注文コード No. N 7 6 8 6
FW257
No.
N7686
52004
新
FW257
特長 ・モータドライブ用。 ・4V 駆動。
N チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ
汎用スイッチングデバイス
絶対最大定格 Absolute Maximum Ratings / Ta=25℃ ドレイン・ソース電圧 VDSS ゲート・ソース電圧 ドレイン電流(DC) VGSS ID duty cycle ≦ 1% duty cycle ≦ 1% duty cycle ≦ 1% セラミック基板(1200mm2 × 0.8mm)装着時 1unit(PW ≦ 10s) セラミック基板(1200mm2 × 0.8mm)装着時(PW ≦ 10s)
100 ± 20 2 2.5 5 8 1.4 2.0 150 − 55 ∼+ 150 min 100 typ
unit V V A A A A W W ℃ ℃ max 1 ± 10 unit V µA µA V S mΩ mΩ
ドレイン電流(PW ≦ 10s) ID ドレイン電流(PW ≦ 100ms) ID ドレイン電流(PW ≦ 10µs) IDP 許容損失 PD 全損失 チャネル温度 保存周囲温度 PT Tch Tstg
電気的特性 Electrical Characteristics / Ta=25℃ ドレイン・ソース降伏電圧 V(BR)DSS ID=1mA, VGS=0 ドレイン・ソースしゃ断電流 ゲート・ソースもれ電流 ゲート・ソースしゃ断電圧 順伝達アドミタンス ドレイン・ソース間オン抵抗 IDSS IGSS VGS(off) yfs RDS(on)1 RDS(on)2 VDS=100V, VGS=0 VGS= ± 16V, VDS=0 VDS=10V, ID=1mA VDS=10V, ID=1A ID=1A, VGS=10V ID=1A, VGS=4V
1.2 1.8
2.6 3 175 220 220 310
次ページへ続く。 単体品名表示: W257
外形図 2129 (unit : mm)
8 5
0.3 4.4
5.0
1.5
0.595
1.27
0.43
0.1
1.8max
1
4
0.2
1 : Source1 2 : Gate1 3 : Source2 4 : Gate2 5 : Drain2 6 : Drain2 7 : Drain1 8 : Drain1 SANYO : SOP8
本書記載の製品は、極めて高度の信頼性を要する用途 (生命維持装置、 航空機のコントロールシステム等、 多大な人的・物的損害を及ぼす恐れのある用途) に対応する仕様にはなっておりません。そのような場合に は、あらかじめ三洋電機販売窓口までご相談下さい。 本書記載の規格値(最大定格、動作条件範囲等) を瞬時たりとも越えて使用し、その結果発生した機器の欠陥 について、弊社は責任を負いません。
〒370-0596 群馬県邑楽郡大泉町坂田一丁目1番1号 52004PA TS IM ◎川浦 TA-100844 No.7686-1/4
6.0
FW257
前ページより続く。 min 入力容量 出力容量 帰還容量 ターンオン遅延時間 立ち上がり時間 ターンオフ遅延時間 下降時間 総ゲート電荷量 ゲート・ソース電荷量 ゲート・ドレイン電荷量 ダイオード順電圧 スイッチングタイム測定回路図
VIN 10V 0V VIN ID=1A RL=50Ω VDD=50V
typ 530 45 35 9 4 58 25 13 2.1 2.8 0.82
max
unit pF pF pF ns ns ns ns nC nC nC
Ciss Coss Crss td(on) tr td(off) tf Qg Qgs Qgd VSD
VDS=20V, f=1MHz VDS=20V, f=1MHz VDS=20V, f=1MHz 指定回路において 〃 〃 〃 VDS=50V, VGS=10V, ID=3A IS=2A, VGS=0
1.2
V
D
PW=10µs D.C.≦1%
VOUT
G
FW257 P.G 50Ω
S
2.0
ID -- VDS
6.0V
V 4.0 V 4.5
6
ID -- VGS
VDS=10V
1.8 1.6
VGS=3.0V
5
8.0V
ドレイン電流, ID -- A
3.5V
1.4 1.2 1.0 0.8 0.6 0.4 0.2 0 0
ドレイン電流, ID -- A
10V
4
3
75°C
2
1
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0 0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0
ドレイン・ソース電圧, VDS -- V
IT05950
ゲート・ソース電圧, VGS -- V
Ta=
25°C
--25°C
IT05952
No.7686-2/4
FW257
ドレイン・ソース間オン抵抗, RDS(on) -- mΩ
400
ドレイン・ソース間オン抵抗, RDS(on) -- mΩ
RDS(on) -- VGS
Ta=25°C ID=1A
400
RDS(on) -- Ta
350
350
300
300
250
250
200
200
0V ,V =1 1A S = VG ID A, =1 ID
=4 GS
V
150
150
100 50 0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20
100 50 --60
--40
--20
0
20
40
60
80
100
120
140
160
ゲート・ソース電圧, VGS -- V
10 7
IT05954 10 7 5 3 2
yfs -- ID
周囲温度, Ta -- °C
IT05956
IF -- VSD
VGS=0
VDS=10V
順伝達アドミタンス, yfs -- S
5 3 2
順電流, IF -- A
1.0 7 5 3 2
°C °C 25 25 °C = 75 Ta
3 2 0.1 7 5 3 2
0.1 0.01
0.01 2 3 5 7 0.1 2 3 5 7 1.0 2 3
ドレイン電流, ID -- A
3
5 7 10 IT05958 1000 7 5
0
Ta=7 5°C 25°C --25°C
1.0 7 5
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2 IT05960
SW Time -- ID
Ciss, Coss, Crss -- VDS
f=1MHz
Ciss
ダイオード順電圧, VSD -- V
スイッチングタイム, SW Time -- ns
2 100 7 5 3 2 10 7 5 3 2 1.0 --0.1
VDD=50V VGS=10V
Ciss, Coss, Crss -- pF
td(off)
3 2
tf
100 7 5 3 2 10
td(on)
tr
Coss
Crss
2
3
5
7
--1.0
2
3
5
ドレイン電流, ID -- A
10 9
--10 IT05962 2 10 7 5
7
0
5
10
15
20
25
30 IT05964
VGS -- Qg
ドレイン・ソース電圧, VDS -- V
ASO
ゲート・ソース電圧, VGS -- V
VDS=50V ID=2A
IDP=8A IDP=2A
≦100µs
1m
8
ドレイン電流, ID -- A
7 6 5 4 3 2 1 0 0 2 4 6 8 10 12 14 IT05966
3 2 1.0 7 5 3 2 0.1 7 5 3 2
s
10 m s
10 0m 10 s
op er at io n
Operation in this area is limited by RDS(on).
s
0.01 0.01 2 3 5 7 0.1
Ta=25°C 1パルス セラミック基板(1200mm2×0.8mm)装着時
2 3 5 7 1.0 2 3 5 7 10
総ゲート電荷量, Qg -- nC
ドレイン・ソース電圧, VDS -- V
D C
2 3 5 7100 2 IT06556
No.7686-3/4
FW257
2.5
PD -- Ta
セラミック基板(1200mm2×0.8mm)装着時, PW≦10s
許容損失(FET 1), PD -- W
1.6 1.4 1.2 1.0 0.8 0.6 0.4 0.2
PD(FET1) -- PD(FET2)
セラミック基板(1200mm2×0.8mm)装着時, PW≦10s
2.0
許容損失, PD -- W
1.5 1.4
1.0
全 損 失 1u nit
0.5
0 0 20 40 60 80 100 120 140 160
0 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6
周囲温度, Ta -- °C
IT05970
許容損失(FET 2), PD -- W
IT06557
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PS No.7686-4/4
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