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CPH5810

CPH5810

  • 厂商:

    SANYO(三洋)

  • 封装:

  • 描述:

    CPH5810 - CPH5810 - Sanyo Semicon Device

  • 数据手册
  • 价格&库存
CPH5810 数据手册
注 文コード No. N 8 2 0 6 CPH5810 CPH5810 MOSFET : P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード 汎用スイッチングデバイス 特長 ・P チャネル MOS 形電界効果トランジスタ (MCH3312) とショットキバリアダイオード (SBS001) 1 パッケージ を  に内蔵した複合タイプであり、高密度実装が可能である。 ・ [MOS] ・低オン抵抗。 ・超高速スイッチング。 ・4V 駆動。 ・ [SBD] ・逆回復時間が短い。 ・低順電圧。 絶対最大定格 Absolute Maximum Ratings / Ta=25℃ 項目 [MOSFET 部] ドレイン・ソース電圧 ゲート・ソース電圧 ドレイン電流 (DC) ドレイン電流 (パルス) 許容損失 チャネル温度 保存周囲温度 [SBD 部] 記号 VDSS VGSS ID IDP PD Tch Tstg 条件 定格値 − 30 ± 20 PW ≦ 10µs, duty cycle ≦ 1% セラミック基板(600mm2 × 0.8mm)装着時 1unit −2 −8 0.9 150 − 55 ∼+ 125 11 15 50Hz 正弦波 1 サイクル 500 5 − 55 ∼+ 125 − 55 ∼+ 125 unit V V A A W ℃ ℃ V V mA A ℃ ℃ 繰り返しピーク逆電圧 VRRM 非繰り返しピーク逆サージ電圧 VRSM 平均整流電流 IO サージ順電流 IFSM 接合部温度 保存周囲温度 単体品名表示:QL Tj Tstg 本書記載の製品は、極めて高度の信頼性を要する用途 (生命維持装置、 航空機のコントロールシステム等、 多大な人的・物的損害を及ぼす恐れのある用途) に対応する仕様にはなっておりません。そのような場合に は、あらかじめ三洋電機販売窓口までご相談下さい。 本書記載の規格値(最大定格、動作条件範囲等) を瞬時たりとも越えて使用し、その結果発生した機器の欠陥 について、弊社は責任を負いません。 〒370-0596 群馬県邑楽郡大泉町坂田一丁目1番1号 12805PE TS IM ◎川浦 TA-100105 No.8206-1/5 CPH5810 電気的特性 Electrical Characteristics / Ta=25℃ 項目 [MOSFET 部] ドレイン・ソース降伏電圧 ドレイン・ソースしゃ断電流 ゲート・ソースもれ電流 ゲート・ソースしゃ断電圧 順伝達アドミタンス ドレイン・ソース間オン抵抗 入力容量 出力容量 帰還容量 ターンオン遅延時間 立ち上がり時間 ターンオフ遅延時間 下降時間 総ゲート電荷量 ゲート・ソース電荷量 ゲート・ドレイン電荷量 ダイオード順電圧 [SBD 部] 逆電圧 順電圧 逆電流 端子間容量 逆回復時間 外形図 unit : mm 2171 5 2.9 5 4 3 記号 条件 定格値 min − 30 −1 − 1.2 1.4 2.0 110 205 200 47 32 7.2 2.9 21 8.7 5.5 0.98 0.82 − 0.85 11 0.4 50 10 0.45 200 − 1.5 ± 10 − 2.6 145 290 typ max unit V(BR)DSS IDSS IGSS VGS(off) yfs RDS(on)1 RDS(on)2 Ciss Coss Crss td(on) tr td(off) tf Qg Qgs Qgd VSD VR VF IR C trr ID= − 1mA, VGS=0 VDS= − 30V, VGS=0 VGSS= ± 16V, VDS=0 VDS= − 10V, ID= − 1mA VDS= − 10V, ID= − 1A ID= − 1A, VGS= − 10V ID= − 500mA, VGS= − 4V VDS= − 10V, f=1MHz VDS= − 10V, f=1MHz VDS= − 10V, f=1MHz 指定回路において 指定回路において 指定回路において 指定回路において VDS= − 10V, VGS= − 10V, ID= − 2A VDS= − 10V, VGS= − 10V, ID= − 2A VDS= − 10V, VGS= − 10V, ID= − 2A IS= − 2A, VGS=0 IR=400µA IF=500mA VR=6V VR=10V, f=1MHz サイクル IF=IR=100mA, 指定回路において 電気的接続図 V µA µA V S mΩ mΩ pF pF pF ns ns ns ns nC nC nC V V V µA pF ns 4 3 0.6 0.6 1.6 2.8 0.05 0.2 0.15 1 : Cathode 2 : Drain 3 : Gate 4 : Source 5 : Anode 1 2 Top view 1 0.95 2 0.4 1 : Cathode 2 : Drain 3 : Gate 4 : Source 5 : Anode SANYO : CPH5 0.2 0.4 0.7 0.9 No.8206-2/5 CPH5810 スイッチングタイム測定回路図 (MOSFET 部) VIN 0V --10V VIN D PW=10µs D.C.≦1% G ID= --1A RL=15Ω VOUT VDD= --15V trr 指定回路図 (SBD 部) Duty≦10% 100mA 10µs --5V 100mA 50Ω 100Ω 10Ω trr CPH5810 P.G 50Ω S --2.0 ID -- VDS V [MOSFET部] --5.0 --4.5 --4.0 ID -- VGS VDS= --10V [MOSFET部] V --10.0 --6.0 --1.6 ドレイン電流, ID -- A --4. 0V --3. --1.2 5V ドレイン電流, ID -- A --3.5 --3.0 --2.5 --2.0 --0.8 VGS= --3.0V --0.4 --1.0 --0.5 0 0 --0.1 --0.2 --0.3 --0.4 --0.5 --0.6 --0.7 --0.8 --0.9 --1.0 0 0 --0.5 --1.0 --1.5 --2.0 --2.5 25 °C °C --25°C --1.5 Ta =75 --3.0 --3.5 --4.0 --4.5 ドレイン・ソース間オン抵抗, RDS(on) -- mΩ 400 350 300 250 ドレイン・ソース間オン抵抗, RDS(on) -- mΩ ドレイン・ソース電圧, VDS -- V IT03223 RDS(on) -- VGS [MOSFET部] Ta=25°C 400 350 300 250 200 150 100 50 0 --60 ゲート・ソース電圧, VGS -- V IT03224 RDS(on) -- Ta [MOSFET部] --1.0A 200 -I D= --4V S= A, VG 0.5 ID= --0.5A 150 100 50 0 0 --2 --4 --6 --8 --10 --12 --14 --16 --18 --20 .0 I D= --1 = --10V A, V GS --40 --20 0 20 40 60 80 100 120 140 ゲート・ソース電圧, VGS -- V IT03225 周囲温度, Ta -- °C IT03226 No.8206-3/5 10mA 160 CPH5810 10 7 yfs -- ID [MOSFET部] VDS= --10V --10 7 5 3 2 IF -- VSD [MOSFET部] VGS=0 順伝達アドミタンス, yfs -- S 5 3 2 25 1.0 7 5 3 2 = -Ta °C 25 75 °C 順電流, IF -- A °C --1.0 7 5 3 2 --0.1 7 5 3 2 Ta=7 5°C --0.3 --0.4 --0.5 --0.6 0.1 --0.01 2 3 5 7 --0.1 2 3 5 7 --1.0 2 3 ドレイン電流, ID -- A 2 5 7 --10 IT03227 --0.01 --0.2 --0.7 --25°C --0.8 --0.9 25°C --1.0 --1.1 --1.2 SW Time -- ID [MOSFET部] 3 2 Ciss, ダイオード順電圧, VSD -- V IT03228 Coss, Crss -- VDS [MOSFET部] f=1MHz スイッチングタイム, SW Time -- ns 100 7 5 3 2 10 7 5 3 2 VDD= --15V VGS= --10V Ciss, Coss, Crss -- pF Ciss 100 7 5 td(off) td(on) tf Coss 3 2 Crss tr 1.0 --0.1 10 2 3 5 7 --1.0 2 3 5 IT03229 0 --5 --10 --15 --20 --25 --30 ドレイン電流, ID -- A --10 --9 VGS -- Qg [MOSFET部] 2 --10 7 5 ドレイン・ソース電圧, VDS -- V IT03230 [MOSFET部] ASO ゲート・ソース電圧, VGS -- V VDS= --10V ID= --2A ドレイン電流, ID -- A IDP= --8A ID= --2A --8 --7 --6 --5 --4 --3 --2 --1 0 0 1 2 3 4 5 6 3 2 --1.0 7 5 3 2 --0.1 7 5 3 2 D C 10
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