CPH5820

注文コード No. N 7 3 8 2 CPH5820 No. N7382 D2503 新 CPH5820 特長 MOSFET : P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード DC / DC コンバータ用 ・P チャネル MOS 形電界効果トランジスタ （MCH3308） とショットキバリアダイオード （SBS006M） を  1 パッケージに内蔵した複合タイプであり、高密度実装が可能である。 ・ ［MOS］ 1)低オン抵抗。 2)超高速スイッチング。 3)4V 駆動。 ・ ［SBD］ 1)逆回復時間が短い。 2)低順電圧。 絶対最大定格 Absolute Maximum Ratings / Ta=25℃ ［MOSFET 部］ ドレイン・ソース電圧 ゲート・ソース電圧 ドレイン電流（DC） ドレイン電流（パルス） 許容損失 チャネル温度 保存周囲温度 ［SBD 部］ 繰り返しピーク逆電圧 VRRM 非繰り返しピーク逆サージ電圧 VRSM 平均整流電流 サージ電流 接合部温度 保存周囲温度 単体品名表示：QW 電気的接続図 5 5 4 3 VDSS VGSS ID IDP PD Tch Tstg PW ≦ 10µs, duty cycle ≦ 1% セラミック基板(600mm2 × 0.8mm)装着時 1unit − 30 ± 20 −1 −4 0.8 150 − 55 ∼＋ 125 unit V V A A W ℃ ℃ unit 30 30 50Hz 正弦波 1 サイクル 0.5 3 − 55 ∼＋ 125 − 55 ∼＋ 125 V V A A ℃ ℃ IO IFSM Tj Tstg 外形図 2171 (unit : mm) 2.9 0.2 0.15 4 3 0.6 1 : Cathode 2 : Drain 3 : Gate 4 : Source 5 : Anode (Top view) 1 2 1 0.95 2 0.4 0.6 1.6 2.8 0.05 1 : Cathode 2 : Drain 3 : Gate 4 : Source 5 : Anode SANYO : CPH5 0.2 0.4 本書記載の製品は、極めて高度の信頼性を要する用途 （生命維持装置、 航空機のコントロールシステム等、 多大な人的・物的損害を及ぼす恐れのある用途） に対応する仕様にはなっておりません。そのような場合に は、あらかじめ三洋電機販売窓口までご相談下さい。 本書記載の規格値(最大定格、動作条件範囲等) を瞬時たりとも越えて使用し、その結果発生した機器の欠陥 について、弊社は責任を負いません。 〒370-0596 群馬県邑楽郡大泉町坂田一丁目1番1号 D2503 TS IM ◎佐藤 TA-3808 No.7382-1/5 0.7 0.9 CPH5820 電気的特性 Electrical Characteristics / Ta=25℃ （1） MOSFET 部 ドレイン・ソース降伏電圧 ドレイン・ソースしゃ断電流 ゲート・ソースもれ電流 ゲート・ソースしゃ断電圧 順伝達アドミタンス ドレイン・ソース間オン抵抗 入力容量 出力容量 帰還容量 ターンオン遅延時間 立ち上がり時間 ターンオフ遅延時間 下降時間 総ゲート電荷量 ゲート・ソース電荷量 ゲート・ドレイン電荷量 ダイオード順電圧 （2） SBD 部 逆電圧 順電圧 逆電流 端子間容量 逆回復時間 VR VF1 VF2 IR C trr IR=0.5mA IF=0.3A IF=0.5A VR=10V VR=10V, f=1MHz IF=IR=100mA, 指定回路において V(BR)DSS IDSS IGSS VGS(off) yfs RDS(on)1 RDS(on)2 Ciss Coss Crss td(on) tr td(off) tf Qg Qgs Qgd VSD ID= − 1mA, VGS=0 VDS= − 30V, VGS=0 VGS= ± 16V, VDS=0 VDS= − 10V, ID= − 1mA VDS= − 10V, ID= − 500mA ID= − 500mA, VGS= − 10V ID= − 300mA, VGS= − 4V VDS= − 10V, f=1MHz VDS= − 10V, f=1MHz VDS= − 10V, f=1MHz 指定回路において     〃     〃     〃 VDS= − 10V, VGS= − 10V, ID= − 1A IS= − 1A, VGS=0 min 30 0.35 0.42 20 10 0.40 0.47 200 min − 30 −1 − 1.2 570 820 430 780 80 15 13 7 20 15 7 2.6 0.5 0.6 − 0.9 typ − 1.5 max ± 10 − 2.6 560 1090 typ max unit V µA µA V mS mΩ mΩ pF pF pF ns ns ns ns nC nC nC V unit V V V µA pF ns スイッチングタイム測定回路図 （MOSFET 部） VIN 0V --10V VIN ID= --500mA RL=30Ω VDD= --15V trr 指定回路図 （SBD 部） Duty≦10% 100mA 10mA D PW=10µs D.C.≦1% VOUT 10µs --5V G 100mA 50Ω 100Ω 10Ω trr CPH5820 P.G 50Ω S No.7382-2/5 CPH5820 --2.0 ID -- VDS -6 V [MOSFET部] --1.4 ID -- VGS VDS= --10V [MOSFET部] Ta = 75° --25°C C °C --1.5 --2.0 --2.5 ドレイン電流, ID -- A ドレイン電流, ID -- A --1.5 --8V V -5 --4V --1.2 --1.0 --0.8 --1.0 --10 V VGS= --3V --0.5 --0.4 --0.2 0 0 --0.2 --0.4 --0.6 --0.8 --1.0 --1.2 --1.4 --1.6 --1.8 --2.0 0 0 --0.5 --1.0 --25 °C 25 Ta= 75° C --0.6 --3.0 --3.5 ドレイン・ソース間オン抵抗, RDS(on) -- mΩ 1400 ドレイン・ソース間オン抵抗, RDS(on) -- mΩ ドレイン・ソース電圧, VDS -- V IT03181 RDS(on) -- VGS [MOSFET部] Ta=25°C 1200 ゲート・ソース電圧, VGS -- V IT03182 RDS(on) -- Ta [MOSFET部] 1200 1000 1000 ID= --0.3A 800 --0.5A 800 A --0.3 I D= = --4 , VGS V 600 600 400 --10V V S= --0.5A, G I D= 400 200 0 0 --1 --2 --3 --4 --5 --6 --7 --8 --9 --10 200 0 --60 --40 --20 0 20 40 60 80 100 120 140 3 2 ゲート・ソース電圧, VGS -- V IT03183 yfs -- ID [MOSFET部] VDS= --10V 周囲温度, Ta -- °C 3 2 --1.0 7 IT03184 IF -- VSD [MOSFET部] VGS=0 順伝達アドミタンス, yfs -- S 順電流, IF -- A 1.0 7 5 C 2 5° 5 3 2 --0.1 7 5 Ta 3 2 °C -25 =- °C 75 3 2 0.1 --0.01 --0.01 2 3 5 7 --0.1 2 3 5 7 --1.0 2 3 0 --0.2 --0.4 --0.6 --0.8 --1.0 --1.2 --1.4 ドレイン電流, ID -- A 100 IT03185 SW Time -- ID [MOSFET部] 100 7 5 ダイオード順電圧, VSD -- V IT03186 Ciss, Coss, Crss -- VDS [MOSFET部] Ciss f=1MHz スイッチングタイム, SW Time -- ns 7 5 3 VDD= --15V VGS= --10V tr Ciss, Coss, Crss -- pF 3 2 2 td(off) 10 7 5 3 2 10 7 5 3 2 td(on) 1.0 --0.01 1.0 2 3 5 7 --0.1 2 3 5 7 --1.0 2 3 ドレイン電流, ID -- A 5 7 --10 IT03187 0 --5 --10 Ta=75 °C 25°C --25°C Coss Crss --15 --20 --25 ドレイン・ソース電圧, VDS -- V IT03188 No.7382-3/5 25° C --4.0 160 --30 tf CPH5820 --10 VGS -- Qg VDS= --10V ID= --1.4A [MOSFET部] --10 7 5 3 2 --1.0 7 5 3 2 --0.1 7 5 3 2 ASO IDP= --4A [MOSFET部]