注文コード No. N 7 4 0 5
ECH8605
No. N 7 4 0 5
13003
新
ECH8605
特長 ・低オン抵抗。 ・超高速スイッチング。 ・4V 駆動。
P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ
超高速スイッチング用
絶対最大定格 Absolute Maximum Ratings / Ta=25℃ ドレイン・ソース電圧 ゲート・ソース電圧 ドレイン電流(DC) ドレイン電流(パルス) 許容損失 全損失 チャネル温度 保存周囲温度 VDSS VGSS ID IDP PD PT Tch Tstg PW ≦ 10µs, duty cycle ≦ 1% セラミック基板(900mm2 × 0.8mm)装着時 1unit セラミック基板(900mm2 × 0.8mm)装着時 − 30 ± 20 −4 − 40 1.3 1.5
unit V V A A W W ℃ ℃ max −1 − 1.0 3.3 5 50 87 ± 10 − 2.4 67 unit V µA µA V S mΩ
150 − 55 ∼+ 150 min ID= − 1mA, VGS=0 VDS= − 30V, VGS=0 VGS= ± 16V, VDS=0 VDS= − 10V, ID= − 1mA VDS= − 10V, ID= − 2A ID= − 2A, VGS= − 10V ID= − 1A, VGS= − 4V − 30 typ
電気的特性 Electrical Characteristics / Ta=25℃ ドレイン・ソース降伏電圧 ドレイン・ソースしゃ断電流 ゲート・ソースもれ電流 ゲート・ソースしゃ断電圧 順伝達アドミタンス ドレイン・ソース間オン抵抗 V(BR)DSS IDSS IGSS VGS(off) yfs RDS(on)1 RDS(on)2 単体品名表示:JD
120 mΩ 次ページへ続く。
外形図 2206A (unit : mm)
0.25
0.3 8 5
0.15
2.3
本書記載の製品は、極めて高度の信頼性を 要する用途 (生命維持装置、 航空機のコント ロールシステム等、多大な人的・物的損害 を及ぼす恐れのある用途) に対応する仕様に はなっておりません。そのような場合には、 あらかじめ三洋電機販売窓口までご相談下 さい。 本書記載の規格値(最大定格、動作条件範囲 等) を瞬時たりとも越えて使用し、その結果 発生した機器の欠陥について、弊社は責任 を負いません。
2.8
0.65 2.9 Top View
0.25
1
4
0.9
0.07
Bottom View
1 : Source1 2 : Gate1 3 : Source2 4 : Gate2 5 : Drain2 6 : Drain2 7 : Drain1 8 : Drain1 SANYO:ECH8
〒370-0596 群馬県邑楽郡大泉町坂田一丁目1番1号 13003 TS IM ◎佐藤 TA-100300 No.7405-1/4
ECH8605
前ページより続く。 min 入力容量 出力容量 帰還容量 ターンオン遅延時間 立ち上がり時間 ターンオフ遅延時間 下降時間 総ゲート電荷量 ゲート・ソース電荷量 ゲート・ドレイン電荷量 ダイオード順電圧 スイッチングタイム測定回路図
VIN 0V --10V VIN PW=10µs D.C.≦1% ID= --2A RL=7.5Ω VDD= --15V
typ 550 120 90 13 110 65 75 14 2.2 2.5 − 0.88
max
unit pF pF pF ns ns ns ns nC nC nC
Ciss Coss Crss td(on) tr td(off) tf Qg Qgs Qgd VSD
VDS= − 10V, f=1MHz VDS= − 10V, f=1MHz VDS= − 10V, f=1MHz 指定回路において 〃 〃 〃 VDS= − 10V, VGS= − 10V, ID= − 4A IS= − 4A, VGS=0 電気的接続図
D1 D1 D2 D2
− 1.2
V
D
VOUT
G
1 : Source1 2 : Gate1 3 : Source2 4 : Gate2 5 : Drain2 6 : Drain2 7 : Drain1 8 : Drain1
S1 G1 S2 G2
(Top view)
ECH8605 P.G 50Ω
S
--4.0
ID -- VDS
--6.0V
--10 --9 --8
ID -- VGS
VDS= --10V
--3.5
--4.
--5.0 V
ドレイン電流, ID -- A
ドレイン電流, ID -- A
--3.0 --2.5
--8.0V
0V
--7 --6 --5 --4
V
--2.0 --1.5 --1.0 --0.5 0 0
--10.0
.5V V GS= --2
C Ta= 75°
0 --0.5 --1.0 --1.5 --2.0
--2 --1 0 --0.1 --0.2 --0.3 --0.4 --0.5 --0.6 --0.7 --0.8 --0.9 --1.0
25°C
--2.5 --3.0
--25°
C
--3
--3.5
--4.0
ドレイン・ソース電圧, VDS -- V
ドレイン・ソース間オン抵抗, RDS(on) -- mΩ
180 160 140 120 100 80 60 40 20 0 0 --2 --4 --6 --8 --10
IT05572
ドレイン・ソース間オン抵抗, RDS(on) -- mΩ
RDS(on) -- VGS
ゲート・ソース電圧, VGS -- V
140
IT05573
RDS(on) -- Ta
Ta=25°C
120
100
ID= --1A
--2A
= A, V GS I D= --1
--4V
80
60
--10V , V GS= I D= --2A
40
20 0 --50
--12 IT05574
--25
0
25
50
75
100
125
150
ゲート・ソース電圧, VGS -- V
周囲温度, Ta -- °C
IT05575
No.7405-2/4
ECH8605
100 7 5
yfs -- ID
VDS= --10V
3 2 --10 7 5 3 2
IF -- VSD
VGS=0
順伝達アドミタンス, yfs -- S
3 2
1.0 7 5 3 2 0.1 --0.1
2 3 5 7 --1.0 2 3 5 7 --10 2 IT05576
--0.1 7 5 3 2
--0.01 7 5 3 2 --0.001 --0.2
--0.3
--0.4
--0.5
--0.6
--0.7
--25° C
--0.8 --0.9
Ta=
3 2
75°C
25°C
75° C 25° C
T
5° a= --2
C
順電流, IF -- A
10 7 5
--1.0 7 5 3 2
--1.0
--1.1
--1.2
ドレイン電流, ID -- A
1000 7 5 3 2 100 7 5 3 2 10 7 5 3 2 1.0 --0.1
2 3 5 7 --1.0 2
SW Time -- ID
スイッチングタイム, SW Time -- ns
VDD= --15V VGS= --10V
3 2 1000
Ciss, Coss, Crss -- VDS
f=1MHz
ダイオード順電圧, VSD -- V
IT05577
Ciss, Coss, Crss -- pF
tr
td(off)
tf
7 5 3 2 100 7 5 3 2
Ciss
td(on)
Coss
Crss
10
3 5 7 0 --5 --10 --15 --20 --25 --30 IT05579
ドレイン電流, ID -- A
--10 --9
IT05578 --100 7 5 3 2
VGS -- Qg
ドレイン・ソース電圧, VDS -- V
ASO
ゲート・ソース電圧, VGS -- V
VDS= --10V ID= --4A
IDP= --40A
<10µs
--8 --7 --6 --5 --4 --3 --2 --1 0 0 2 4 6 8 10 12 14 IT05580
ドレイン電流, ID -- A
--10 7 5 3 2 --1.0 7 5 3 2 --0.1 7 5 3 2
ID= --4A
10
10
1m s
m
s
DC
Operation in this area is limited by RDS(on).
0m
op
s
er
ati
on
--0.01 --0.01 2 3
Ta=25°C 1パルス セラミック基板(900mm2×0.8mm)装着時
5 7--0.1 23 5 7--1.0 23 5 7 --10 23 5
総ゲート電荷量, Qg -- nC
2.0 1.8 1.6 1.5 1.4 1.3 1.2 1.0 0.8 0.6 0.4 0.2 0 0 20 40 60 80 100 120
PD -- Ta
セラミック基板(900mm2×0.8mm)装着時
ドレイン・ソース電圧, VDS -- V
IT05581
許容損失, PD -- W
全 損 失
1u
nit
140
160
周囲温度, Ta -- °C
IT05582
No.7405-3/4
ECH8605
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PS No.7405-4/4
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