TMG5D60F

TRIAC(Through Hole / Isolated) TMG5D60F Triac TMG5D60F is designed for full wave AC control applications. It can be used as an ON/OFF function or for phase control operation. 10.5±0.3 3.2±0.3 ( Sensitive Gate) TO-220F 4.7±0.2 2.7±0.2 Typical Applications Home Appliances : Washing Machines, Vacuum Cleaners, Rice Cookers, Micro Wave Ovens, Hair Dryers, other control applications ● Industrial Use : SMPS, Copier Machines, Motor Controls, Dimmer, SSR, Heater Controls, Vending Machines, other control applications ● 1 16.0±0.3 φ3.2 ±0 .2 3 9.7±0.3 2.6±0.2 0.60±0.15 13.0±0.5 1.1±0.2 3.0±0.3 1.4±0.2 2 1 T1 2 T2 3 Gate Features 0.6±0.15 IT(RMS)=5A ● High Surge Current ● Low Voltage Drop ● Lead-Free Package ● 1 2 3 2.54±0.25 5.08±0.5 Identifying Code：T5C6F Unit：mm ■Maximum Ratings Symbol VDRM （ IT RMS） ITSM I2t PGM （ PG AV） IGM VGM VISO Tj Tstg Item Repetitive Peak Off-State Voltage R.M.S. On-State Current Surge On-State Current I2t（for fusing） Peak Gate Power Dissipation Average Gate Power Dissipation Peak Gate Current Peak Gate Voltage Isolation Breakdown Voltage（R.M.S.） Operating Junction Temperature Storage Temperature Mass Reference （Tj=25℃ unless otherwise specified） Tc＝100℃ One cycle, 50Hz/60Hz, Peak value non-repetitive A.C. 1minute Ratings 600 5 50/55 12.6 3 0.3 2 10 1500 −40∼＋125 −40∼＋150 2 Unit V A A A2S W W A V V ℃ ℃ g ■Electrical Characteristics Symbol IDRM VTM ＋ I GT1 − I GT1 ＋ I GT3 − I GT3 ＋ V GT1 − V GT1 ＋ V GT3 − V GT3 VGD 〔dv/dt〕 c IH Rth Item Repetitive Peak Off-State Current Peak On-State Voltage 1 2 Gate Trigger Current 3 4 1 2 Gate Trigger Voltage 3 4 Non-Trigger Gate Voltage Critical Rate of Rise of Off-State Voltage at Commutation Reference VD=VDRM, Single phase, half wave, Tj＝125℃ IT＝7A, Inst. measurement VD＝6V，RL＝10Ω Tj＝125℃，VD＝1 2VDRM ／ Tj＝125℃， di/dt〕＝−2.5A/ms，VD＝2 3VDRM 〔 c ／ Junction to case Ratings Min. Typ. Max. 1 1.4 20 20 ― 20 1.5 1.5 ― 1.5 0.2 5 10 4.0 Unit mA V mA V V V/ s μ mA ℃/W Holding Current Thermal Resistance Trigger mode of the triac Mode 1 I （ ＋ ） Mode 2 I ） （ − Mode 3 III （ ＋ ） Mode 4 III ） （ − TMG5D60F 100 Gate Characteristics １０ ０ On-State Characteristics MAX） （ On-State Peak Current A） （ ５ ０ ２ ０ １ ０ ５ ２ １ ０５ ． ０２ ． ０５ ． １０ ． １５ ． ２０ ． ２５ ． Ｔ= ５ ｊ２ ℃ Ｔ= ２ ℃ ｊ１ ５ Gate Voltage （V） １ ０ VGM （10V） PGM （3W） １ 25℃ I+GT1 I-GT1 I-GT3 ０１ ． １ VGD 0.2V） （ IGM （2A） PG （0.3W） （AV） １ ０ 100 1000 10000 ３０ ． ３５ ． Gate Current mA） （ On-State Voltage （V） Power Dissipation （W） ６ ５ ４ ３ ２ １ ０ ０ ０ θ π θ 2π θ１ ０ ＝８゜ θ１ ０ ＝５゜ θ１ ０ ＝２゜ θ９ ゜ ＝０ θ６ ゜ ＝０ θ３ ゜ ＝０ ３０ ６゜ θ Conduction Angle ： Allowable Case Temperature （℃） ７ RMS On-State Current vs Maximum Power Dissipation １５ ２ １０ ２ １５ １ RMS On-State vs Allowable Case Temperature θ ＝30゜ θ ＝60゜ π θ ３０ ６゜ θ 2π １０ １ １５ ０ １０ ０ ９ ５ ０ ０ θ ＝90゜ θ ＝120゜ θ ＝150゜ θ ＝180゜ θ Conduction Angle ： １ ２ ３ ４ ５ ６ １ ２ ３ ４ ５ RMS On-State Current （A） RMS On-State Current （A） Transient Thermal Impedance （℃/W） ６ ０ Surge On-State Current Rating （Non-Repetitive） １ ０ Transient Thermal Impedance Surge On-State Current A） （ ５ ０ ４ ０ ３ ０ ５ HZ ０ ６ HZ ０ ２ ０ １ ０ ０ １ ２ ５ １ ０ ２ ０ ５ ０ １０ ０ １ ００ .１ ０１ . １ １ ０ １０ ０ Time （Cycles） Time （Sec.） IGT −Tj （Typical） １０ ００ ５０ ０ ２０ ０ １０ ０ ５ ０ I−GT３ 3−） （ I＋GT１ 1＋） （ I − １０ ００ ５０ ０ VGT −Tj （Typical） IGT （t℃） ×100 （％） （５ IGT ２ ℃） VGT （t℃） ×100 （％） VGT ２ ℃） （５ ２０ ０ V−GT３ 3−） （ V＋GT１ 1＋） （ V−GT１ 1−） （ １０ ０ ５ ０ ２ ０ １ ０ −０ ５ GT １ （1 ） − ２ ０ １ ０ −０ ５ ０ ５ ０ １０ ０ １０ ５ ０ ５ ０ １０ ０ １０ ５ Junction Temp. Tj （℃） Junction Temp. Tj （℃）