TMG8D80F

TRIAC(Through Hole / Isolated) TMG8D80F Triac TMG8D80F is designed for full wave AC control applications. It can be used as an ON/OFF function or for phase control operation. 10.5±0.3 3.2±0.3 ( Sensitive Gate) TO-220F 4.7±0.2 2.7±0.2 Typical Applications Home Appliances : Washing Machines, Vacuum Cleaners, Rice Cookers, Micro Wave Ovens, Hair Dryers, other control applications ● Industrial Use : SMPS, Copier Machines, Motor Controls, Dimmer, SSR, Heater Controls, Vending Machines, other control applications ● 1 16.0±0.3 φ3.2 ±0 .2 3 9.7±0.3 2.6±0.2 0.60±0.15 13.0±0.5 1.1±0.2 3.0±0.3 1.4±0.2 2 1 T1 2 T2 3 Gate Features 0.6±0.15 IT(RMS)=8A ● High Surge Current ● Low Voltage Drop ● Lead-Free Package ● 1 2 3 2.54±0.25 5.08±0.5 Identifying Code：T8D8F Unit：mm ■Maximum Ratings Symbol VDRM （ IT RMS） ITSM I2t PGM （ PG AV） IGM VGM VISO Tj Tstg Item Repetitive Peak Off-State Voltage R.M.S. On-State Current Surge On-State Current I2t（for fusing） Peak Gate Power Dissipation Average Gate Power Dissipation Peak Gate Current Peak Gate Voltage Isolation Breakdown Voltage（R.M.S.） Operating Junction Temperature Storage Temperature Mass Reference （Tj=25℃ unless otherwise specified） Tc＝89℃ One cycle, 50Hz/60Hz, Peak value non-repetitive A.C. 1minute Ratings 800 8 80/88 32 5 0.5 2 10 1500 −40∼＋125 −40∼＋150 2 Unit V A A A2S W W A V V ℃ ℃ g ■Electrical Characteristics Symbol IDRM VTM ＋ I GT1 − I GT1 ＋ I GT3 − I GT3 ＋ V GT1 − V GT1 ＋ V GT3 − V GT3 VGD 〔dv/dt〕 c IH Rth Item Repetitive Peak Off-State Current Peak On-State Voltage 1 2 Gate Trigger Current 3 4 1 2 Gate Trigger Voltage 3 4 Non-Trigger Gate Voltage Critical Rate of Rise of Off-State Voltage at Commutation Reference VD=VDRM, Single phase, half wave, Tj＝125℃ IT＝12A, Inst. measurement VD＝6V，RL＝10Ω Tj＝125℃，VD＝1 2VDRM ／ Tj＝125℃， di/dt〕＝−4A/ms，VD＝400V 〔 c Junction to case Ratings Min. Typ. Max. 2 1.4 10 10 ― 10 1.5 1.5 ― 1.5 0.2 10 15 3.7 Unit mA V mA V V V/ s μ mA ℃/W Holding Current Thermal Resistance Trigger mode of the triac Mode 1 I （ ＋ ） Mode 2 I ） （ − Mode 3 III （ ＋ ） Mode 4 III ） （ − TMG8D80F 100 Gate Characteristics ２０ ０ On-State Characteristics MAX） （ On-State Peak Current A） （ １０ ０ ５ ０ ２ ０ １ ０ ５ ２ １ ０５ ． ０２ ． ０５ ． １０ ． １５ ． ２０ ． ２５ ． Ｔ= ５ ｊ２ ℃ Ｔ= ２ ℃ ｊ１ ５ Gate Voltage （V） １ ０ VGM （10V） PGM （5W） PG （0.5W） （AV） １ 25℃ I+GT1 I-GT1 I-GT3 ０１ ． １ VGD 0.2V） （ IGM （2A） １ ０ 100 1000 10000 ３０ ． ３５ ． Gate Current mA） （ On-State Voltage （V） ９ Power Dissipation （W） ８ ７ ６ ５ ４ ３ ２ 1 ０ ０ １ ０ θ θ１ ０ ＝８゜ θ１ ０ ＝５゜ θ１ ０ ＝２゜ π θ 2π θ９ ゜ ＝０ θ６ ゜ ＝０ ３０ ６゜ Allowable Case Temperature （℃） 1 ０ RMS On-State vs Maximum Power Dissipation １５ ２ １０ ２ RMS On-State vs Allowable Case Temperature １５ １ １０ １ １５ ０ １０ ０ ９ ５ ９ ０ ８ ５ ８ ０ ０ ０ θ ３０ ６゜ π θ 2π θ Conduction Angle ： θ ＝30゜ θ ＝60゜ θ ＝90゜ θ ＝120゜ θ ＝150゜ θ ＝180゜ θ３ ゜ ＝０ θ Conduction Angle ： ２ ３ ４ ５ ６ ７ ８ ９ １ ２ ３ ４ ５ ６ ７ ８ RMS On-State Current A） （ RMS On-State Current （A） Transient Thermal Impedance （℃/W） １０ ０ Surge On-State Current Rating （Non-Repetitive） １ ０ Transient Thermal Impedance Surge On-State Current A） （ ８ ０ ６ ０ ６ HZ ０ ５ HZ ０ １ ４ ０ ２ ０ ０ １ ２ ５ １ ０ ２ ０ ５ ０ １０ ０ ０１ . ００ .１ ０１ . １ １ ０ １０ ０ Time （Cycles） Time （Sec.） １０ ００ ５０ ０ ２０ ０ １０ ０ ５ ０ IGT − Tj （Typical） １０ ００ ５０ ０ ２０ ０ １０ ０ ５ ０ ２ ０ VGT − Tj （Typical） IGT （t℃） ×100 （％） IGT ２ ℃） （５ VGT （t℃） ×100 （％） VGT ２ ℃） （５ V＋GT１ 1＋） （ V−GT１ 1−） （ − V GT３ 3−） （ I＋GT１ 1＋） （ I − GT １ （1 ） − I−GT３ 3−） （ ２ ０ １ ０ −０ ５ ０ ５ ０ １０ ０ １０ ５ １ ０ −０ ５ ０ ５ ０ １０ ０ １０ ５ Junction Temp. Tj （℃） Junction Temp. Tj （℃）