FP105

物料型号： - 型号：FP105 - 制造商：SANYO

器件简介： FP105是一个复合型器件，包含一个PNP晶体管和一个肖特基势垒二极管（SBD），封装在一个包装内，便于高密度安装。FP105由两个芯片组成，一个相当于2SB1123，另一个为SB0505CP，放置在一个封装内。

引脚分配： 1. Base（基极） 2. Common（公共端） 3. Emitter（发射极） 4. Common（公共端） 5. Anode（阳极） 6. Common（公共端） 7. Common（公共端，Collector, Cathode）

参数特性： - 绝对最大额定值（在25°C下）： - 集电极-基极电压（VCBO）：-60V - 集电极-发射极电压（VCEO）：-50V - 发射极-基极电压（VEBO）：-6V - 集电极电流（C）：-2A - 集电极脉冲电流（ICP）：-4A - 基极电流（IB）：-400mA - 集电极耗散功率（PC）：1.3W（安装在陶瓷板上） - 结温（Tj）：150°C

功能详解： - FP105适用于DC-DC转换器应用，具有PNP晶体管和SBD的组合，提供高密度安装的优势。 - 电气特性（在25°C下）： - 集电极截止电流（ICBO）：-0.1A - 发射极截止电流（EBO）：-0.1A - DC电流增益（hFE1）：140（在VCE=-2V,Ic=-100mA时） - hFE2：40（在VCE=-2V,Ic=-1.5A时） - 增益-带宽积（T）：150MHz - 输出电容（Cob）：22pF - C-E饱和电压（VCE(sat)）：-0.3V至-0.7V - B-E饱和电压（VBE(sat)）：-0.9V至-1.2V - C-B击穿电压（V(BR)CBO）：-60V - C-E击穿电压（V(BR)CEO）：-50V - E-B击穿电压（V(BR)EBO）：-6V - 导通时间（ton）：60ns - 存储时间（tstg）：450ns - 下降时间（tf）：30ns

应用信息： 该产品不适用于外科植入物、生命支持系统、航空设备、核能控制设备、车辆、灾害/犯罪预防设备等，其故障可能会导致伤害、死亡或财产损失。

封装信息： PDF文档中提供了FP105的封装尺寸图，但具体数值未在文本中明确给出。封装类型为2088A。