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CPH6516

CPH6516

  • 厂商:

    SANYO(三洋)

  • 封装:

  • 描述:

    CPH6516 - CPH6516 - Sanyo Semicon Device

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
CPH6516 数据手册
注文コード No. N 7 4 0 3 CPH6516 No. N7403 22004 新 CPH6516 特長 PNP エピタキシァルプレーナ形シリコン複合トランジスタ 低周波一般増幅用 ・従来の CPH にトランジスタを 2 素子内蔵した複合タイプであり、実装基板効率が大幅に向上できる。 ・CPH6516 は、2SA1745 相当のチップ 2 個を同一ケース内に収容したものである。 ・コレクタ・エミッタ飽和電圧が低い。 ・熱的平衡性およびペア性に優れている。 絶対最大定格 Absolute Maximum Ratings / Ta=25℃ コレクタ・ベース電圧 VCBO コレクタ・エミッタ電圧 エミッタ・ベース電圧 コレクタ電流 コレクタ電流(パルス) ベース電流 コレクタ損失 全損失 接合部温度 保存周囲温度 VCEO VEBO IC ICP IB PC PT Tj Tstg 1unit − 20 − 15 −5 − 500 −1 − 100 350 500 150 − 55 ∼+ 150 min typ unit V V V mA A mA mW mW ℃ ℃ max − 0.1 − 0.1 560 unit µA µA 電気的特性 Electrical Characteristics / Ta=25℃ コレクタしゃ断電流 ICBO VCB= − 15V, IE=0 エミッタしゃ断電流 直流電流増幅率 直流電流増幅率比 IEBO VEB= − 4V, IC=0 hFE1 VCE= − 2V, IC= − 10mA hFE2 VCE= − 2V, IC= − 400mA hFE(小 / 大)VCE= − 2V, IC= − 10mA 160 70 0.8 0.98 次ページへ続く。 注) 各規格は個々のトランジスタに対しての特性を表わしている。 単体品名表示:3A 電気的接続図 C1 B2 E2 TR2 TR1 外形図 2212 (unit : mm) 6 5 4 0.6 0.2 2.9 0.15 B1 E1 C2 (Top view) 0.05 1.6 2.8 本 書記載の製品は、極めて高度の信頼性を 要する用途 (生命維持装置、 航空機のコント ロールシステム等、多大な人的・物的損害 を及ぼす恐れのある用途) に対応する仕様に はなっておりません。そのような場合には、 あ らかじめ三洋電機販売窓口までご相談下 さい。 本書記載の規格値(最大定格、動作条件範囲 等) を瞬時たりとも越えて使用し、その結果 発生した機器の欠陥について、弊社は責任 を負いません。 1 2 0.4 0.7 0.9 0.2 3 0.95 0.6 1 : Base 1 2 : Emitter 1 3 : Collector 2 4 : Emitter 2 5 : Base 2 6 : Collector 1 SANYO : CPH6 〒370-0596 群馬県邑楽郡大泉町坂田一丁目1番1号 22004 TS IM ◎佐藤 TA-100339 No.7403-1/3 CPH6516 前ページより続く。 min 利得帯域幅積 出力容量 コレクタ・エミッタ飽和電圧 ベース・エミッタ飽和電圧 コレクタ・ベース降伏電圧 コレクタ・エミッタ降伏電圧 エミッタ・ベース降伏電圧 fT Cob VCE(sat)1 VCE(sat)2 VCE= − 2V, IC= − 50mA VCE= − 10V, f=1MHz IC= − 5mA, IB= − 0.5mA IC= − 200mA, IB= − 10mA − 20 − 15 −5 typ 400 6.5 − 15 − 200 − 0.95 − 35 − 360 − 1.2 max unit MHz pF mV mV V V V V VBE(sat) IC= − 200mA, IB= − 10mA V(BR)CBO IC= − 10µA, IE=0 V(BR)CEO IC= − 1mA, RBE=∞ V(BR)EBO IE= − 10µA, IC=0 --200 IC -- VCE --1. 4m 2 --1. A mA --600 IC -- VBE VCE= --2V --1.0mA --500 --160 コレクタ電流, IC -- mA コレクタ電流, IC -- mA --0.8mA --0.6mA --0.4mA --400 --120 --300 --80 --0.2mA --40 --100 0 0 --0.4 --0.8 --1.2 IB=0 --1.6 --2.0 ITR10434 0 0 --0.2 --0.4 --0.6 --0.8 --1.0 --1.2 --1.4 コレクタ・エミッタ電圧, VCE -- V 1000 7 5 hFE -- IC ベース・エミッタ電圧, VBE -- V 2 Ta= 75 25° °C --25° C C --200 ITR10435 f T -- IC VCE= --2V 1000 VCE= --2V 直流電流増幅率, hFE 3 2 Ta=75°C 25°C 利得帯域幅績, f T -- MHz 7 --100 2 3 5 7 7 5 --25°C 3 2 100 7 5 3 2 --1.0 2 3 5 7 --10 2 3 5 100 7 5 5 7 --10 2 3 5 7 --100 2 3 5 コレクタ電流, IC -- mA 5 3 2 ITR10436 コレクタ・エミッタ飽和電圧, VCE(sat) -- mV Cob -- VCB コレクタ電流, IC -- mA 5 3 2 ITR10437 VCE(sat) -- IC f=1MHz IC / IB=20 出力容量, Cob -- pF --1000 7 5 3 2 --100 7 5 3 2 --10 5 7 --1.0 2 3 5 7 --10 2 3 5 7 --100 2 3 57 10 7 5 3 2 °C 25 Ta= C 75° °C --25 1.0 5 7 --1.0 2 3 5 7 --10 2 3 コレクタ・ベース電圧, VCB -- V ITR10438 コレクタ電流, IC -- mA ITR10439 No.7403-2/3 CPH6516 ベース・エミッタ飽和電圧, VBE(sat) -- V --10 7 5 VBE(sat) -- IC IC / IB=20 2 --1.0 7 ASO ICP= --1.0A IC= --0.5A 100µs s 1m s m s 10 0m 10 コレクタ電流, IC -- A 5 3 2 --0.1 7 5 3 2 D 3 2 C op er at io n Ta =2 --1.0 7 5 3 5 7 --1.0 2 Ta= --25°C 25°C 5° C 75°C 3 5 7 --10 2 3 5 7 --100 2 3 57 --0.01 --0.1 2 3 5 7 --1.0 2 3 5 7 --10 2 3 コレクタ電流, IC -- mA 600 ITR10440 PC -- Ta コレクタ・エミッタ電圧, VCE -- V IT05367 500 コレクタ損失, PC -- mW 400 350 300 全 1u 損 失 200 nit 100 0 0 25 50 75 100 125 150 175 IT05368 周囲温度, Ta -- °C 本書記載の製品は、定められた条件下において、記載部品単体の性能・特性・機能などを規定するものであ り、お客様の製品(機器)での性能・特性・機能などを保証するものではありません。部品単体の評価では 予測できない症状・事態を確認するためにも、お客様の製品で必要とされる評価・試験を必ず行って下さい。 弊社は、高品質・高信頼性の製品を供給することに努めております。しかし、半導体製品はある確率で故障 が生じてしまいます。この故障が原因となり、人命にかかわる事故、発煙・発火事故、他の物品に損害を与 えてしまう事故などを引き起こす可能性があります。機器設計時には、このような事故を起こさないような、 保護回路・誤動作防止回路等の安全設計、冗長設計・機構設計等の安全対策を行って下さい。 本書記載の製品が、外国為替及び外国貿易法に定める規制貨物(役務を含む)に該当する場合、輸出する 際に同法に基づく輸出許可が必要です。 弊社の承諾なしに、本書の一部または全部を、転載または複製することを禁止します。 本書に記載された内容は、製品改善および技術改良等により将来予告なしに変更することがあります。した がって、ご使用の際には、「納入仕様書」でご確認下さい。 この資料の情報(掲載回路および回路定数を含む)は一例を示すもので、量産セットとしての設計を保証す るものではありません。また、この資料は正確かつ信頼すべきものであると確信しておりますが、その使用 にあたって第3者の工業所有権その他の権利の実施に対する保証を行うものではありません。 PS No.7403-3/3
CPH6516
### 物料型号 - 型号:CPH6516 - 制造商:SANYO(三洋)

### 器件简介 - CPH6516是一款PNP双极型晶体管,内含两个晶体管,用于低频一般放大。 - 特点包括提高安装基板效率,低饱和电压,优异的热稳定性和参数性能。

### 引脚分配 - 1: Base 1 - 2: Emitter 1 - 3: Collector 2 - 4: Emitter 2 - 5: Base 2 - 6: Collector 1

### 参数特性 - 最大额定值(Absolute Maximum Ratings): - 集电极-基极电压(VCBO):-20V - 集电极-发射极电压(VCEO):-15V - 发射极-基极电压(VEBO):-5V - 集电极电流(IC):-500mA - 集电极峰值电流(ICP):-1A - 基极电流(IB):-100mA - 芯片功耗(Pchip):350mW - 总功耗(Ptot):500mW - 结合部温度(Tj):150°C - 储存温度(Tstg):-55~+150°C

- 电气特性(Electrical Characteristics): - 集电极截止电流(ICBO):-0.1uA - 发射极截止电流(IEBO):-0.1uA - 直流电流增益(hFE1):160至560 - 直流电流增益(hFE2):70至560 - 直流电流增益比:0.8至0.98

### 功能详解 - 该器件为低频一般放大用,具有两个内藏的晶体管,提高了安装效率和热稳定性。

### 应用信息 - 该器件不适用于需要极高可靠性的应用,如生命维持设备、航空控制等。

### 封装信息 - 封装类型:2212(单位:mm) - 引脚排列如上所述。
CPH6516 价格&库存

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