LC75386NW

注文コードNo.N6 1 7 0 No. N 6 1 7 0 73099 新 LC75386NE-R LC75386NW 特長 CMOS LSI カー用電子ボリウム ＬＣ７５３８６ＮＥ−Ｒ／ＮＷは、ボリウム，バランス，フェダー，バス／トレブル，ラウドネス， 入力切換え，入力ゲインコントロールの各機能を、少ない外付け部品でコントロールできる電子ボリウム である。 ・ ボリウム  ：0dB∼-79dB(1dBｽﾃｯﾌﾟ)，-∞の 81 ポジション。          L/ R別々にコントロールすることによりバランス機能となる。 ・ フェダー  ：リア側あるいはフロント側出力を 16 ポジションにわたって減衰させることができる。          (0dB∼-2dB までは 1dBｽﾃｯﾌﾟ,-2dB∼-20dB までは 2dBｽﾃｯﾌﾟ,-20dB∼-30dB までは 10dB          ｽﾃｯﾌﾟ,-45dB,-60dB,-∞の 16 ﾎﾟｼﾞｼｮﾝ) ・ バス／トレブル：各バンドとも 2dBステップ±12dBのコントロール。 ・ 入力ゲイン ：入力信号は、0dB∼+18.75dB(1.25dB ｽﾃｯﾌﾟ)の増幅ができる。 ・ 入力切換え ：L/R とも 6 入力の信号選択ができる。(5 つは、ｼﾝｸﾞﾙｴﾝﾄﾞ、1 つは、差動入力) ・ ラウドネス ：2dBステップボリウムのラダー抵抗の-32dB の位置からタップが出ており、CRの外付け          部品によりラウドネス動作ができる。 ・ バッファアンプ内蔵のため外付け部品が少ない。 ・ シリコンゲート CMOS プロセスにより内蔵スイッチから発生する切換えノイズが少ないため無信号時の   切換えノイズが小さい。 ・ ゼロクロス切換え回路内蔵のため有信号時の切換えノイズも小さい。 ・ VDD/2の基準電圧発生回路内蔵。 ・ 各コントロールは、シリアルデータ入力で行う。 外形図 3159 (unit : mm) [LC75386NE-R] 17.2 14.0 1.0 48 1.0 33 32 1.6 0.15 外形図 3190 (unit : mm) 1.25 [LC75386NW] 12.0 10.0 0.5 48 0.18 1.25 33 32 0.15 1.6 49 17.2 14.0 1.0 49 0.8 12.0 10.0 0.5 1.0 64 1 17 16 64 1.25 17 1 16 3.0max 1.25 0.8 0.35 0.5 15.6 0.8 SANYO : QIP64E SANYO : SQFP64 本書記載の製品は、極めて高度の信頼性を要する用途 （生命維持装置、 航空機のコントロールシステム等、 多大な人的・物的損害を及ぼす恐れのある用途） に対応する仕様にはなっておりません。そのような場合に は、あらかじめ三洋電機販売窓口までご相談下さい。 本書記載の規格値(最大定格、動作条件範囲等) を瞬時たりとも越えて使用し、その結果発生した機器の欠陥 について、弊社は責任を負いません。 ・CCBは、登録商標です。 ・CCBは、三洋電機のオリジナル･バス･フォーマットであり、バスのアドレスは全て三洋電機が管理しています。 〒370-0596 群馬県邑楽郡大泉町坂田一丁目1番1号 73099TS寿◎鈴木 B8-4186, 4075 No.6170-1/23 0.1 0.5 1.7max 0.1 2.7 LC75386NE-R, 75386NW 絶対最大定格／Ｔａ＝２５℃，ＶS S＝０Ｖ 項    目 記 号 VDD 全入力端子 Ta≦85℃，基板取付け時 条     件 定    格 11 VSS-0.3∼VDD+0.3 (LC75386NE-R)500 (LC75386NW)420 -40∼ +85 -50∼ +125 単位 V V mW ℃ ℃ 最 大 電 源 電 圧 VDDmax 最 大 入 力 電 圧 VIN max 許 容 消 費 電 力 Pd max 動 作 周 囲 温 度 Topr 保 存 周 囲 温 度 Tstg 許容動作範囲／Ta=25℃，VSS=0V 項    目 電 源 電 記 号 圧 VDD 条     件 VDD CL,DI,CE,MUTE CL,DI,CE,MUTE min 6.0 4.0 VSS VSS typ max 10.5 VDD 1.0 VDD 単位 V V V Vp-p μ s μ s μ s 入力｢H｣レベル電圧 VIH 入力｢L｣レベル電圧 VIL 入 力 振 幅 電 圧 VIN 入 力 パ ル ス 幅 TφW セットアップ時間 Tsetup ホ ー ル ド 時 間 Thold 動 作 周 波 数 fopg CL CL,DI,CE CL,DI,CE CL 1 1 1 500 kHz 電気的特性／Ta=25℃，VDD=9V，VSS=0V  入力ブロック 項    目 入 力 抵 記 号 抗 Rin 端 子 名 L1∼L4,L6,R1∼R4,R6 L1∼L4,L6,R1∼R4,R6 条  件 min 30 -1 +16.5 typ 50 0 +18.75 max 70 +1 +21 ±0.6 ±0.5 単位 kΩ dB dB dB dB 最 小 入 力 ゲ イ ン Ginmin 最 大 入 力 ゲ イ ン Ginmax ｽ ﾃ ｯ ﾌ ﾟ 間 設 定 誤 差 ATerr L/R バランス  ボリウムブロック 項    目 入 力 抵 記 号 抗 Rvr BAL 端 子 名 LVRIN,RVRIN, ﾗｳﾄﾞﾈｽ OFF 条  件 min 113 typ 226 max 339 ±0.5 ±0.5 単位 kΩ dB dB ｽ ﾃ ｯ ﾌ ﾟ 間 設 定 誤 差 ATerr L/R バランス  トーンブロック 項    目 記 号 端 子 名 条  件 min typ BAL max ±1.0 単位 dB dB dB dB ｽ ﾃ ｯ ﾌ ﾟ 間 設 定 誤 差 ATerr ﾊ ﾞ ｽ ｺ ﾝ ﾄ ﾛ ｰ ﾙ ﾚ ﾝ ｼ ﾞ Gbass ﾄﾚﾌﾞﾙｺﾝﾄﾛｰﾙﾚﾝｼﾞ Gtre L/R バランス BAL max.boost/cut max.boost/cut ±9 ±9 ±12 ±12 ±15 ±15 ±0.5 No.6170-2/23 LC75386NE-R, 75386NW  フェダーブロック 項    目 入 力 抵 記 号 抗 Rfed 端 子 名 LFIN,RFIN 0dB∼ -2dB ｽ ﾃ ｯ ﾌ ﾟ 間 設 定 誤 差 ATerr -2dB∼-20dB -20dB∼-30dB -30dB∼-60dB L/R バランス  総合 項    目 全高調波歪率 記 号 THD(1) THD(2) 端  子  名 VIN= -10dBV,f= 1kHz VIN= -10dBV,f= 10kHz VIN= 1Vrms,f= 1kHz VIN= 1Vrms,f= 1kHz VIN= 1Vrms,f= 1kHz VIN= 1Vrms,f= 1kHz INMUTE,ﾌｪﾀﾞｰ∞ 全ﾌﾗｯﾄ, IHF-A ﾌｨﾙﾀ 全ﾌﾗｯﾄ, 20∼20kHzBPF 80 80 80 90 min typ 0.004 0.006 88 88 88 95 5 7 33 CL,DI,CE,VIN=9V CL,DI,CE,VIN=0V THD=1% RL=10kΩ 全ﾌﾗｯﾄ,fIN=1kHz VIN=0dB,f=1kHz -10 2.5 45 2.9 10 15 40 10 max 単位 ％ ％ dB dB dB dB μ V μ V mA μ A μ A Vrms dB BAL 条  件 min 25 typ 50 max 100 ±0.5 ±1 ±2 ±3 ±0.5 単位 kΩ dB dB dB dB dB 入 力 間 ｸ ﾛ ｽ ﾄ ｰ ｸ CT L/R ｸﾛｽﾄｰｸ 最大絞り込み CT Vomin(1) Vomin(2) VN(1) VN(2) 出力雑音電圧 消 費 電 流 IDD 入力｢H｣レベル電流 IIH 入力｢L｣レベル電流 IIL 最 大 入 力 電 圧 VCL 同 相 信 号 除 去 比 CMRR No.6170-3/23 LC75386NE-R, 75386NW ピン配置図 LVROUT LSELO LVRIN LF1C1 LF1C2 LF1C3 LF3C1 LF3C2 LF3C3 48 47 46 45 44 43 42 41 40 39 38 37 36 35 34 33 L5P 49 L5M 50 L4 51 L3 52 L2 53 L1 54 L6 55 VDD 56 Vref 57 R6 58 R1 59 R2 60 R3 61 R4 62 R5M 63 R5P 64 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 LTOUT 32 LFIN 31 LFOUT 30 LROUT 29 LAVSS 28 LZCLP 27 DVSS 26 CL 25 DI 24 CE 23 MUTE 22 RAVSS 21 RZCLP 20 TIM 19 RROUT 18 RFOUT 17 RFIN LCOM LTIN LCT NC NC ＬＣ７５３８６ＮＥ−Ｒ ＬＣ７５３８６ＮＷ NC RSELO RVRIN RCT RCOM RVROUT RTIN RF1C1 RF1C2 RF1C3 NC NC NC RF3C1 RF3C2 RF3C3 [LC75386NE-R] [LC75386NW] Pd max − Ta 1400 Pd max − Ta 1400 基板付き 許容消費電力, Pd max − mW 1200 基板 114.3mm×76.2mm×1.5mm 許容消費電力, Pd max − mW 1200 基板サイズ：114.3×76.1×1.6t mm 基板材質：ガラスエポキシ 指定基板付き 1040 1000 1000 800 IC単体 800 600 600 単体 500 420 400 400 RTOUT (Top view) 200 0 −40 200 0 −40 200 −20 0 20 40 60 80 100 −20 0 20 40 60 80 100 周囲温度, Ta − ℃ 周囲温度, Ta − ℃ No.6170-4/23 1M Ω [BASS fo=100Hz] 0.033 μF 330pF 0.01 μF 1 μF 10μF [TREBLE fo=10000Hz] 220pF 1μF Vref LVROUT 10μF 48 32 68kΩ 4.7kΩ 0.1μF 10μF LCOM Vref LCT LSELO LF1C3 LF1C1 LF1C2 LF3C1 LF3C2 LF3C3 LTOUT LTIN NC NC NC 47 46 45 44 43 42 41 40 39 38 37 36 35 34 33 LVRIN 1μF×6 L5P 等価回路／応用回路図 49 LFIN LFOUT 10μF PA L5M LVref LVref LVref LVref LVref 50 31 30 29 L4 51 LROUT LAVSS 28 LZCLP 27 PA L3 10μF 52 L2 LVref 53 L1 54 DVSS 26 L6 55 ﾏﾙﾁﾌﾟﾚｸｻ ZERO CROSSDET CCB INTERFACE CL 25 24 CL DI CE 23 22 VDD 56 DI μCOM CE MUTE RAVSS VDD 21 RZCLP 20 22μF Vref 57 CONTROL CIRCUIT ﾏﾙﾁﾌﾟﾚｸｻ ZERO CROSSDET LOGIC CIRCUIT VDD 47kΩ R6 58 LC75386NE-R, 75386NW R1 RVref 59 R2 RVref ・ LC75386NW 版について…LZCLP(pin28),RZCLP(pin21)は、NO CONNECT 端子である。 60 R3 RVref RVref NO SIGNAL TIMMER 1MΩ TIM 19 61 R4 62 RROUT RVref RVref 18 17 0.033μF PA R5M 63 RFOUT RFIN 10μF PA R5P 10μF 64 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 NC NC NC RCT RCOM RTIN RSELO RVRIN RF1C1 RF1C2 RF1C3 RF3C1 RF3C2 RF3C3 RTOUT RVROUT Vref 1μF 220pF 1M Ω 10μF 10μF Vref 10μF 0.01 μF 1 μF 0.033 μF 330pF No.6170-5/23 68kΩ 4.7kΩ 0.1μF [BASS fo=100Hz] [TREBLE fo=10000Hz] LC75386NE-R, 75386NW  端子説明 端子名 L1 L2 L3 L4 L6 R1 R2 R3 R4 R6 端子 No. 54 53 52 51 55 59 60 61 62 58 説       明 備    考 VDD ・ｼﾝｸﾞﾙｴﾝﾄﾞ入力端子 LVref RVref VDD L5M L5P R5M R5P 50 49 63 64 M ・差動入力端子 P LVref RVref VDD LSELO RSELO 48 1 VDD ・入力ｾﾚｸﾀ出力端子 VDD LVRIN RVRIN 47 2 ・2dB ｽﾃｯﾌﾟﾎﾞﾘｳﾑの入力端子 ・ﾛｰｲﾝﾋﾟｰﾀﾞﾝｽで入力すること。 LVref RVref VDD LCT RCT 46 3 ・ﾗｳﾄﾞﾈｽ用端子。LCT(RCT)と LVRIN(RVRIN)間に高域補  償用の CR を接続し､LCT(RCT)と Vref 間に低域補償用  CR を接続する。 LCOM RCOM 45 4 ・2dB ｽﾃｯﾌﾟﾎﾞﾘｳﾑの出力端子。 ・切換えﾉｲｽﾞ低減のため C 結合で Vref 端子に接続する  こと。 VDD VDD LTIN RTIN 43 6 ・ｲｺﾗｲｻﾞ入力端子。 No.6170-6/23 LC75386NE-R, 75386NW 端子名 LF1C1 LF1C2 LF1C3 RF1C1 RF1C2 RF1C3 LF3C1 LF3C2 LF3C3 RF3C1 RF3C2 RF3C3 NC NC NC NC NC NC 端子 No. 42 41 40 7 8 9 36 35 34 13 14 15 39 38 37 10 11 12 説       明 ・ﾄｰﾝ回路低減用ﾌｨﾙﾀ構成のｺﾝﾃﾞﾝｻ接続端子。  LF1C1(RF1C1)∼LF1C2(RF1C2)  LF1C2(RF1C2)∼LF1C3(RF1C3)  間にｺﾝﾃﾞﾝｻを接続すること。 備    考 C2 C1 LVref RVref ・ﾄｰﾝ回路高域用ﾌｨﾙﾀ構成のｺﾝﾃﾞﾝｻ接続端子。  LF3C1(RF3C1)∼LF3C2(RF3C2)  LF3C2(RF3C2)∼LF3C3(RF3C3)  間にｺﾝﾃﾞﾝｻを接続すること。 VDD C3 ・NC ﾋﾟﾝ。内部は何も接続されていない。 VDD LTOUT RTOUT 33 16 ・ｲｺﾗｲｻﾞ出力端子 VDD LFIN RFIN 32 17 ・ﾌｪﾀﾞｰﾌﾞﾛｯｸ入力端子。 ・ﾛｰｲﾝﾋﾟｰﾀﾞﾝｽでﾄﾞﾗｲﾌﾞすること。 VDD LFOUT LROUT RFOUT RROUT 31 30 18 19 ・ﾌｪﾀﾞｰ出力端子。ﾌﾛﾝﾄ側/ﾘｱ側をそれぞれ別々に絞り  込める。減衰量は、L/R 同一。 VDD ・VDD/2 電圧発生部、電源ﾘﾌﾟﾙ対策として Vref∼AVSS  間(VSS)間に数 10μ 程度のｺﾝﾃﾞﾝｻを接続すること。 F LVref RVref VDD 56 ・電源端子。 Vref 57 DVSS LAVSS RAVSS 27 29 22 ・ﾛｼﾞｯｸ系ｸﾞﾗﾝﾄﾞ端子。 ・ｱﾅﾛｸﾞ系ｸﾞﾗﾝﾄﾞ端子。 No.6170-7/23 LC75386NE-R, 75386NW 端子名 端子 No. 説       明 備    考 LC75386NE-R のみ VDD LZCLP RZCLP 28 21 ・ｾﾞﾛｸﾛｽ検出回路の帯域制限端子。 ・ 通常はｵｰﾌﾟﾝにして使用すること。 ・ LC75386NW 版は、NO CONNECT 端子である。 LVref RVref VDD MUTE 23 ・外部ｺﾝﾄﾛｰﾙﾐｭｰﾄ端子。 ・この端子を VSS ﾚﾍﾞﾙにするとﾌｪﾀﾞｰﾎﾞﾘｳﾑﾌﾞﾛｯｸが強  制的に-∞に設定される。 TIM 20 ・ｾﾞﾛｸﾛｽ回路の無信号時のﾀｲﾏ端子。  ﾃﾞｰﾀをｾｯﾄしてから、 ﾀｲﾏが完了するまでｾﾞﾛｸﾛｽ信号  が無い時、強制的にﾃﾞｰﾀをｾｯﾄする。 VDD CL DI 26 25 ・ｺﾝﾄﾛｰﾙの為のｼﾘｱﾙﾃﾞｰﾀ及びｸﾛｯｸの入力端子。 ・ﾁｯﾌﾟｲﾈｰﾌﾞﾙ端子。｢H｣→｢L｣になるﾀｲﾐﾝｸﾞで内部のﾗｯ  ﾁにﾃﾞｰﾀが書き込まれ各ｱﾅﾛｸﾞｽｲｯﾁが動く。  ｢H｣ﾚﾍﾞﾙでﾃﾞｰﾀ転送がｲﾈｰﾌﾞﾙになる。 VDD CE 24 VDD LVROUT RVROUT 44 5 ・1dB ｽﾃｯﾌﾟﾎﾞﾘｳﾑの出力端子 No.6170-8/23 LC75386NE-R, 75386NW  内部等価回路    セレクタブロック等価回路図 L5P R3=22.65k R4=25k LVref 0dB R2=25k 1.25dB 5.804k 2.50dB 50k 3.75dB LVref 4.532k 5.00dB 50k 6.25dB LVref 3.264k 7.50dB 50k 8.75dB LVref 2.447k 10.0dB 50k 11.25dB LVref 1.835k 12.5dB 50k 13.75dB LVref IN MUTE SW 1.376k 15.0dB 1.192k 16.25dB ﾄｰﾀﾙ抵抗：50kΩ LVref 18.75dB Rch も同一 単位(抵抗値：Ω) 5.774k LVref 1.032k 0.894k 1.589k 2.119k 2.826k 3.769k 5.026k 6.702k LSELO L5M R1=22.65k L6 L4 L3 L2 L1 No.6170-9/23 LC75386NE-R, 75386NW    ２ｄＢボリウムブロック等価回路図 LVRIN 41.139k 32.678k 25.957k 20.618k 16.378k ・ﾀｯﾌﾟ上の  ﾄｰﾀﾙ抵抗  195kΩ 13.009k 10.334k 8.208k 6.520k ｲﾆｼｬﾙ設定用 SW 5.179k 4.114k 3.268k 2.596k 2.062k 1.638k 1.301k 6.344k 5.040k 5.750k 4.003k 3.180k 2.526k 2.006k 1.594k ・ﾀｯﾌﾟ下の  ﾄｰﾀﾙ抵抗  30.847kΩ 1.266k 1.006k 0.799k 0.634k 0.504k 0.400k 0.318k 0.253k 0.201k 0.159k 0.127k 0.101k 0.080k 0.063k 0.050k 0.040k 0.154k LVref 0dB -2dB -4dB -6dB -8dB -10dB -12dB -14dB -16dB -18dB -20dB -22dB -24dB -26dB -28dB -30dB -32dB -34dB -36dB -38dB -40dB -42dB -44dB -46dB -48dB -50dB -52dB -54dB -56dB -58dB -60dB -62dB -64dB -66dB -68dB -70dB -72dB -74dB -76dB -78dB -∞dB LCH 1dB ﾌﾞﾛｯｸへ Rch も同一 単位(抵抗値：Ω) LCT No.6170-10/23 LC75386NE-R, 75386NW    １ｄＢボリウムブロック等価回路図 LCH 2dB ﾌﾞﾛｯｸから ｲﾆｼｬﾙ設定用 SW 5.438k 44.564k 0dB -1dB -∞dB Vref ｲﾆｼｬﾙ設定用 SW LVROUT 単位：Ω ﾄｰﾀﾙ抵抗：50kΩ RCH も同一 LCOM    トーンブロック等価回路図 LTIN 50k LVref 5.1k 5.1k LTOUT 0.711k 0.648k 1.015k 1.751k 3.595k 10.977k 12dB 10dB 8dB 6dB 4dB 0.711k 0.648k 1.015k 1.751k 3.595k 10.977k 12dB 10dB 8dB 6dB 4dB 68k LVref LVref 1k LVref 1k LF1C1 LF1C2 LF1C3 LF3C1 LF3C2 LF3C3 単位：Ω LVref 68k No.6170-11/23 LC75386NE-R, 75386NW    フェダーボリウムブロック等価回路図 S1 LFIN 5.437k 4.846k -2dB 8.169k -4dB 6.489k -6dB 5.154k -8dB 4.094k -10dB 3.252k -12dB 2.583k -14dB 2.052k -16dB 1.630k -18dB 1.295k -20dB 3.419k -30dB 1.300k -45dB 0.231k -60dB 0.050k -∞dB LVref ﾒｲﾝﾎﾞﾘｳﾑ 1dBSTEP に-∞ﾃﾞｰﾀを送った場合 S1、S2 がｵｰﾌﾟﾝとなり S3、S4 が同時ｵﾝとなる。 単位：Ω ﾄｰﾀﾙ抵抗：50kΩ FADER=｢1｣で S2、S3 がｵﾝ FADER=｢0｣で S1、S4 がｵﾝ 0dB -1dB S3 S4 LROUT S2 LFOUT No.6170-12/23 LC75386NE-R, 75386NW コントロール系タイミングおよびデータフォーマット ＬＣ７５３８６ＮＥ−Ｒ／ＮＷをコントロールするには、ＣＬ，ＤＩ，ＣＥ端子に規定のシリアルデータ を入力する。データの構成は、全５２ビットで、アドレス８ビット、データ４４ビットからなる。 CE DI CL B0 B1 B2 B3 A0 A1 A2 A3 D0 D1 D2 D3 D4 D5 ∼ ∼ ∼∼ ∼∼∼ ∼ D38 D39 D40 D41 D42 D43 1μs 1μs 1μs min min min 1μ s min ∼ ∼ ∼ ∼ CE 1μs min CL    1) アドレスコード(B0∼A3) 1μs ≦ TDEST   ＬＣ７５３８６ＮＥ−Ｒ／ＮＷは、８ビットのアドレスコードを持ち、三洋のシリアルバス CCB 対応の LSI と 共通仕様することができる。    アドレスコード (LSB) B0 1 B1 0 B2 0 B3 0 A0 0 A1 0 A2 0 A3 1 (81HEX) 2) 制御コード割り当て    入力切換え制御 D0 0 1 0 1 0 1 0 1 D3 D1 0 0 1 1 0 0 1 1 D2 0 0 0 0 1 1 1 1 L1 L2 L3 L4 L5 L6 設 定 (R1) (R2) (R3) (R4) (R5) (R6) 設 定 LSI ﾃｽﾄ用：通常時は、使用      しないこと LSI のﾃｽﾄ用ﾋﾞｯﾄ：通常時はかならず 0 を設定すること ∼ ∼ DI ∼ ∼ No.6170-13/23 LC75386NE-R, 75386NW    入力ゲイン制御 D4 0 1 0 1 0 1 0 1 0 1 0 1 0 1 0 1 D5 0 0 1 1 0 0 1 1 0 0 1 1 0 0 1 1 D6 0 0 0 0 1 1 1 1 0 0 0 0 1 1 1 1 D7 0 0 0 0 0 0 0 0 1 1 1 1 1 1 1 1 動  作 0dB +1.25dB +2.50dB +3.75dB +5.00dB +6.25dB +7.50dB +8.75dB +10.0dB +11.25dB +12.5dB +13.75dB +15.0dB +16.25dB +17.5dB +18.75dB No.6170-14/23 LC75386NE-R, 75386NW    ボリウム制御 D8 0 1 0 1 0 1 0 1 0 1 0 1 0 1 0 1 0 1 0 1 0 1 0 1 0 1 0 1 0 1 0 1 0 1 0 1 0 1 0 1 0 1 1 0 0 0 1 1 0 0 1 1 0 0 1 1 0 0 1 1 0 0 1 1 0 0 1 1 0 0 1 1 0 0 1 1 0 0 1 1 0 0 1 1 1 1 0 0 0 0 1 1 1 1 0 0 0 0 1 1 1 1 0 0 0 0 1 1 1 1 0 0 0 0 1 1 1 1 0 0 0 0 1 1 1 1 1 1 0 0 0 0 0 0 0 0 1 1 1 1 1 1 1 1 0 0 0 0 0 0 0 0 1 1 1 1 1 1 1 1 0 0 0 0 0 0 0 0 1 1 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 0 0 0 0 0 0 0 0 1 1 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 D9 D10 D11 D12 D13 D14 D15 動  作 1dB STEP 0dB -1dB 2dB STEP 0dB -2dB -4dB -6dB -8dB -10dB -12dB -14dB -16dB -18dB -20dB -22dB -24dB -26dB -28dB -30dB -32dB -34dB -36dB -38dB -40dB -42dB -44dB -46dB -48dB -50dB -52dB -54dB -56dB -58dB -60dB -62dB -64dB -66dB -68dB -70dB -72dB -74dB -76dB -78dB MUTE -∞ INMUTE No.6170-15/23 LC75386NE-R, 75386NW    トーン制御 D16 D24 0 1 0 1 0 1 0 1 0 1 0 1 0 D20 0 D17 D25 1 0 0 1 1 0 0 0 1 1 0 0 1 D21 0 D18 D26 1 1 1 0 0 0 0 0 0 0 1 1 1 D22 0 D19 D27 0 0 0 0 0 0 0 1 1 1 1 1 1 D23 0 バス トレブル +12dB +10dB +8dB +6dB +4dB +2dB 0dB -2dB -4dB -6dB -8dB -10dB -12dB 設  定 0 に設定する    フェダーボリウム制御 D28 0 1 0 1 0 1 0 1 0 1 0 1 0 1 0 1 D29 0 0 1 1 0 0 1 1 0 0 1 1 0 0 1 1 D30 0 0 0 0 1 1 1 1 0 0 0 0 1 1 1 1 D31 0 0 0 0 0 0 0 0 1 1 1 1 1 1 1 1 動  作 0dB -1dB -2dB -4dB -6dB -8dB -10dB -12dB -14dB -16dB -18dB -20dB -30dB -45dB -60dB -∞    チャネル選択制御 D32 0 1 0 1 D33 0 0 1 1 設  定 L/R 同時，ｲﾆｼｬﾙ設定ﾓｰﾄﾞ RCH LCH L/R 同時 フェダー リア／フロント制御 D34 0 1 設  定 ﾘｱ ﾌﾛﾝﾄ No.6170-16/23 LC75386NE-R, 75386NW    ラウドネス制御 D35 0 1 設  定 OFF ON    ゼロクロス制御 D36 0 1 D37 0 1 設  定 ｾﾞﾛｸﾛｽ検出によりﾃﾞｰﾀ書き込み ｾﾞﾛｸﾛｽ検出動作停止(CE の立下りでﾃﾞｰﾀ書き込み)    ゼロクロス信号 検出ブロックの制御 D38 0 1 0 1 D39 0 0 1 1 D40 0 0 0 0 D41 0 0 0 0 設  定 ｾﾚｸﾀ ﾎﾞﾘｳﾑ ﾄｰﾝ ﾌｪﾀﾞｰ    テストモード制御 D42 0 D43 0 設  定 LSI のﾃｽﾄ用のためかならず 0 を設定する No.6170-17/23 LC75386NE-R, 75386NW 使用上の注意 (1) 電源投入時におけるデータ送信について ・電源投入時、内部のアナログスイッチの状態は不定である。データをセットするまでは、ミューティング等の  対策を外部で行うこと。 ・電源投入時、各ブロックのバイアスを短時間で安定させるために一度イニシャル設定データを送信すること。 ① イニシャル設定モードから初期データ設定までの時間  ・VDD=6V 以上になってから、イニシャル設定データを送信すること。  ・LCOM 端子、RCOM 端子が VREF レベルに安定してから、初期データを設定すること。 LCOM 端子、RCOM 端子に接続されているｺﾝﾃﾞﾝｻが VREF ﾚﾍﾞﾙまでﾁｬｰｼﾞされるまでの時間 1/2 VDD ﾚﾍﾞﾙ VREF VDD=6V VDD=9V(TYP) VDD ﾃﾞｰﾀ ｲﾆｼｬﾙ設定 ﾓｰﾄﾞ 初期ﾃﾞｰﾀ LCH 側 初期ﾃﾞｰﾀ RCH 側 ｲﾆｼｬﾙ設定 ﾓｰﾄﾞ解除 ② イニシャル設定モードの設定方法 D32，D33 を 00 に設定すると、内蔵イニシャル設定用 SW がオンし、急速充電モードに設定される。 この時、他のデータ(D0∼D31，D34∼D43)は Lch/Rch 同時に設定されるので、各ブロックの状態設定も同時に 行うことができる。 ③ イニシャル設定モード解除の方法 D32，D33 が 00 以外、すなわち通常の Lch/Rch チャネル指定を行えば、内蔵イニシャル設定用 SW がオフし、 急速充電モードを解除できる。 (2) ゼロクロス切換え回路の動作説明 LC75386NE-R/NW は、ｾﾞﾛｸﾛｽｺﾝﾊﾟﾚｰﾀの信号検出場所を切換えられる機能を有し、データを更新するブロックに 最適な検出場所を選択できる。基本的には、データを更新するブロックの直後の信号をゼロクロスコンパレー タに入力すれば切換えノイズを最小にできるので、その都度検出場所を切換える必要がある。 また、信号振幅がゼロクロスコンパレータの検出感度以下(数 mVrms)になった場合(ボリウムをしぼった状態) は、ゼロクロスタイマオーバフローによる書込みを行うよりも、ボリウムブロックの前すなわちセレクタブロ ックの出力でゼロクロスを検出した方が切換えノイズを小さくできる。例えば、ボリウムブロックの入力振幅 が 1Vrms の場合、ボリウムを-40dB 以下に設定すると 10mVrms 以下となるので、セレクタブロック出力で検出 した方が、切換えノイズを小さくできる。 セレクタ ボリウム トーン フェダー スイッチ ゼロクロス コンパレータ LC75386NE-R/NW ゼロクロス検出回路 No.6170-18/23 LC75386NE-R, 75386NW (3) ゼロクロス切換え制御方法 ゼロクロス切換えの制御方法は、ゼロクロス制御ビットをゼロクロス検出モードに設定(D36,D37=0)し、検出ブ ロック(D38,D39,D40,D41)を指定してからデータを送信する。これらの制御ビットは、データ転送直後、すなわ ちCE の立ち下がりに同期して先にラッチされるので、ボリウム等のデータを更新する際は一回のデータ転送で モ ードの設定およびゼロクロス切換え動作を行うことができる。以下に、ボリウムブロックのデータを更新す る際の制御例を示す。 D36 0 D37 0 D38 1 D39 0 D40 0 D41 0 ゼロクロス検出 モード設定 ボリウムブロック 設定 (4) ゼロクロスタイマの設定 入力信号がゼロクロスコンパレータの検出感度以下になった場合、あるいは低周波信号のみが入力されている 場合には、ゼロクロスを検出できない状態が続き、その間データがラッチされなくなる。 ゼロクロスタイマは、このようにゼロクロスを検出できない状態において強制的にラッチする時間を設定する タイマで、確実にゼロクロスを検出できる下限周波数を考慮に入れて決定する。 例えば、25ms に設定する場合 T=0.69CR C=0.033μF とすると 25×10-3 R= ≒1.1MΩ 0.69×0.033×10-6 となる。 (5) シリアルデータ転送に関する注意事項 ① CL，DI，CE 端子に伝送される高周波ディジタル信号がアナログ信号系に飛び込まないように、これらの信号ラ   インはグランドパターンでガードするか、シールド線による伝送を行うこと。 ② LC75386NE-R/NW のデータフォーマットは、アドレス 8 ビット，データは 44 ビットである。データを 8 の倍数 で送信する場合( 4 8 ビットを送信する場合)、図 1 のようなデータの送り方をすること。   LC75386NE-R/NW の 8 の倍数によるデータの受信方法 X X X X D0 D1 D2 D3 ･･･････ D36 D37 D38 D39 D40 D41 D42 D43 ﾃｽﾄﾓｰﾄﾞ制御 X：don t care ③ CCB 転送時本 IC は、CE の立ち上がりでアドレスの一致検出を行っているが、この時CL は必ず｢L｣レベルにし   て立ち上げること。 ﾀﾞﾐｰﾃﾞｰﾀ 入力切換え制御 No.6170-19/23 LC75386NE-R, 75386NW 出力レベル特性 20 VDD=9V,VSS=0V,VIN= 0 dBV オーバーオール 入力＝L1,出力＝LF OUT 設定：0dB∼-54dBポジション(-2dBステップ) 10 0 -10 -20 -30 -40 -50 0 -2 -4 -6 -8 -10 -12 -14 -16 -18 -20 -22 -24 -26 -28 -30 -32 -34 -36 -38 -40 -42 -44 -46 -48 -50 -52 -54 レベル − dB -60 10 2 3 5 7 100 2 3 5 7 1k 2 3 5 7 10k 2 3 5 7 100k 周波数,f − Hz ラウドネス特性 20 VDD=9V,VSS=0V,VIN= 0 dBV オーバーオール 入力＝L1,出力＝LF OUT 設定：0dB∼-54dBポジション(-2dBステップ) 10 0 -10 -20 -30 -40 -50 0 -2 -4 -6 -8 -10 -12 -14 -16 -18 -20 -22 -24 -26 -28 -30 -32 -34 -36 -38 -40 -42 -44 -46 -48 -50 -52 -54 出力レベル − dBV -60 10 2 3 5 7 100 2 3 5 7 1k 2 3 5 7 10k 2 3 5 7 100k 周波数,f − Hz No.6170-20/23 LC75386NE-R, 75386NW メインボリウムステップ特性 0 -10 -20 VDD=9V VSS=0V VIN= 0 dBV f=1kHz 出力レベル − dB 20 18 16 14 12 10 8 6 4 2 ゲインステップ特性 VDD=9V VSS=0V VIN=-20dBV f=1kHz 減衰量 − dB -30 -40 -50 -60 -70 -80 -90 -∞ -70 -60 -50 -40 -30 -20 -10 0 0 0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 ステップ − dB ステップ − dB 入 力 ゲ イ ン 部 メ イ ン ボ リ ウ ム 部 グ ラ イ コ 部 フ ェ ダ ー 部 V 入 力 ゲ イ ン 部 メ イ ン ボ リ ウ ム 部 グ ラ イ コ 部 フ ェ ダ ー 部 V フェダーボリウムステップ特性 0 -10 -20 -30 -40 -50 -60 -70 -80 フェダーボリウム減衰量 − dB 全高調波ひずみ率, THD − ％ VDD=9V VSS=0V VIN=0dBV f=1kHz 1.0 7 5 3 2 0.1 7 5 3 2 0.01 7 5 3 2 THD - 周波数特性 VDD=9V,VSS=0V,VIN=-10dBV 入力＝L1,出力＝LF OUT 80kHzローパスウェイト -∞ -70 -60 -50 -40 -30 -20 -10 0 0.001 10 23 5 7100 23 5 7 1k 23 5 710k 23 5 7100k ステップ − dB 周波数,f − Hz 入 力 ゲ イ ン 部 メ イ ン ボ リ ウ ム 部 グ ラ イ コ 部 フ ェ ダ ー 部 V 入 力 ゲ イ ン 部 メ イ ン ボ リ ウ ム 部 グ ラ イ コ 部 フ ェ ダ ー 部 THD METER No.6170-21/23 LC75386NE-R, 75386NW 1.0 7 5 THD - 入力レベル特性 全高調波ひずみ率, THD − ％ THD - 電源電圧特性 1.0 7 5 3 2 0.1 7 5 3 2 0.01 7 5 3 2 4 全高調波ひずみ率, THD − ％ 3 2 0.1 7 5 3 2 0.01 7 5 3 2 VDD=9V,VSS=0V 80kHzローパスウェイト VR=0dBポジション VSS=0V 80kHzローパスウェイト f= f=2 1k 0kH Hz z BV, f=20 kHz VI N=-10 0d dBV BV , f=2 V 0kHz , f= IN = 1k -10 Hz dB V, f=1 kH z V IN = 5 6 7 8 9 10 11 12 13 VI N=0d 0.001 -40 -35 -30 -25 -20 -15 -10 -5 0 5 10 0.001 入力レベル, VIN − dBV 電源電圧 − V 入 力 ゲ イ ン 部 メ イ ン ボ リ ウ ム 部 グ ラ イ コ 部 フ ェ ダ ー 部 THD METER 入 力 ゲ イ ン 部 メ イ ン ボ リ ウ ム 部 グ ラ イ コ 部 フ ェ ダ ー 部 THD METER 0 -5 -10 バス特性 VDD=9V,VSS= 0V,VIN=-20dBV 入力＝L1,出力＝LF OUT 0 -5 -10 トレブル特性 VDD=9V,VSS=0V,VIN=-20dBV 入力＝L1,出力＝LF OUT レベル − dB -15 -20 -25 -30 -35 -40 10 レベル − dB 23 5 7100 23 5 7 1k 23 5 7 10k 23 5 7100k -15 -20 -25 -30 -35 -40 10 23 5 7100 23 5 7 1k 23 5 7 10k 23 5 7100k 周波数,f − Hz 周波数,f − Hz No.6170-22/23 LC75386NE-R, 75386NW 本書記載の製品は、定められた条件下において、記載部品単体の性能・特性・機能などを規定するものであ り、お客様の製品（機器）での性能・特性・機能などを保証するものではありません。部品単体の評価では 予測できない症状・事態を確認するためにも、お客様の製品で必要とされる評価・試験を必ず行って下さい。 弊社は、高品質・高信頼性の製品を供給することに努めております。しかし、半導体製品はある確率で故障 が生じてしまいます。この故障が原因となり、人命にかかわる事故、発煙・発火事故、他の物品に損害を与 えてしまう事故などを引き起こす可能性があります。機器設計時には、このような事故を起こさないような、 保護回路・誤動作防止回路等の安全設計、冗長設計・機構設計等の安全対策を行って下さい。 本書記載の製品が、外国為替および外国貿易法に定める規制貨物（役務を含む）に該当する場合、輸出する 際に同法に基づく輸出許可が必要です。 弊社の承諾なしに、本書の一部または全部を、転載または複製することを禁止します。 本書に記載された内容は、製品改善および技術改良等により将来予告なしに変更することがあります。した がって、ご使用の際には、「納入仕様書」でご確認下さい。 この資料の情報（掲載回路および回路定数を含む）は一例を示すもので、量産セットとしての設計を保証す るものではありません。また、この資料は正確かつ信頼すべきものであると確信しておりますが、その使用 にあたって第３者の工業所有権その他の権利の実施に対する保証を行うものではありません。 Y184 PS No.6170-23/23