TMG8CQ60

TRIAC(Through Hole / Non-isolated) TMG8CQ60 Triac TMG8CQ60 is designed for full wave AC control applications. It can be used as an ON/OFF function or for phase control operation. 2.98 ±0.44 10.10 ＋ 0.18 − 0.44 (Tj=150 ) 4.5 ＋ 0.2 − 0.1 1.27 ±0.12 Typical Applications 2 Home Appliances : Washing Machines, Vacuum Cleaners, Rice Cookers, Micro Wave Ovens, Hair Dryers, other control applications Industrial Use : SMPS, Copier Machines, Motor Controls, Dimmer, SSR, Heater Controls, Vending Machines, other control applications Features 1 15.00 ＋ 0.87 − 0.57 φ3 .8 8.60＋ 0.30 − 0.22 3 3 2 2.48 ±0.45 13.5 ±0.8 4.23 ±0.5 1.27 ±0.13 0.85 ±0.1 0.45 ＋ 0.15 − 0.1 1 T1 2 T2 3 Gate IT(RMS)=8A High Surge Current Low Voltage Drop Lead-Free Package 1 2 3 2.54 2.54 Identifying Code T8CQ6 Unit mm Maximum Ratings Symbol VDRM IT RMS ITSM I2t PGM PG AV IGM VGM Tj Tstg Item Repetitive Peak Off-State Voltage R.M.S. On-State Current Surge On-State Current I2t for fusing Peak Gate Power Dissipation Average Gate Power Dissipation Peak Gate Current Peak Gate Voltage Operating Junction Temperature Storage Temperature Mass Reference Tj=25 unless otherwise specified Tc 130 One cycle, 50Hz/60Hz, Peak value non-repetitive Ratings 600 8 80/88 32 5 0.5 2 10 40 150 40 150 2 Unit V A A A2S W W A V g Electrical Characteristics Symbol IDRM VTM I GT1 I GT1 I GT3 I GT3 V GT1 V GT1 V GT3 V GT3 VGD dv/dt c IH Rth Item Repetitive Peak Off-State Current Peak On-State Voltage 1 2 Gate Trigger Current 3 4 1 2 Gate Trigger Voltage 3 4 Non-Trigger Gate Voltage Critical Rate of Rise of Off-State Voltage at Commutation Reference VD=VDRM, Single phase, half wave, Tj 150 IT 12A, Inst. measurement Ratings Min. Typ. Max. 2 1.4 30 30 30 1.5 1.5 1.5 Unit mA V mA VD 6V RL 10 V Tj 150 Tj 150 VD 1 2VDRM 0.1 A/ms VD 2 3VDRM V V/ s 15 2.0 mA /W di/dt c 5 Holding Current Thermal Resistance Junction to case Trigger mode of the triac Mode 1 I （ ＋ ） Mode 2 I ） （ − Mode 3 III （ ＋ ） Mode 4 III ） （ − SanRex 50 Seaview Blvd. Port Washington, NY 11050 PH(516)625-1313 FX(516)625-8845 E-mail:semi@sanrex.com TMG8CQ60 １０ ０ Gate Characteristics １０ ０ On-State Characteristics MAX） （ Ｔ= ５ ｊ２ ℃ Ｔ= ５ ℃ ｊ１ ０ Gate Voltage （V） １ ０ VGM （10V） PGM （5W） On-State Peak Current A） （ １ ０ 25℃ 1＋GT１ 1−GT１ 1−GT３ VGD 0.1V） （ IGM （2A） １ PG （0.5W） （AV） １ ０１ . ００ ． １ １ ０ １０ ０ １０ ００ １００ ００ ０１ . ０ ０５ . １ １５ . ２ ２５ . ３ ３. ５ ４ Gate Current mA） （ On-State Voltage （V） 9 Power Dissipation （W） ８ 7 ６ 5 ４ 3 ２ 1 ０ ０ １ ０ θ θ１ ０ ＝８゜ θ１ ０ ＝５゜ θ１ ０ ＝２゜ π θ 2π θ９ ゜ ＝０ θ６ ゜ ＝０ Allowable Case Temperature （℃） １ ０ RMS On-State vs Maximum Power Dissipation １０ ５ １５ ４ １０ ４ １５ ３ １０ ３ １５ ２ RMS On-State vs Allowable Case Temperature ３０ ６゜ θ ＝30゜ θ ＝60゜ θ ＝90゜ θ ＝120゜ θ ＝150゜ θ ＝180゜ 2π θ Conduction Angle ： θ３ ゜ ＝０ ０ θ π θ ３０ ６゜ θ Conduction Angle ： ２ ３ ４ ５ ６ ７ ８ ９ １０ ２ ０ １ ２ ３ ４ ５ ６ ７ ８ RMS On-State Current （A） RMS On-State Current （A） Transient Thermal Impedance （℃/W） １０ ０ Surge On-State Current Rating （Non-Repetitive） １ ０ Transient Thermal Impedance Surge On-State Current A） （ ８ ０ ６ ０ ６ HZ ０ ５ HZ ０ １ ４ ０ ２ ０ ０ １ ２ ５ １ ０ ２ ０ ５ ０ １０ ０ ０１ . ００ .１ ０１ . １ １ ０ １０ ０ Time （Cycles） Time （Sec.） IGT −Tj （Typical） １０ ００ １０ ００ VGT −Tj （Typical） IGT （t℃） ×100 （％） IGT ２ ℃） （５ VGT （t℃） ×100 （％） VGT ２ ℃） （５ V＋GT1 !＋） （ V−GT1 !−） （ V−GT3 #−） （ １０ ０ I＋GT１ !＋） （ I−GT１ !−） （ １０ ０ I−GT３ #−） （ １ ０ −０ ５ −５ ２ ０ ２ ５ ５ ０ ７ ５ １０ ０ １５ ２ １０ ５ １ ０ −０ ５ −５ ２ ０ ２ ５ ５ ０ ７ ５ １０ １５ ０ ２ １０ ５ Junction Temp. Tj （℃） Junction Temp. Tj （℃） SanRex 50 Seaview Blvd. Port Washington, NY 11050 PH(516)625-1313 FX(516)625-8845 E-mail:semi@sanrex.com