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FW257

FW257

  • 厂商:

    SANYO(三洋)

  • 封装:

  • 描述:

    FW257 - N CHANNEL MOS SILICON TRANSISTOR - Sanyo Semicon Device

  • 数据手册
  • 价格&库存
FW257 数据手册
注文コード No. N 7 6 8 6 FW257 No. N7686 52004 新 FW257 特長 ・モータドライブ用。 ・4V 駆動。 N チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ 汎用スイッチングデバイス 絶対最大定格 Absolute Maximum Ratings / Ta=25℃ ドレイン・ソース電圧 VDSS ゲート・ソース電圧 ドレイン電流(DC) VGSS ID duty cycle ≦ 1% duty cycle ≦ 1% duty cycle ≦ 1% セラミック基板(1200mm2 × 0.8mm)装着時 1unit(PW ≦ 10s) セラミック基板(1200mm2 × 0.8mm)装着時(PW ≦ 10s) 100 ± 20 2 2.5 5 8 1.4 2.0 150 − 55 ∼+ 150 min 100 typ unit V V A A A A W W ℃ ℃ max 1 ± 10 unit V µA µA V S mΩ mΩ ドレイン電流(PW ≦ 10s) ID ドレイン電流(PW ≦ 100ms) ID ドレイン電流(PW ≦ 10µs) IDP 許容損失 PD 全損失 チャネル温度 保存周囲温度 PT Tch Tstg 電気的特性 Electrical Characteristics / Ta=25℃ ドレイン・ソース降伏電圧 V(BR)DSS ID=1mA, VGS=0 ドレイン・ソースしゃ断電流 ゲート・ソースもれ電流 ゲート・ソースしゃ断電圧 順伝達アドミタンス ドレイン・ソース間オン抵抗 IDSS IGSS VGS(off) yfs RDS(on)1 RDS(on)2 VDS=100V, VGS=0 VGS= ± 16V, VDS=0 VDS=10V, ID=1mA VDS=10V, ID=1A ID=1A, VGS=10V ID=1A, VGS=4V 1.2 1.8 2.6 3 175 220 220 310 次ページへ続く。 単体品名表示: W257 外形図 2129 (unit : mm) 8 5 0.3 4.4 5.0 1.5 0.595 1.27 0.43 0.1 1.8max 1 4 0.2 1 : Source1 2 : Gate1 3 : Source2 4 : Gate2 5 : Drain2 6 : Drain2 7 : Drain1 8 : Drain1 SANYO : SOP8 本書記載の製品は、極めて高度の信頼性を要する用途 (生命維持装置、 航空機のコントロールシステム等、 多大な人的・物的損害を及ぼす恐れのある用途) に対応する仕様にはなっておりません。そのような場合に は、あらかじめ三洋電機販売窓口までご相談下さい。 本書記載の規格値(最大定格、動作条件範囲等) を瞬時たりとも越えて使用し、その結果発生した機器の欠陥 について、弊社は責任を負いません。 〒370-0596 群馬県邑楽郡大泉町坂田一丁目1番1号 52004PA TS IM ◎川浦 TA-100844 No.7686-1/4 6.0 FW257 前ページより続く。 min 入力容量 出力容量 帰還容量 ターンオン遅延時間 立ち上がり時間 ターンオフ遅延時間 下降時間 総ゲート電荷量 ゲート・ソース電荷量 ゲート・ドレイン電荷量 ダイオード順電圧 スイッチングタイム測定回路図 VIN 10V 0V VIN ID=1A RL=50Ω VDD=50V typ 530 45 35 9 4 58 25 13 2.1 2.8 0.82 max unit pF pF pF ns ns ns ns nC nC nC Ciss Coss Crss td(on) tr td(off) tf Qg Qgs Qgd VSD VDS=20V, f=1MHz VDS=20V, f=1MHz VDS=20V, f=1MHz 指定回路において     〃     〃     〃 VDS=50V, VGS=10V, ID=3A IS=2A, VGS=0 1.2 V D PW=10µs D.C.≦1% VOUT G FW257 P.G 50Ω S 2.0 ID -- VDS 6.0V V 4.0 V 4.5 6 ID -- VGS VDS=10V 1.8 1.6 VGS=3.0V 5 8.0V ドレイン電流, ID -- A 3.5V 1.4 1.2 1.0 0.8 0.6 0.4 0.2 0 0 ドレイン電流, ID -- A 10V 4 3 75°C 2 1 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0 0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 ドレイン・ソース電圧, VDS -- V IT05950 ゲート・ソース電圧, VGS -- V Ta= 25°C --25°C IT05952 No.7686-2/4 FW257 ドレイン・ソース間オン抵抗, RDS(on) -- mΩ 400 ドレイン・ソース間オン抵抗, RDS(on) -- mΩ RDS(on) -- VGS Ta=25°C ID=1A 400 RDS(on) -- Ta 350 350 300 300 250 250 200 200 0V ,V =1 1A S = VG ID A, =1 ID =4 GS V 150 150 100 50 0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 100 50 --60 --40 --20 0 20 40 60 80 100 120 140 160 ゲート・ソース電圧, VGS -- V 10 7 IT05954 10 7 5 3 2 yfs -- ID 周囲温度, Ta -- °C IT05956 IF -- VSD VGS=0 VDS=10V 順伝達アドミタンス, yfs -- S 5 3 2 順電流, IF -- A 1.0 7 5 3 2 °C °C 25 25 °C = 75 Ta 3 2 0.1 7 5 3 2 0.1 0.01 0.01 2 3 5 7 0.1 2 3 5 7 1.0 2 3 ドレイン電流, ID -- A 3 5 7 10 IT05958 1000 7 5 0 Ta=7 5°C 25°C --25°C 1.0 7 5 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 IT05960 SW Time -- ID Ciss, Coss, Crss -- VDS f=1MHz Ciss ダイオード順電圧, VSD -- V スイッチングタイム, SW Time -- ns 2 100 7 5 3 2 10 7 5 3 2 1.0 --0.1 VDD=50V VGS=10V Ciss, Coss, Crss -- pF td(off) 3 2 tf 100 7 5 3 2 10 td(on) tr Coss Crss 2 3 5 7 --1.0 2 3 5 ドレイン電流, ID -- A 10 9 --10 IT05962 2 10 7 5 7 0 5 10 15 20 25 30 IT05964 VGS -- Qg ドレイン・ソース電圧, VDS -- V ASO ゲート・ソース電圧, VGS -- V VDS=50V ID=2A IDP=8A IDP=2A ≦100µs 1m 8 ドレイン電流, ID -- A 7 6 5 4 3 2 1 0 0 2 4 6 8 10 12 14 IT05966 3 2 1.0 7 5 3 2 0.1 7 5 3 2 s 10 m s 10 0m 10 s op er at io n Operation in this area is limited by RDS(on). s 0.01 0.01 2 3 5 7 0.1 Ta=25°C 1パルス セラミック基板(1200mm2×0.8mm)装着時 2 3 5 7 1.0 2 3 5 7 10 総ゲート電荷量, Qg -- nC ドレイン・ソース電圧, VDS -- V D C 2 3 5 7100 2 IT06556 No.7686-3/4 FW257 2.5 PD -- Ta セラミック基板(1200mm2×0.8mm)装着時, PW≦10s 許容損失(FET 1), PD -- W 1.6 1.4 1.2 1.0 0.8 0.6 0.4 0.2 PD(FET1) -- PD(FET2) セラミック基板(1200mm2×0.8mm)装着時, PW≦10s 2.0 許容損失, PD -- W 1.5 1.4 1.0 全 損 失 1u nit 0.5 0 0 20 40 60 80 100 120 140 160 0 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 周囲温度, Ta -- °C IT05970 許容損失(FET 2), PD -- W IT06557 本書記載の製品は、定められた条件下において、記載部品単体の性能・特性・機能などを規定するものであ り、お客様の製品(機器)での性能・特性・機能などを保証するものではありません。部品単体の評価では 予測できない症状・事態を確認するためにも、お客様の製品で必要とされる評価・試験を必ず行って下さい。 弊社は、高品質・高信頼性の製品を供給することに努めております。しかし、半導体製品はある確率で故障 が生じてしまいます。この故障が原因となり、人命にかかわる事故、発煙・発火事故、他の物品に損害を与 えてしまう事故などを引き起こす可能性があります。機器設計時には、このような事故を起こさないような、 保護回路・誤動作防止回路等の安全設計、冗長設計・機構設計等の安全対策を行って下さい。 本書記載の製品が、外国為替及び外国貿易法に定める規制貨物(役務を含む)に該当する場合、輸出する 際に同法に基づく輸出許可が必要です。 弊社の承諾なしに、本書の一部または全部を、転載または複製することを禁止します。 本書に記載された内容は、製品改善および技術改良等により将来予告なしに変更することがあります。した がって、ご使用の際には、「納入仕様書」でご確認下さい。 この資料の情報(掲載回路および回路定数を含む)は一例を示すもので、量産セットとしての設計を保証す るものではありません。また、この資料は正確かつ信頼すべきものであると確信しておりますが、その使用 にあたって第3者の工業所有権その他の権利の実施に対する保証を行うものではありません。 PS No.7686-4/4
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