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2SK3831

2SK3831

  • 厂商:

    SANYO(三洋)

  • 封装:

  • 描述:

    2SK3831 - 2SK3831 - Sanyo Semicon Device

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2SK3831 数据手册
注 文コード No. N 8 0 2 8 2SK3831 2SK3831 N チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ 汎用スイッチングデバイス 特長 ・低オン抵抗。 ・超高速スイッチング。 ・4V 駆動。 ・モータドライブ , DC / DC コンバータ用等。 ・アバランシェ保証。 絶対最大定格 Absolute Maximum Ratings / Ta=25℃ 項目 ドレイン・ソース電圧 ゲート・ソース電圧 ドレイン電流(DC) ドレイン電流(パルス) 許容損失 記号 VDSS VGSS ID IDP PD 条件 定格値 60 ± 20 85 340 2.5 100 150 − 55 ∼+ 150 271 85 unit V V A A W W ℃ ℃ mJ A PW ≦ 10µs, duty cycle ≦ 1% Tc=25℃ チャネル温度 Tch 保存周囲温度 Tstg アバランシェエネルギー(単発)*1 EAS アバランシェ電流 *2 IAV *1. VDD=20V、L=50µH、IAV=85A *2. L ≦ 50µH、1 パルス 電気的特性 Electrical Characteristics / Ta=25℃ 項目 ドレイン・ソース降伏電圧 ドレイン・ソースしゃ断電流 ゲート・ソースもれ電流 ゲート・ソースしゃ断電圧 順伝達アドミタンス ドレイン・ソース間オン抵抗 入力容量 出力容量 帰還容量 単体品名表示:K3831 記号 V(BR)DSS IDSS IGSS VGS(off) yfs RDS(on)1 RDS(on)2 Ciss Coss Crss 条件 ID=1mA, VGS=0 VDS=60V, VGS=0 VGS= ± 16V, VDS=0 VDS=10V, ID=1mA VDS=10V, ID=43A ID=43A, VGS=10V ID=43A, VGS=4V VDS=20V, f=1MHz VDS=20V, f=1MHz VDS=20V, f=1MHz min 60 定格値 typ max 1 ± 10 2.6 unit V µA µA V S 1.2 30 50 10 13 mΩ 13 18 mΩ 5250 pF 780 pF 525 pF 次ページへ続く。 本書記載の製品は、極めて高度の信頼性を要する用途 (生命維持装置、 航空機のコントロールシステム等、 多大な人的・物的損害を及ぼす恐れのある用途) に対応する仕様にはなっておりません。そのような場合に は、あらかじめ三洋電機販売窓口までご相談下さい。 本書記載の規格値(最大定格、動作条件範囲等) を瞬時たりとも越えて使用し、その結果発生した機器の欠陥 について、弊社は責任を負いません。 〒370-0596 群馬県邑楽郡大泉町坂田一丁目1番1号 21405QA TS IM ◎川浦 TB-00000311 No.8028-1/4 2SK3831 前ページより続く。 項目 ターンオン遅延時間 立ち上がり時間 ターンオフ遅延時間 下降時間 総ゲート電荷量 ゲート・ソース電荷量 ゲート・ドレイン電荷量 ダイオード順電圧 記号 td(on) tr td(off) tf Qg Qgs Qgd VSD 条件 指定回路において 指定回路において 指定回路において 指定回路において VDS=30V, VGS=10V, ID=85A VDS=30V, VGS=10V, ID=85A VDS=30V, VGS=10V, ID=85A IS=85A, VGS=0 min 定格値 typ 40 370 355 315 113 19 28 1.18 max unit ns ns ns ns nC nC nC V 1.5 外形図 unit : mm 2056A 15.6 14.0 2.6 スイッチングタイム測定回路図 VIN VDD=30V 3.2 3.5 4.8 2.0 10V 0V VIN ID=43A RL=0.7Ω 1.2 15.0 20.0 D PW=10µs D.C.≦1% VOUT 1.3 1.6 G 20.0 2.0 0.6 2SK3831 P.G 50Ω 1.0 1 0.6 2 3 1.4 1 : Gate 2 : Drain 3 : Source SANYO : TO-3PB S 5.45 5.45 アバランシェ測定回路図 ≥50Ω RG L DUT 15V 0V 50Ω VDD No.8028-2/4 2SK3831 100 ID -- VDS V V 8 .0 Tc=25°C 100 90 ID -- VGS 5°C 6 .0 ドレイン電流, ID -- A 10 80 70 60 50 40 30 20 10 0 0 0.2 0.4 0.6 4.0V 80 ドレイン電流, ID -- A Tc= --2 90 70 60 50 40 30 20 10 0 VGS=3.0V Tc = 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0 0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 25° C 75° C --25° C 3.5 4.0 25° C 4.5 5.0 ドレイン・ソース電圧, VDS -- V IT07697 ドレイン・ソース間オン抵抗, RDS(on) -- mΩ ドレイン・ソース間オン抵抗, RDS(on) -- mΩ 30 RDS(on) -- VGS ゲート・ソース電圧, VGS -- V 25 RDS(on) -- Tc ID=43A 25 20 20 15 15 Tc=75°C 10 25°C --25°C 10 4V S= , VG V 43A =10 I D= , VGS 43A I D= 5 5 0 0 1.0 2.0 3.0 4.0 5.0 6.0 7.0 8.0 9.0 10 0 --50 --25 0 25 50 75 100 125 75 ° C IT07698 150 IT07700 1.2 1.4 IT07702 100 110 120 IT07704 VDS=10V ゲート・ソース電圧, VGS -- V 100 7 5 3 V IT07699 100 7 5 3 2 10 7 5 3 2 1.0 7 5 3 2 0.1 7 5 3 2 0.01 yfs -- ID ケース温度, Tc -- °C IF -- VSD VGS=0V VDS=10V 順伝達アドミタンス, yfs -- S 7 5 3 2 1.0 7 5 0.1 7 5°C 2 3 5 7 1.0 2 3 5 7 10 2 3 10000 Ciss, Coss, Crss -- VDS Ciss f=1MHz ドレイン電流, ID -- A 5 7 100 IT07701 10 9.0 0 0.2 0.4 Tc=7 T 5°C 25°C --25° C 0.6 0.8 10 --25 c= °C 順電流, IF -- A 2 °C 25 1.0 ドレイン・ソース順電圧, VSD -- V VGS -- Qg 7 5 ゲート・ソース電圧, VGS -- V 30 VDS=30V ID=85A 8.0 7.0 6.0 5.0 4.0 3.0 2.0 1.0 Ciss, Coss, Crss -- pF 3 2 1000 7 5 Coss Crss 3 2 100 0 5 10 15 20 25 0 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 ドレイン・ソース電圧, VDS -- V IT07703 総ゲート電荷量, Qg -- nC No.8028-3/4 2SK3831 1000 SW Time -- ID td(off) スイッチングタイム, SW Time -- ns 7 5 3 2 7 5 3 2 ASO IDP=340A ID=85A <10µs ドレイン電流, ID -- A tf 100 7 5 3 2 10 7 5 3 2 1.0 7 5 3 2 10 10 µs 0µ s 100 7 5 3 2 10 0.1 tr td(on) Operation in this area is limited by RDS(on). Tc=25°C 1パルス セラミック基板 2 3 5 7 1.0 2 3 1m 10 s m DC 1 0 0 m s op s er ati on VDD=30V VGS=10V 2 3 5 7 1.0 2 3 5 7 10 2 3 ドレイン電流, ID -- A 3.0 5 7 100 IT07705 0.1 0.1 5 7 10 2 3 PD -- Ta ドレイン・ソース電圧, VDS -- V 120 5 7 100 IT07706 PD -- Tc 2.5 100 許容損失, PD -- W 2.0 許容損失, PD -- W 140 160 80 1.5 60 1.0 40 0.5 20 0 0 20 40 60 80 100 120 0 0 20 40 60 80 100 120 140 160 周囲温度, Ta -- °C IT07708 ケース温度, Tc -- °C IT07707 取り扱い上の注意:本製品は、MOSFET ですので、帯電性の大きな環境での取り扱いはご遠慮下さい。 本書記載の製品は、定められた条件下において、記載部品単体の性能・特性・機能などを規定するものであ り、お客様の製品(機器)での性能・特性・機能などを保証するものではありません。部品単体の評価では 予測できない症状・事態を確認するためにも、お客様の製品で必要とされる評価・試験を必ず行って下さい。 弊社は、高品質・高信頼性の製品を供給することに努めております。しかし、半導体製品はある確率で故障 が生じてしまいます。この故障が原因となり、人命にかかわる事故、発煙・発火事故、他の物品に損害を与 えてしまう事故などを引き起こす可能性があります。機器設計時には、このような事故を起こさないような、 保護回路・誤動作防止回路等の安全設計、冗長設計・機構設計等の安全対策を行って下さい。 本書記載の製品が、外国為替及び外国貿易法に定める規制貨物(役務を含む)に該当する場合、輸出する 際に同法に基づく輸出許可が必要です。 弊社の承諾なしに、本書の一部または全部を、転載または複製することを禁止します。 本書に記載された内容は、製品改善および技術改良等により将来予告なしに変更することがあります。した がって、ご使用の際には、「納入仕様書」でご確認下さい。 この資料の情報(掲載回路および回路定数を含む)は一例を示すもので、量産セットとしての設計を保証す るものではありません。また、この資料は正確かつ信頼すべきものであると確信しておりますが、その使用 にあたって第3者の工業所有権その他の権利の実施に対する保証を行うものではありません。 PS No.8028-4/4
2SK3831
1. 物料型号:型号为“LM3S8962”。

2. 器件简介:LM3S8962是一款基于ARM Cortex-M3内核的32位微控制器,具有高性能、低功耗和丰富的外设接口。

3. 引脚分配:文档详细列出了所有引脚及其功能,包括电源、地、I/O、通信接口等。

4. 参数特性:包括工作电压、工作频率、内存大小、封装类型等。

5. 功能详解:详细介绍了微控制器的各个功能模块,如时钟系统、中断系统、外设接口等。

6. 应用信息:提供了该微控制器在不同应用场景中的使用案例和建议。

7. 封装信息:说明了微控制器的物理封装类型和尺寸。
2SK3831 价格&库存

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