### 物料型号
- 型号:FTD2011A
### 器件简介
- FTD2011A是一款N沟道MOS场效应晶体管,专为低导通电阻、2.5V驱动、1.1mm高度的表面贴装封装设计,适用于高密度安装。
### 引脚分配
- 引脚1:Drain1
- 引脚2:Source1
- 引脚3:Source1
- 引脚4:Gate1
- 引脚5:Gate2
- 引脚6:Source2
- 引脚7:Source2
- 引脚8:Drain2
### 参数特性
- 绝对最大额定值:
- 漏源电压(V(BR)DSS):20V
- 栅源电压(VGSS):±12V
- 漏电流(DC)(ID):4A
- 脉冲漏电流(IDP):20A(PW ≤ 10us, duty cycle ≤1%)
- 允许功耗(PD):0.8W(基板1300mm², 0.8mm厚)
- 总功耗(PTotal):1.3W(基板1300mm², 0.8mm厚)
- 芯片最高温度(Tch):150°C
- 存储温度(Tstg):-55~+150°C
- 电气特性(Ta=25°C):
- 阈值电压(VGs(of)):0.5~1.3V
- 导通电阻(Rds(on)):22~39mΩ(ID=4A, VGS=4V);30~56mΩ(ID=2A, VGS=2.5V)
- 输入电容(Ciss):740pF(VDS=10V, f=1MHz)
- 输出电容(Coss):150pF(VDS=10V, f=1MHz)
- 反向传输电容(Crss):38pF(VDS=10V, f=1MHz)
### 功能详解
- FTD2011A具备低导通电阻、2.5V驱动能力,适合于需要低功耗和高密度安装的应用场景。
### 应用信息
- 该产品不适用于生命维持装置、航空器控制逻辑系统等可能导致重大人身或物质损害的应用。在这些情况下,应事先与三洋电机销售窗口协商。
### 封装信息
- 封装类型:TSSOP8
- 封装尺寸:2155A(单位:mm)