注文コード No. N 7 1 5 4
CPH5611
No.
N7154
41002
新
CPH5611
特長 ・低オン抵抗。 ・超高速スイッチング。 ・2.5V 駆動。
N チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ
超高速スイッチング用
・MOS 形電界効果トランジスタを1パッケージに2素子内蔵した複合タイプであり、高密度実装が可能 である。 絶対最大定格 Absolute Maximum Ratings / Ta=25℃ ドレイン・ソース電圧 ゲート・ソース電圧 ドレイン電流(DC) ドレイン電流(パルス) 許容損失 チャネル温度 保存周囲温度 VDSS VGSS ID IDP PD Tch Tstg PW ≦ 10µs, duty cycle ≦ 1% セラミック基板(600mm2 × 0.8mm)装着時 1unit 20 ± 10 3 12 0.9 150 − 55 ∼+ 150 min 20 typ unit V V A A W ℃ ℃ max 1 ± 10 0.4 3.4 1.3 4.8 54 73 280 60 38 70 102 unit V µA µA V S mΩ mΩ pF pF pF 次ページへ続く。
電気的特性 Electrical Characteristics / Ta=25℃ ドレイン・ソース降伏電圧 V(BR)DSS ID=1mA, VGS=0 ドレイン・ソースしゃ断電流 ゲート・ソースもれ電流 ゲート・ソースしゃ断電圧 順伝達アドミタンス ドレイン・ソース間オン抵抗 入力容量 出力容量 帰還容量 単体品名表示:FR
外形図 2168 (unit : mm)
2.9 5 4 3
IDSS IGSS VGS(off) yfs RDS(on)1 RDS(on)2 Ciss Coss Crss
VDS=20V, VGS=0 VGS= ± 8V, VDS=0 VDS=10V, ID=1mA VDS=10V, ID=1.5A ID=1.5A, VGS=4V ID=0.7A, VGS=2.5V VDS=10V, f=1MHz VDS=10V, f=1MHz VDS=10V, f=1MHz
0.6
本書記載の規格値(最大定格、動作条件範囲 等) を瞬時たりとも越えて使用し、その結果 発生した機器の欠陥について、弊社は責任 を負いません。
0.2
本書記載の製品は、極めて高度の信頼性を 要する用途 (生命維持装置、 航空機のコント ロールシステム等、多大な人的・物的損害 を及ぼす恐れのある用途) に対応する仕様に はなっておりません。そのような場合には、 あらかじめ三洋電機販売窓口までご相談下 さい。
1 0.95
2 0.4
0.6
1.6
2.8
0.05
1 : Drain1 2 : Drain2 3 : Gate2 4 : Source 5 : Gate1 SANYO : CPH5
0.4
〒370-0596 群馬県邑楽郡大泉町坂田一丁目1番1号
41002 TS IM ◎佐藤 TA-3487 No.7154-1/4
0.7
0.9
0.2
0.15
CPH5611
前ページより続く。 min ターンオン遅延時間 立ち上がり時間 ターンオフ遅延時間 下降時間 総ゲート電荷量 ゲート・ソース電荷量 ゲート・ドレイン電荷量 ダイオード順電圧 電気的接続図
5 4 3
typ 13 35 35 25 8.8 0.85 0.85 0.84
max
unit ns ns ns ns nC nC
td(on) tr td(off) tf Qg Qgs Qgd VSD
指定回路において 〃 〃 〃 VDS=10V, VGS=4V, ID=3A IS=3A, VGS=0
1.2
nC V
スイッチングタイム測定回路図
VIN VDD=10V
1 : Drain1 2 : Drain2 3 : Gate2 4 : Source 5 : Gate1
1 2 Top view
4V 0V VIN PW=10µs D.C.≦1% ID=1.5A RL=6.67Ω
D
VOUT
G
CPH5611 P.G 50Ω
S
3.0
ID -- VDS
10.0V 4.0V 2.5 V
1.8V
1.5 V
4.0 3.5
ID -- VGS
VDS=10V
2.5
ドレイン電流, ID -- A
2.0
ドレイン電流, ID -- A
3.0 2.5 2.0 1.5 1.0 0.5
1.5
VGS=1.0V
0.5
0 0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0
0 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6
ドレイン・ソース電圧, VDS -- V
ドレイン・ソース間オン抵抗, RDS(on) -- mΩ
160 140 120 100 80 60 40 20 0 0 2 4 6 8
IT03490
ドレイン・ソース間オン抵抗, RDS(on) -- mΩ
RDS(on) -- VGS
ゲート・ソース電圧, VGS -- V
140
25 °C --25°C
Ta=
75°
C
1.0
IT03491
RDS(on) -- Ta
Ta=25°C
120
100
1.5A ID=0.7A
80
0.7A I D=
=2.5 , VGS
V
60
.5A, I D=1
=4.0V VGS
40
20 0 --60
10 IT04047
--40
--20
0
20
40
60
80
100
120
140
160
ゲート・ソース電圧, VGS -- V
周囲温度, Ta -- °C
IT04048
No.7154-2/4
CPH5611
3 2
yfs -- ID
VDS=10V
10 7 5 3 2
IF -- VSD
VGS=0
順伝達アドミタンス, yfs -- S
10 7 5 3 2 1.0 7 5 3 2
0.1 0.01
Ta
-2 =-
C 5°
C 75°
順電流, IF -- A
C 25°
1.0 7 5 3 2 0.1 7 5 3 2
2
3
5 7 0.1
2
3
5 7 1.0
2
3
ドレイン電流, ID -- A
3
5 7 10 IT03494
0.01 0.2
0.3
0.4
0.5
Ta= 75° C 25° C --25 °C
0.6 0.7 0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
SW Time -- ID
スイッチングタイム, SW Time -- ns
2 100 7 5 3 2 10 7 5 3 2 1.0 0.1
VDD=10V VGS=4V
1000 7 5
Ciss, Coss, Crss -- VDS
f=1MHz
ダイオード順電圧, VSD -- V
IT03495
td(off)
tr
Ciss, Coss, Crss -- pF
3 2
Ciss
tf
td(on)
100 7 5 3 2
Coss
Crss
10 2 3 5 7 1.0 2 3 5
ドレイン電流, ID -- A
4.0 3.5 3.0 2.5 2.0 1.5 1.0 0.5 0 0 1 2 3 4 5 6 7 8
10 IT03496 2 10 7 5
7
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
VGS -- Qg
ドレイン・ソース電圧, VDS -- V
IT03497
ASO
ゲート・ソース電圧, VGS -- V
VDS=10V ID=3A
IDP=12A ID=3A
ドレイン電流, ID -- A
3 2 1.0 7 5 3 2 0.1 7 5 3 2
DC
op
10 0m s er at io n
<10µs 10 0µ 1m s s 10 m s
Operation in this area is limited by RDS(on). Ta=25°C 1パルス セラミック基板(600mm2×0.8mm)装着時 1unit
2 3 5 7 0.1 2 3 5 7 1.0 2 3 5 7 10 2 3
9
10
0.01 0.01
総ゲート電荷量, Qg -- nC
1.0 0.9 0.8
IT03498
PD -- Ta
セ ラ
ドレイン・ソース電圧, VDS -- V
IT04049
ミ
ッ
許容損失, PD -- W
ク
基
0.6
板
(6
00
m
m2 ×
0.4
0.
8m
m
)装
着
0.2
時
1u
ni
t
160
0 0 20 40 60 80 100 120 140
周囲温度, Ta -- °C
IT04050
No.7154-3/4
CPH5611
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PS No.7154-4/4
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