CPH5835

注 文コード No. N 8 2 0 7 CPH5835 CPH5835 MOSFET : P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード 汎用スイッチングデバイス 特長 ・P チャネル MOS 形電界効果トランジスタ(MCH3309)とショットキバリアダイオード( SBS010M)を 1 パッケージに 内蔵した複合タイプであり、高密度実装が可能である。 ・ ［MOS］ ・低オン抵抗。 ・超高速スイッチング。 ・低電圧駆動。 ・ ［SBD］ ・逆回復時間が短い。 ・低順電圧。 絶対最大定格 Absolute Maximum Ratings / Ta=25℃ 項目 [MOSFET 部] ドレイン・ソース電圧 ゲート・ソース電圧 ドレイン電流 （DC） ドレイン電流 （パルス） 許容損失 チャネル温度 保存周囲温度 [SBD 部] 記号 VDSS VGSS ID IDP PD Tch Tstg PW ≦ 10µs, duty cycle ≦ 1% セラミック基板(600mm2 × 0.8mm)装着時 1unit 条件 定格値 − 20 ± 10 − 1.5 − 6.0 0.9 150 − 55 ∼＋ 125 15 15 50Hz 正弦波 1 サイクル 2 10 − 55 ∼＋ 125 − 55 ∼＋ 125 unit V V A A W ℃ ℃ V V A A ℃ ℃ 繰り返しピーク逆電圧 VRRM 非繰り返しピーク逆サージ電圧 VRSM 平均整流電流 IO サージ電流 IFSM 接合部温度 保存周囲温度 単体品名表示：XM Tj Tstg 本書記載の製品は、極めて高度の信頼性を要する用途 （生命維持装置、 航空機のコントロールシステム等、 多大な人的・物的損害を及ぼす恐れのある用途） に対応する仕様にはなっておりません。そのような場合に は、あらかじめ三洋電機販売窓口までご相談下さい。 本書記載の規格値(最大定格、動作条件範囲等) を瞬時たりとも越えて使用し、その結果発生した機器の欠陥 について、弊社は責任を負いません。 〒370-0596 群馬県邑楽郡大泉町坂田一丁目1番1号 12805PE TS IM ◎川浦 TB-00001006 No.8207-1/5 CPH5835 電気的特性 Electrical Characteristics / Ta=25℃ 項目 [MOSFET 部] ドレイン・ソース降伏電圧 ドレイン・ソースしゃ断電流 ゲート・ソースもれ電流 ゲート・ソースしゃ断電圧 順伝達アドミタンス ドレイン・ソース間オン抵抗 入力容量 出力容量 帰還容量 ターンオン遅延時間 立ち上がり時間 ターンオフ遅延時間 下降時間 総ゲート電荷量 ゲート・ソース電荷量 ゲート・ドレイン電荷量 ダイオード順電圧 [SBD 部] 逆電圧 順電圧 逆電流 端子間容量 逆回復時間 熱抵抗 外形図 unit : mm 2171 5 4 3 記号 条件 定格値 min − 20 −1 − 0.4 1.3 2.3 180 240 350 290 40 25 10 35 32 27 3.2 0.8 0.6 − 0.87 15 0.27 0.30 65 15 138 0.32 0.35 600 − 1.2 235 340 600 ± 10 − 1.3 typ max unit V(BR)DSS IDSS IGSS VGS(off) yfs RDS(on)1 RDS(on)2 RDS(on)3 Ciss Coss Crss td(on) tr td(off) tf Qg Qgs Qgd VSD VR VF1 VF2 IR C trr Rth(j-a) ID= − 1mA, VGS=0 VDS= − 20V, VGS=0 VGS= ± 8V, VDS=0 VDS= − 10V, ID= − 1mA VDS= − 10V, ID= − 800mA ID= − 800mA, VGS= − 4V ID= − 400mA, VGS= − 2.5V ID= − 70mA, VGS= − 1.8V VDS= − 10V, f=1MHz VDS= − 10V, f=1MHz VDS= − 10V, f=1MHz 指定回路において 指定回路において 指定回路において 指定回路において VDS= − 10V, VGS= − 4V, ID= − 1.5A VDS= − 10V, VGS= − 4V, ID= − 1.5A VDS= − 10V, VGS= − 4V, ID= − 1.5A IS= − 1.5A, VGS=0 IR=1.5mA IF=0.5A IF=1A VR=6V VR=10V, f=1MHz サイクル IF=IR=100mA, 指定回路において セラミック基板 （600mm2 × 0.8mm） 装着時 電気的接続図 V µA µA V S mΩ mΩ mΩ pF pF pF ns ns ns ns nC nC nC V V V V µA pF ns °C / W 2.9 5 4 3 0.6 1.6 2.8 0.05 0.2 0.15 1 : Cathode 2 : Drain 3 : Gate 4 : Source 5 : Anode 1 2 0.6 Top view 1 0.95 2 0.4 1 : Cathode 2 : Drain 3 : Gate 4 : Source 5 : Anode SANYO : CPH5 0.2 0.4 0.7 0.9 No.8207-2/5 CPH5835 スイッチングタイム測定回路図 （MOSFET 部） VIN 0V --4V VIN D PW=10µs D.C.≦1% G ID= --800mA RL=12.5Ω VOUT VDD= --10V trr 指定回路図 （SBD 部） Duty≦10% 100mA 10mA 10µs --5V 100mA 50Ω 100Ω 10Ω trr MCH5835 P.G 50Ω S --2.0 ID -- VDS V --3 --2. .0V 5V [MOSFET部] --2.0 --1.8 ID -- VGS [MOSFET部] VDS= --10V --1.8 --1.6 --4.0 .0 V ドレイン電流, ID -- A --6.0 -2 --1.6 V ドレイン電流, ID -- A --1.4 --1.2 --1.0 --0.8 --0.6 --0.4 --0.2 0 0 --0.1 --1.4 --1.2 --1.0 --0.8 --0.6 --0.4 --0.2 0 VGS= --1.5V --0.2 --0.3 --0.4 --0.5 --0.6 --0.7 --0.8 --0.9 --1.0 0 --0.5 --1.0 Ta= 75 ° C --25 °C 25°C --1.5 --2.0 --2.5 ドレイン・ソース間オン抵抗, RDS(on) -- mΩ 600 ドレイン・ソース間オン抵抗, RDS(on) -- mΩ ドレイン・ソース電圧, VDS -- V IT02731 RDS(on) -- VGS [MOSFET部] Ta=25°C 500 ゲート・ソース電圧, VGS -- V IT02732 RDS(on) -- Ta [MOSFET部] 500 400 400 --0.8A 300 300 ID= --0.4A 200 200 5V = --2. , VGS --0.4A V I D= = --4.0 , V GS --0.8A I D= 100 100 0 0 --1 --2 --3 --4 --5 --6 --7 --8 --9 --10 0 --60 --40 --20 0 20 40 60 80 100 120 140 160 ゲート・ソース電圧, VGS -- V IT02733 周囲温度, Ta -- °C IT02734 No.8207-3/5 CPH5835 10 7 yfs -- ID [MOSFET部] VDS= --10V --10 7 5 3 2 IF -- VSD [MOSFET部] VGS=0 順伝達アドミタンス, yfs -- S 5 3 2 1.0 7 5 3 2 0.1 --0.01 Ta = -- 2 5°C 順電流, IF -- A C 25° --1.0 7 5 3 2 --0.1 7 5 3 2 C 75° --0.01 2 3 5 7 --0.1 2 3 5 7 --1.0 2 3 5 0 --0.2 --0.4 --0.6 --0.8 --1.0 --1.2 --1.4 ドレイン電流, ID -- A 100 IT02735 SW Time -- ID [MOSFET部] スイッチングタイム, SW Time -- ns 7 5 VDD= --10V VGS= --4V Ciss, Coss, Crss -- pF td(off) 1000 7 5 3 2 ダイオード順電圧, VSD -- V IT02736 Ciss, Coss, Crss -- VDS [MOSFET部] f=1MHz 3 2 tf 100 7 5 3 2 10 7 5 3 3 5 7 --0.1 2 3 tr td(on) 10 5 7 --1.0 2 3 5 0 --5 --10 --15 --20 ドレイン電流, ID -- A --4 IT02737 VGS -- Qg [MOSFET部] --10 7 5 3 2 --1.0 7 5 3 2 --0.1 7 5 3 2 ドレイン・ソース電圧, VDS -- V IT02738 [MOSFET部] ASO ゲート・ソース電圧, VGS -- V VDS= --10V ID= --1.5A ドレイン電流, ID -- A IDP= --6.0A Ta=7 5°C 25°C --25°C Ciss Coss Crss --3 ID= --1.5A D 10 C op er at