TMG5C80

TRIAC(Through Hole / Non-isolated) TMG5C80 Triac TMG5C80 is designed for full wave AC control applications. It can be used as an ON/OFF function or for phase control operation. 2.98 ±0.44 10.10 ＋ 0.18 − 0.44 TO-220AB 4.5 ＋ 0.2 − 0.1 1.27 ±0.12 Typical Applications 2 Home Appliances : Washing Machines, Vacuum Cleaners, Rice Cookers, Micro Wave Ovens, Hair Dryers, other control applications ● Industrial Use : SMPS, Copier Machines, Motor Controls, Dimmer, SSR, Heater Controls, Vending Machines, other control applications ● 1 15.00 ＋ 0.87 − 0.57 φ3 .8 8.60＋ 0.30 − 0.22 3 3 2 2.48 ±0.45 13.5 ±0.8 4.23 ±0.5 1.27 ±0.13 0.85 ±0.1 0.45 ＋ 0.15 − 0.1 1 T1 2 T2 3 Gate Features IT(RMS)=5A High Surge Current ● Low Voltage Drop ● Lead-Free Package ● ● 1 2 3 2.54 2.54 Identifying Code：T5C8 Unit：mm ■Maximum Ratings （Tj=25℃ unless otherwise specified） Symbol VDRM （ IT RMS） ITSM I2t PGM （ PG AV） IGM VGM Tj Tstg Item Repetitive Peak Off-State Voltage R.M.S. On-State Current Surge On-State Current I2t（for fusing） Peak Gate Power Dissipation Average Gate Power Dissipation Peak Gate Current Peak Gate Voltage Operating Junction Temperature Storage Temperature Mass Reference Tc＝107℃ One cycle, 50Hz/60Hz, Peak value non-repetitive Ratings 800 5 50/55 12.6 3 0.3 2 10 −40∼＋125 −40∼＋150 2 Unit V A A A2S W W A V ℃ ℃ g ■Electrical Characteristics Symbol IDRM VTM ＋ I GT1 − I GT1 ＋ I GT3 − I GT3 ＋ V GT1 − V GT1 ＋ V GT3 − V GT3 VGD 〔dv/dt〕 c IH Rth Item Repetitive Peak Off-State Current Peak On-State Voltage 1 2 Gate Trigger Current 3 4 1 2 Gate Trigger Voltage 3 4 Non-Trigger Gate Voltage Critical Rate of Rise of Off-State Voltage at Commutation Reference VD=VDRM, Single phase, half wave, Tj＝125℃ IT＝7A, Inst. measurement Min. VD＝6V，RL＝10Ω Ratings Typ. Max. 1 1.4 20 20 ― 20 1.5 1.5 ― 1.5 Unit mA V mA V Tj＝125℃，VD＝1 2VDRM ／ Tj＝125℃， di/dt〕＝−2.5A/ms，VD＝400V 〔 c Junction to case 0.2 5 10 3.0 V V/ s μ mA ℃/W Holding Current Thermal Resistance Trigger mode of the triac Mode 1 I （ ＋ ） Mode 2 I ） （ − Mode 3 III （ ＋ ） Mode 4 III ） （ − TMG5C80 １０ ０ Gate Characteristics １０ ０ On-State Characteristics MAX） （ On-State Peak Current A） （ ５ ０ ２ ０ １ ０ ５ ２ １ ０５ ． ０２ ． ０５ ． １０ ． １５ ． ２０ ． ２５ ． Ｔ= ５ ｊ２ ℃ Ｔ= ２ ℃ ｊ１ ５ Gate Voltage （V） １ ０ VGM （10V） PGM （3W） PG （0.3W） （AV） １ 25℃ 1＋GT１ 1−GT１ 1−GT３ VGD 0.2V） （ ０１ ． １ ０ IGM （2A） １０ ０ １０ ００ １００ ００ ３０ ． ３５ ． Gate Current mA） （ On-State Voltage （V） Power Dissipation （W） ６ ５ ４ ３ ２ １ ０ ０ ０ θ π θ 2π θ１ ０ ＝８゜ θ１ ０ ＝５゜ θ１ ０ ＝２゜ θ９ ゜ ＝０ θ６ ゜ ＝０ θ３ ゜ ＝０ ３０ ６゜ θ Conduction Angle ： Allowable Case Temperature （℃） ７ RMS On-State Current vs Maximum Power Dissipation １５ ２ RMS On-State vs Allowable Case Temperature １０ ２ θ ＝30゜ θ ＝60゜ ０ θ ３０ ６゜ π θ 2π １５ １ θ ＝90゜ θ ＝120゜ θ ＝150゜ θ ＝180゜ １０ １ θ Conduction Angle ： １ ２ ３ ４ ５ ６ １５ ０ ０ １ ２ ３ ４ ５ RMS On-State Current （A） RMS On-State Current （A） Transient Thermal Impedance （℃/W） ６ ０ Surge On-State Current Rating （Non-Repetitive） １ ０ Transient Thermal Impedance Surge On-State Current A） （ ５ ０ ４ ０ ３ ０ ５ HZ ０ ６ HZ ０ ２ ０ １ ０ ０ １ ２ ５ １ ０ ２ ０ ５ ０ １０ ０ １ ００ .１ ０１ . １ １ ０ １０ ０ Time （Cycles） Time （Sec.） IGT −Tj （Typical） １０ ００ ５０ ０ ２０ ０ １０ ０ ５ ０ I−GT３ 3−） （ I＋GT１ 1＋） （ I−GT１ 1−） （ １０ ００ ５０ ０ VGT −Tj （Typical） IGT （t℃） ×100 （％） IGT ２ ℃） （５ VGT （t℃） ×100 （％） VGT ２ ℃） （５ ２０ ０ V−GT３ 3−） （ V＋GT１ 1＋） （ V−GT１ 1−） （ １０ ０ ５ ０ ２ ０ １ ０ −０ ５ ２ ０ １ ０ −０ ５ ０ ５ ０ １０ ０ １０ ５ ０ ５ ０ １０ ０ １０ ５ Junction Temp. Tj （℃） Junction Temp. Tj （℃）