Voltage R.M.S. Operating Junction Temperature Storage Temperature Mass Reference Tj=25 unless otherwise specified Tc 108 One cycle, 50Hz/60Hz, Peak value non-repetitive A.C. 1minute Ratings 600 25 225/250 260 5 0.5 2 10 1500 40 150 40 150 5.6 Unit V A A A2S W W A V V g Electrical Characteristics Symbol IDRM VTM I GT1 I GT1 I GT3 I GT3 V GT1 V GT1 V GT3 V GT3 VGD dv/dt c IH Rth Item Repetitive Peak Off-State Current Peak On-State Voltage 1 2 Gate Trigger Current 3 4 1 2 Gate Trigger Voltage 3 4 Non-Trigger Gate Voltage Critical Rate of Rise of Off-State Voltage at Commutation Reference VD=VDRM, Single phase, half wave, Tj 150 IT 35A, Inst. measurement Ratings Min. Typ. Max. 5 1.4 30 30 30 1.5 1.5 1.5 Unit mA V mA VD 6V RL 10 V Tj 150 Tj 150 VD 1 2VDRM 0.1 A/ms VD 2 3VDRM V V/ s 35 1.4 mA /W di/dt c 5 Holding Current Thermal Resistance Junction to case Trigger mode of the triac Mode 1 I （ ＋ ） Mode 2 I ） （ − Mode 3 III （ ＋ ） Mode 4 III ） （ − TMG25CQ60J １０ ０ Gate Characteristics １０ ００ On-State Characteristics MAX） （ Ｔ= ５ ｊ２ ℃ Ｔ= ５ ℃ ｊ１ ０ Gate Voltage （V） １ ０ VGM （10V） PGM （5W） IGM （2A） １ PG （0.5W） （AV） 25℃ 1＋GT１ 1−GT１ 1−GT３ VGD 0.1V） （ On-State Peak Current A） （ １００ ００ １０ ０ １ ０ ０１ ． ００ ． １ １ ０ １０ ０ １０ ００ 1 ０５ . １ １５ . ２ ２５ . ３ ３. ５ ４ Gate Current mA） （ On-State Voltage （V） Power Dissipation （W） ３ ０ ２ ５ ２ ０ １ ５ １ ０ ５ ０ ０ ０ θ π θ 2π ＝ θ 180゜ θ 150゜ ＝ θ 120゜ ＝ ＝ θ 90゜ ＝ θ 60゜ θ 30゜ ＝ ３０ ６゜ θ Conduction Angle ： Allowable Case Temperature （℃） ３ ５ RMS On-State Current vs Maximum Power Dissipation １０ ５ １０ ４ １０ ３ １０ ２ RMS On-State vs Allowable Case Temperature θ ＝30゜ θ ＝60゜ ０ θ ３０ ６゜ π θ 2π θ ＝90゜ θ ＝120゜ θ ＝150゜ θ ＝180゜ １０ １ １０ ０ ０ θ Conduction Angle ： ５ １ ０ １ ５ ２ ０ ２ ５ ５ １ ０ １ ５ ２ ０ ２ ５ RMS On-State Current （A） RMS On-State Current （A） Transient Thermal Impedance （℃/W） ３０ ０ Surge On-State Current Rating （Non-Repetitive） １ ０ Transient Thermal Impedance Surge On-State Current A） （ ２０ ５ ２０ ０ １０ ５ １０ ０ ５ ０ ０ １ 60HZ 50HZ １ １ ０ １0 ０ ０１ . ００ .１ ０１ . １ １ ０ Time （Cycles） Time （Sec.） IGT −Tj （Typical） １０ ００ １０ ００ VGT −Tj （Typical） IGT （t℃） ×100 （％） IGT ２ ℃） （５ VGT （t℃） ×100 （％） VGT ２ ℃） （５ １０ ０ I＋GT１ !＋） （ I−GT１ !−） （ １０ ０ V＋GT1 !＋） （ V−GT1 !−） （ V−GT3 #−） （ I−GT３ #−） （ １ ０ −０ ５ −５ ２ ０ ２ ５ ５ ０ ７ ５ １０ ０ １５ ２ １０ ５ １ ０ −０ ５ −５ ２ ０ ２ ５ ５ ０ ７ ５ １０ ０ １５ ２ １ 50 Junction Temp. Tj （℃） Junction Temp. Tj （℃）