注 文コード No. N 8 0 2 8
2SK3831
2SK3831
N チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ
汎用スイッチングデバイス
特長 ・低オン抵抗。 ・超高速スイッチング。 ・4V 駆動。 ・モータドライブ , DC / DC コンバータ用等。 ・アバランシェ保証。
絶対最大定格 Absolute Maximum Ratings / Ta=25℃ 項目 ドレイン・ソース電圧 ゲート・ソース電圧 ドレイン電流(DC) ドレイン電流(パルス) 許容損失 記号 VDSS VGSS ID IDP PD 条件 定格値 60 ± 20 85 340 2.5 100 150 − 55 ∼+ 150 271 85 unit V V A A W W ℃ ℃ mJ A
PW ≦ 10µs, duty cycle ≦ 1% Tc=25℃
チャネル温度 Tch 保存周囲温度 Tstg アバランシェエネルギー(単発)*1 EAS アバランシェ電流 *2 IAV *1. VDD=20V、L=50µH、IAV=85A *2. L ≦ 50µH、1 パルス 電気的特性 Electrical Characteristics / Ta=25℃ 項目 ドレイン・ソース降伏電圧 ドレイン・ソースしゃ断電流 ゲート・ソースもれ電流 ゲート・ソースしゃ断電圧 順伝達アドミタンス ドレイン・ソース間オン抵抗 入力容量 出力容量 帰還容量 単体品名表示:K3831 記号 V(BR)DSS IDSS IGSS VGS(off) yfs RDS(on)1 RDS(on)2 Ciss Coss Crss 条件 ID=1mA, VGS=0 VDS=60V, VGS=0 VGS= ± 16V, VDS=0 VDS=10V, ID=1mA VDS=10V, ID=43A ID=43A, VGS=10V ID=43A, VGS=4V VDS=20V, f=1MHz VDS=20V, f=1MHz VDS=20V, f=1MHz
min 60
定格値 typ
max 1 ± 10 2.6
unit V µA µA V S
1.2 30
50
10 13 mΩ 13 18 mΩ 5250 pF 780 pF 525 pF 次ページへ続く。
本書記載の製品は、極めて高度の信頼性を要する用途 (生命維持装置、 航空機のコントロールシステム等、 多大な人的・物的損害を及ぼす恐れのある用途) に対応する仕様にはなっておりません。そのような場合に は、あらかじめ三洋電機販売窓口までご相談下さい。 本書記載の規格値(最大定格、動作条件範囲等) を瞬時たりとも越えて使用し、その結果発生した機器の欠陥 について、弊社は責任を負いません。
〒370-0596 群馬県邑楽郡大泉町坂田一丁目1番1号 21405QA TS IM ◎川浦 TB-00000311 No.8028-1/4
2SK3831
前ページより続く。 項目 ターンオン遅延時間 立ち上がり時間 ターンオフ遅延時間 下降時間 総ゲート電荷量 ゲート・ソース電荷量 ゲート・ドレイン電荷量 ダイオード順電圧 記号 td(on) tr td(off) tf Qg Qgs Qgd VSD 条件 指定回路において 指定回路において 指定回路において 指定回路において VDS=30V, VGS=10V, ID=85A VDS=30V, VGS=10V, ID=85A VDS=30V, VGS=10V, ID=85A IS=85A, VGS=0 min 定格値 typ 40 370 355 315 113 19 28 1.18 max unit ns ns ns ns nC nC nC V
1.5
外形図 unit : mm 2056A
15.6 14.0
2.6
スイッチングタイム測定回路図
VIN
VDD=30V
3.2
3.5
4.8
2.0
10V 0V VIN ID=43A RL=0.7Ω
1.2 15.0 20.0
D
PW=10µs D.C.≦1%
VOUT
1.3
1.6
G
20.0
2.0 0.6
2SK3831 P.G 50Ω
1.0
1 0.6
2
3
1.4
1 : Gate 2 : Drain 3 : Source SANYO : TO-3PB
S
5.45
5.45
アバランシェ測定回路図
≥50Ω RG
L DUT
15V 0V
50Ω
VDD
No.8028-2/4
2SK3831
100
ID -- VDS
V V 8 .0
Tc=25°C
100 90
ID -- VGS
5°C
6 .0
ドレイン電流, ID -- A
10
80 70 60 50 40 30 20 10 0 0 0.2 0.4 0.6
4.0V
80
ドレイン電流, ID -- A
Tc= --2
90
70 60 50 40 30 20 10 0
VGS=3.0V
Tc =
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
25° C
75° C --25° C
3.5
4.0
25° C
4.5 5.0
ドレイン・ソース電圧, VDS -- V
IT07697
ドレイン・ソース間オン抵抗, RDS(on) -- mΩ
ドレイン・ソース間オン抵抗, RDS(on) -- mΩ
30
RDS(on) -- VGS
ゲート・ソース電圧, VGS -- V
25
RDS(on) -- Tc
ID=43A
25
20
20
15
15
Tc=75°C
10
25°C
--25°C
10
4V S= , VG V 43A =10 I D= , VGS 43A I D=
5
5
0 0 1.0 2.0 3.0 4.0 5.0 6.0 7.0 8.0 9.0 10
0 --50
--25
0
25
50
75
100
125
75 ° C
IT07698 150 IT07700 1.2 1.4 IT07702 100 110 120 IT07704
VDS=10V
ゲート・ソース電圧, VGS -- V
100 7 5 3
V
IT07699 100 7 5 3 2 10 7 5 3 2 1.0 7 5 3 2 0.1 7 5 3 2 0.01
yfs -- ID
ケース温度, Tc -- °C
IF -- VSD
VGS=0V
VDS=10V
順伝達アドミタンス, yfs -- S
7 5 3 2 1.0 7 5 0.1
7
5°C
2
3
5 7 1.0
2
3
5 7 10
2
3
10000
Ciss, Coss, Crss -- VDS
Ciss
f=1MHz
ドレイン電流, ID -- A
5 7 100 IT07701 10 9.0
0
0.2
0.4
Tc=7
T
5°C 25°C --25° C
0.6 0.8
10
--25 c=
°C
順電流, IF -- A
2
°C 25
1.0
ドレイン・ソース順電圧, VSD -- V
VGS -- Qg
7 5
ゲート・ソース電圧, VGS -- V
30
VDS=30V ID=85A
8.0 7.0 6.0 5.0 4.0 3.0 2.0 1.0
Ciss, Coss, Crss -- pF
3 2
1000
7 5
Coss
Crss
3 2
100
0
5
10
15
20
25
0 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90
ドレイン・ソース電圧, VDS -- V
IT07703
総ゲート電荷量, Qg -- nC
No.8028-3/4
2SK3831
1000
SW Time -- ID
td(off)
スイッチングタイム, SW Time -- ns
7 5 3 2
7 5 3 2
ASO
IDP=340A ID=85A <10µs
ドレイン電流, ID -- A
tf
100 7 5 3 2 10 7 5 3 2 1.0 7 5 3 2
10
10 µs
0µ s
100 7 5 3 2 10 0.1
tr
td(on)
Operation in this area is limited by RDS(on). Tc=25°C 1パルス セラミック基板
2 3 5 7 1.0 2 3
1m 10 s m DC 1 0 0 m s op s er ati on
VDD=30V VGS=10V
2 3 5 7 1.0 2 3 5 7 10 2 3
ドレイン電流, ID -- A
3.0
5 7 100 IT07705
0.1 0.1
5 7 10
2
3
PD -- Ta
ドレイン・ソース電圧, VDS -- V
120
5 7 100 IT07706
PD -- Tc
2.5
100
許容損失, PD -- W
2.0
許容損失, PD -- W
140 160
80
1.5
60
1.0
40
0.5
20
0 0 20 40 60 80 100 120
0 0 20 40 60 80 100 120 140 160
周囲温度, Ta -- °C
IT07708
ケース温度, Tc -- °C
IT07707
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PS No.8028-4/4