TMG8C60F

TRIAC( ISOLATED TYPE ) TMG8C60F UL;E76102 M） （ TMG8C40/60F are isolated mold triac suitable for wide range of applications like copier, microwave oven, solid state switch, motor control, light and heater control. ● IT RMS） （ １ ．± ． ５０ ０３ 8A ● High surge capability 88A ● Full molded isolated type ３．± ． ０ ０3 １ ．± ． ００ ０３ ４５ ０２ ．± ． ２８ ０２ ．± ． ３．± ． ８５ ０３ ６ ０３ ．± ． Solder Dip ２６ ０２ ．± ． ０７ ± ． ． ０１ ５ ５ T1 G １ ．± ． ４０ ０５ ０７ ± ． ． ０１ ５ ５ １ ２ ３ ２５ ± ． ． ０２ ４ ５ ５０ ± ． ． ０５ ８ １T ． １ 2． T ２ ３ Gate ． T2 Unit：A ■Maximum Ratings Symbol VDRM Symbol IT RMS） （ ITSM It 2 （Tj=25℃ unless otherwise specified） Item Repetitive Peak Off-State Voltage Item R.M.S. On-State Current Surge On-State Current It 2 Ratings TMG8C40F 400 Conditions Tc＝89℃ One cycle, 50Hz/60Hz, peak, non-repetitive TMG8C60F 600 Ratings 8 80/88 32 5 0.5 2 10 A.C.1 minute 1500 −40 to ＋125 −40 to ＋125 2 Unit V Unit A A A2S W W A V V ℃ ℃ g PGM （ PG AV） Peak Gate Power Dissipation Average Gate Power Dissipation Peak Gate Current Peak Gate Voltage Isolation Breakdown Voltage（R.M.S.） Operating Junction Temperature Storage Temperature Mass IGM VGM VISO Tj Tstg ■Electrical Characteristics Symbol IDRM VTM ＋ I GT1 − I GT1 ＋ I GT3 − I GT3 ＋ V GT1 Item Reptitive Peak Off-State Current Peak On-State Voltage 1 2 3 4 1 2 3 4 Non-Trigger Gate Voltage Critical Rate of Rise off-State Voltage at commutation Conditions VD=VDRM, Single phase, half wave, Tj＝125℃ IT＝12A, Inst. measurement Ratings Min. Typ. Max. 2 1.4 30 30 ― 30 1.5 1.5 ― 1.5 0.2 10 15 Unit mA V Gate Trigger Current VD＝6V，RL＝10Ω mA V GT1 ＋ V GT3 − V GT3 − Gate Trigger Voltage VD＝6V，RL＝10Ω V VGD 〔dv/dt〕 c IH Tj＝125℃，VD＝1 2VDRM ／ Tj＝125℃， di/dt〕＝−4A/ms，VD＝2 3VDRM 〔 c ／ Junction to case V V/ s μ mA 3.7 ℃/W Holding Current Rth j-c） Thermal Impedance （ 3 TMG8C60F ２ １１ ０ Gate Characteristics Peak Forward Gate Voltage （10V） １２ ０ Pe ak On-State Voltage ５ te Po On-State Current （A） Gate Voltage （V） Ga ５ ２ Gate Distribution 100 ５ ２ Po we （０ r ． 5W Peak Gate Current ２ （ A） Av er ag eG ate we （ r ２ １１ ０ ５ ２ １０ ０ ５ Ｔ= ５ ｊ２ ℃ Ｔ =１ ５ ｊ ２℃ 5W ） ） Maximum gate Voltage that will not trigger any unit １１ ０ ２ ５ １２ ０ ２ ５ １３ ０ ２ ５ ０５ ． １０ ． １５ ． ２０ ． ２５ ． ３０ ． ３５ ． Gate Current （mA） On-State Voltage （V） ９ θ１ ０ ＝８゜ θ１ ０ ＝５゜ θ１ ０ ＝２゜ 2 ８ ７ ６ ５ ４ ３ ２ １ ０ ０ １ ２ ３ 360 。 θ９ ゜ ＝０ : Conduction Angle θ６ ゜ ＝０ θ３ ゜ ＝０ Allowable Case Temperature （℃） １ ０ On State Current vs. Maximum Power Dissipation １０ ３ １０ ２ １０ １ １０ ０ On State Current vs. Allowable Case Temperature Power Dissipation （W） θ３ ゜ ＝０ θ６ ゜ ＝０ θ９ ゜ ＝０ 2 ９ ０ ０ ０ 360 。 θ１ ０ ＝２゜ θ１ ０ ＝５゜ θ１ ０ ＝８゜ : Conduction Angle ４ ５ ６ ７ ８ ９ １ ０ １ ２ ３ ４ ５ ６ ７ ８ ９ １ ０ RMS On-State Current （A） RMS On-State Current （A） １０ ０ Surge On-State Current Rating （Non-Repetitive） １ ０ ３ Gate trigger voltage vs. Junction temperature Surge On-State Current （A） ８ ０ ６ ０ ６ HZ ０ Tj＝25℃ start VGT （t℃） ×100 （％） VGT ２ ℃） （５ ５ ２ V＋GT１ 1＋） （ V−GT１ 1−） （ V−GT３ 3−） （ １２ ０ ５ ２ ４ ０ ５ HZ ０ ２ ０ ０ １０ ０ ２ ５ １１ ０ ２ ５ １２ ０ １１ ０ −０ ５ ０ ５ ０ １０ ０ １０ ５ Time （cycles） Transient Thermal Impedance θ （℃/W） j-c Junction Temp. Tj （℃） １ ０ ３ Gate trigger current vs. Junction temperature １１ ０ ５ ２ １０ ０ ５ ２ Transient Thermal Impedance IGT （t℃） ×100 （％） IGT ２ ℃） （５ ５ ２ I＋GT１ 1＋） （ I−GT１ 1−） （ I−GT３ 3−） （ １２ ０ ５ ２ Junction to case １１ ０ −０ ５ ０ ５ ０ １０ ０ １０ ５ １ −１ ０ １ −２ ２ ０ ５ １ −１ ２ ０ Junction Temp. Tj （℃） Time t sec） （ ５ １０ ２ ０ ５ １１ ２ ０ ５ １２ ０ 4