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FTD2011A

FTD2011A

  • 厂商:

    SANYO(三洋)

  • 封装:

  • 描述:

    FTD2011A - N CHANNEL MOS SILICON TRANSISTOR - Sanyo Semicon Device

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
FTD2011A 数据手册
注文コード No. N 7 4 7 6 FTD2011A No. N7476 22004 新 FTD2011A 特長 ・低オン抵抗。 ・2.5V 駆動。 ・実装高 1.1mm。 ・複合タイプであり高密度実装可能。 N チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ ロード S / W 用 絶対最大定格 Absolute Maximum Ratings / Ta=25℃ ドレイン・ソース電圧 VDSS ゲート・ソース電圧 ドレイン電流(DC) ドレイン電流(パルス) 許容損失 全損失 チャネル温度 保存周囲温度 VGSS ID IDP PD PT Tch Tstg PW ≦ 10µs, duty cycle ≦ 1% セラミック基板(1300mm2 × 0.8mm)装着時 1unit セラミック基板(1300mm2 × 0.8mm)装着時 20 ± 12 4 20 0.8 1.3 150 − 55 ∼+ 150 min 20 typ unit V V A A W W ℃ ℃ max 1 ± 10 unit V µA µA V S mΩ mΩ pF pF pF 次ページへ続く。 電気的特性 Electrical Characteristics / Ta=25℃ ドレイン・ソース降伏電圧 V(BR)DSS ID=1mA, VGS=0 ドレイン・ソースしゃ断電流 ゲート・ソースもれ電流 ゲート・ソースしゃ断電圧 順伝達アドミタンス ドレイン・ソース間オン抵抗 入力容量 出力容量 帰還容量 単体品名表示:D2011A IDSS IGSS VGS(off) yfs RDS(on)1 RDS(on)2 Ciss Coss Crss VDS=20V, VGS=0 VGS= ± 8V, VDS=0 VDS=10V, ID=1mA VDS=10V, ID=4A ID=4A, VGS=4V ID=2A, VGS=2.5V VDS=10V, f=1MHz VDS=10V, f=1MHz VDS=10V, f=1MHz 0.5 5 1.3 7 22 30 740 150 38 39 56 外形図 2155A (unit : mm) 0.65 8 5 0.5 0.25 0.1 本書記載の規格値(最大定格、動作条件範囲 等) を瞬時たりとも越えて使用し、その結果 発生した機器の欠陥について、弊社は責任 を負いません。 1.0 (0.95) 本書記載の製品は、極めて高度の信頼性を 要する用途 (生命維持装置、 航空機のコント ロールシステム等、多大な人的・物的損害 を及ぼす恐れのある用途) に対応する仕様に はなっておりません。そのような場合には、 あ らかじめ三洋電機販売窓口までご相談下 さい。 4.5 6.4 0.95 3.0 0.425 1 4 0.125 1 : Drain1 2 : Source1 3 : Source1 4 : Gate1 5 : Gate2 6 : Source2 7 : Source2 8 : Drain2 SANYO : TSSOP8 〒370-0596 群馬県邑楽郡大泉町坂田一丁目1番1号 22004 TS IM ◎佐藤 TA-100425 No.7476-1/4 FTD2011A 前ページより続く。 min ターンオン遅延時間 立ち上がり時間 ターンオフ遅延時間 下降時間 総ゲート電荷量 ゲート・ソース電荷量 ゲート・ドレイン電荷量 ダイオード順電圧 スイッチングタイム測定回路図 VIN 4V 0V VIN ID=4A RL=2.5Ω VDD=10V typ 15 120 88 120 10 2 3.5 0.82 max unit ns ns ns ns nC nC td(on) tr td(off) tf Qg Qgs Qgd VSD 指定回路において     〃     〃     〃 VDS=10V, VGS=4V, ID=4A IS=4A, VGS=0 電気的接続図 D2 S2 S2 G2 1.2 nC V D PW=10µs D.C.≦1% VOUT G FTD2011A P.G 50Ω S D1 S1 S1 G1 5 ID -- VDS 10.0V 4.0V 8 7 ID -- VGS VDS=10V 2.5V 2.0V 4 1.5 V ドレイン電流, ID -- A ドレイン電流, ID -- A 6 5 4 3 2 1 3 2 1 Ta= 0 0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 VGS=1.0V 0.8 0.9 1.0 0 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0 ドレイン・ソース電圧, VDS -- V ドレイン・ソース間オン抵抗, RDS(on) -- mΩ 80 70 60 50 40 30 20 10 0 0 2 4 6 8 IT05126 ドレイン・ソース間オン抵抗, RDS(on) -- mΩ RDS(on) -- VGS ゲート・ソース電圧, VGS -- V 80 70 60 50 40 30 20 10 0 --60 25°C --25°C 75° C IT05127 RDS(on) -- Ta Ta=25°C 4A ID=2A .0A I D=2 =2.5V , V GS A I D=4.0 =4.0V , V GS 10 IT05128 --40 --20 0 20 40 60 80 100 120 140 160 ゲート・ソース電圧, VGS -- V 周囲温度, Ta -- °C IT05129 No.7476-2/4 FTD2011A 3 2 yfs -- ID VDS=10V 10 7 5 3 2 IF -- VSD VGS=0 順伝達アドミタンス, yfs -- S 7 5 Ta= 3 2 0.1 7 5 3 2 1.0 0.1 2 3 5 7 1.0 2 3 5 ドレイン電流, ID -- A 5 10 IT05130 7 0.01 0.2 Ta= C 75° 3 2 --25 ° 25° C 75° C C °C --25 順電流, IF -- A 10 C 25° 1.0 7 5 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 1.1 1.2 SW Time -- ID スイッチングタイム, SW Time -- ns 3 2 VDD=10V VGS=4V 3 2 Ciss, Coss, Crss -- VDS f=1MHz ダイオード順電圧, VSD -- V IT05131 Ciss, Coss, Crss -- pF 1000 7 5 3 2 Ciss 100 7 5 3 2 td(off) tf tr 100 7 5 3 Coss Crss td(on) 2 3 5 7 1.0 2 3 5 10 IT05132 7 10 0.1 0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 ドレイン電流, ID -- A 4.0 3.5 3.0 2.5 2.0 1.5 1.0 0.5 0 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 VGS -- Qg ドレイン・ソース電圧, VDS -- V 5 3 2 10 7 5 3 2 1.0 7 5 3 2 0.1 7 5 3 2 IT05133 ASO ゲート・ソース電圧, VGS -- V VDS=10V ID=4A IDP=20A ID=4A 10 <10µs 1m m 100µs s ドレイン電流, ID -- A DC 10 s 0m op s er at io n Operation in this area is limited by RDS(on). Ta=25°C 1パルス セラミック基板(1300mm2×0.8mm)装着時1unit 23 5 7 0.1 23 5 7 1.0 23 5 7 10 23 5 10 11 0.01 0.01 総ゲート電荷量, Qg -- nC 1.5 1.3 IT05134 PD -- Ta セラミック基板(1300mm2×0.8mm)装着時1unit ドレイン・ソース電圧, VDS -- V IT05439 許容損失, PD -- W 1.0 0.8 全 1un 損 失 0.5 it 0 0 20 40 60 80 100 120 140 160 周囲温度, Ta -- °C IT05440 No.7476-3/4 FTD2011A 本書記載の製品は、定められた条件下において、記載部品単体の性能・特性・機能などを規定するものであ り、お客様の製品(機器)での性能・特性・機能などを保証するものではありません。部品単体の評価では 予測できない症状・事態を確認するためにも、お客様の製品で必要とされる評価・試験を必ず行って下さい。 弊社は、高品質・高信頼性の製品を供給することに努めております。しかし、半導体製品はある確率で故障 が生じてしまいます。この故障が原因となり、人命にかかわる事故、発煙・発火事故、他の物品に損害を与 えてしまう事故などを引き起こす可能性があります。機器設計時には、このような事故を起こさないような、 保護回路・誤動作防止回路等の安全設計、冗長設計・機構設計等の安全対策を行って下さい。 本書記載の製品が、外国為替及び外国貿易法に定める規制貨物(役務を含む)に該当する場合、輸出する 際に同法に基づく輸出許可が必要です。 弊社の承諾なしに、本書の一部または全部を、転載または複製することを禁止します。 本書に記載された内容は、製品改善および技術改良等により将来予告なしに変更することがあります。した がって、ご使用の際には、「納入仕様書」でご確認下さい。 この資料の情報(掲載回路および回路定数を含む)は一例を示すもので、量産セットとしての設計を保証す るものではありません。また、この資料は正確かつ信頼すべきものであると確信しておりますが、その使用 にあたって第3者の工業所有権その他の権利の実施に対する保証を行うものではありません。 PS No.7476-4/4
FTD2011A
### 物料型号 - 型号:FTD2011A

### 器件简介 - FTD2011A是一款N沟道MOS场效应晶体管,专为低导通电阻、2.5V驱动、1.1mm高度的表面贴装封装设计,适用于高密度安装。

### 引脚分配 - 引脚1:Drain1 - 引脚2:Source1 - 引脚3:Source1 - 引脚4:Gate1 - 引脚5:Gate2 - 引脚6:Source2 - 引脚7:Source2 - 引脚8:Drain2

### 参数特性 - 绝对最大额定值: - 漏源电压(V(BR)DSS):20V - 栅源电压(VGSS):±12V - 漏电流(DC)(ID):4A - 脉冲漏电流(IDP):20A(PW ≤ 10us, duty cycle ≤1%) - 允许功耗(PD):0.8W(基板1300mm², 0.8mm厚) - 总功耗(PTotal):1.3W(基板1300mm², 0.8mm厚) - 芯片最高温度(Tch):150°C - 存储温度(Tstg):-55~+150°C

- 电气特性(Ta=25°C): - 阈值电压(VGs(of)):0.5~1.3V - 导通电阻(Rds(on)):22~39mΩ(ID=4A, VGS=4V);30~56mΩ(ID=2A, VGS=2.5V) - 输入电容(Ciss):740pF(VDS=10V, f=1MHz) - 输出电容(Coss):150pF(VDS=10V, f=1MHz) - 反向传输电容(Crss):38pF(VDS=10V, f=1MHz)

### 功能详解 - FTD2011A具备低导通电阻、2.5V驱动能力,适合于需要低功耗和高密度安装的应用场景。

### 应用信息 - 该产品不适用于生命维持装置、航空器控制逻辑系统等可能导致重大人身或物质损害的应用。在这些情况下,应事先与三洋电机销售窗口协商。

### 封装信息 - 封装类型:TSSOP8 - 封装尺寸:2155A(单位:mm)
FTD2011A 价格&库存

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