注 文コード No. N 8 0 1 8
MCH3314
MCH3314
特長 ・低オン抵抗。 ・超高速スイッチング。 ・4V 駆動。
P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ
汎用スイッチングデバイス
絶対最大定格 Absolute Maximum Ratings / Ta=25℃ 項目 ドレイン・ソース電圧 ゲート・ソース電圧 ドレイン電流(DC) ドレイン電流(パルス) 許容損失 チャネル温度 保存周囲温度 記号 VDSS VGSS ID IDP PD Tch Tstg 条件 定格値 − 60 ± 20 − 0.6 PW ≦ 10µs, duty cycle ≦ 1% セラミック基板(900mm2 × 0.8mm)装着時 − 2.4 0.8 150 − 55 ∼+ 150 unit V V A A W ℃ ℃
電気的特性 Electrical Characteristics / Ta=25℃ 項目 ドレイン・ソース降伏電圧 ドレイン・ソースしゃ断電流 ゲート・ソースもれ電流 ゲート・ソースしゃ断電圧 順伝達アドミタンス ドレイン・ソース間オン抵抗 入力容量 出力容量 帰還容量 ターンオン遅延時間 立ち上がり時間 ターンオフ遅延時間 下降時間 単体品名表示:JP 記号 V(BR)DSS IDSS IGSS VGS(off) yfs RDS(on)1 RDS(on)2 Ciss Coss Crss td(on) tr td(off) tf 条件 ID= − 1mA, VGS=0 VDS= − 60V, VGS=0 VGS= ± 16V, VDS=0 VDS= − 10V, ID= − 1mA VDS= − 10V, ID= − 0.3A ID= − 0.3A, VGS= − 10V ID= − 0.2A, VGS= − 4V VDS= − 20V, f=1MHz VDS= − 20V, f=1MHz VDS= − 20V, f=1MHz 指定回路において 指定回路において 指定回路において 指定回路において min − 60 −1 − 1.2 460 670 1.3 1.6 73 7 4 6 3.5 12.5 3 ± 10 − 2.6 1.7 2.3 定格値 typ max unit V µA µA V mS Ω Ω pF pF pF ns ns ns ns
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本書記載の製品は、極めて高度の信頼性を要する用途 (生命維持装置、 航空機のコントロールシステム等、 多大な人的・物的損害を及ぼす恐れのある用途) に対応する仕様にはなっておりません。そのような場合に は、あらかじめ三洋電機販売窓口までご相談下さい。 本書記載の規格値(最大定格、動作条件範囲等) を瞬時たりとも越えて使用し、その結果発生した機器の欠陥 について、弊社は責任を負いません。
〒370-0596 群馬県邑楽郡大泉町坂田一丁目1番1号 D1004 TS IM ◎ 川浦 TB-00000248 No.8018-1/4
MCH3314
前ページより続く。 項目 総ゲート電荷量 ゲート・ソース電荷量 ゲート・ドレイン電荷量 ダイオード順電圧 外形図 unit : mm 2167A
VIN
0.25
記号 Qg Qgs Qgd VSD
条件 VDS= − 30V, VGS= − 10V, ID= − 0.6A VDS= − 30V, VGS= − 10V, ID= − 0.6A VDS= − 30V, VGS= − 10V, ID= − 0.6A IS= − 0.6A, VGS=0
定格値 min typ 2.6 0.4 0.4 − 0.88 スイッチングタイム測定回路図 − 1.2 max
unit nC nC nC V
VDD= --30V
0.3
0.15
0V --10V VIN ID= --0.3A RL=100Ω
3
2.1 1.6
D
0.07
VOUT
2
0.25
1
PW=10µs D.C.≦1%
0.65 2.0
(Bottom view)
G
3
MCH3314
1 : Gate 2 : Source 3 : Drain
1 2
(Top view)
P.G
50Ω
S
0.85
SANYO : MCPH3
--0.6
ID -- VDS
.0V
--1.0
ID -- VGS
VDS= --10V
--0.5
0V --10
V --4.0 V
--6.
-3
.5
--0.8
ドレイン電流, ID -- A
--0.4
--3
.0 V
ドレイン電流, ID -- A
--0.6
--0.3
--0.4
--0.2
Ta= 75° C
0 --0.5 --1.0 --1.5 --2.0
VGS= --2.5V
--0.1
--0.2
0 0 --0.25 --0.50 --0.75 --1.00 --1.25 --1.50 --1.75 --2.00
0 --2.5 --3.0 --3.5 --4.0
ドレイン・ソース電圧, VDS -- V
ドレイン・ソース間オン抵抗, RDS(on) -- Ω
4.0 3.5 3.0 2.5 2.0 1.5 1.0 0.5 0 0 --2 --4 --6 --8 --10 --12 --14 --16
IT03941
Ta=25°C ID= --0.3A
ドレイン・ソース間オン抵抗, RDS(on) -- Ω
RDS(on) -- VGS
ゲート・ソース電圧, VGS -- V
4.0 3.5 3.0 2.5 2.0 1.5 1.0 0.5 0 --60
25° --25 C °C
IT03942
RDS(on) -- Ta
--4V S= , V G = --10V A --0.2 VGS I D= 0.3A, = -ID
--18
--20
--40
--20
0
20
40
60
80
100
120
140
160
ゲート・ソース電圧, VGS -- V
IT07686
周囲温度, Ta -- °C
IT07687
No.8018-2/4
MCH3314
10000 7 5 3 2
yfs -- ID
VDS= --10V
--1.0 7 5 3
IF -- VSD
VGS=0
順伝達アドミタンス, yfs -- mS
順電流, IF -- A
3 2 100 7 5 3 2 10 --0.01 2 3 5
--0.1 7 5 3 2
7
--0.1
2
3
5
ドレイン電流, ID -- A
100
--1.0 IT03945
7
--0.01 --0.4
Ta=
--25°C
25°C Ta= -75°C
75°C
25°C
1000 7 5
25°C
2
--0.5
--0.6
--0.7
--0.8
--0.9
--1.0
--1.1
--1.2
SW Time -- ID
スイッチングタイム, SW Time -- ns
7 5 3 2
VDD= --30V VGS= --10V
100 7 5
Ciss, Coss, Crss -- VDS
Ciss
ダイオード順電圧, VSD -- V
IT03946
f=1MHz
Ciss, Coss, Crss -- pF
3 2
tf
td(off)
td(on)
10 7 5 3 2 1.0 3 5 7 --0.1 2 3 5 7 --1.0 2 IT03947
10 7 5 3 2 1.0 0 --10 --20 --30 --40 --50 --60 IT03948
Coss
tr
Crss
ドレイン電流, ID -- A
--10 --9
VGS -- Qg
ドレイン・ソース電圧, VDS -- V
5 3 2 --1.0 7 5 3 2 --0.1 7 5 3 2
ASO
ゲート・ソース電圧, VGS -- V
VDS= --30V ID= --0.6A
IDP= --2.4A
--8 --7 --6 --5 --4 --3 --2 --1 0 0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 IT07110
--0.01 7 5 3 2
<10µs 10 0µ s 1m ID= --0.6A s 10 m s D C 10 op 0m er s at io n( Ta =2 5° C) Operation in this area is limited by RDS(on).
ドレイン電流, ID -- A
--0.001 --0.01 2 3
Ta=25°C 1パルス セラミック基板(900mm2×0.8mm)装着時
5 7--0.1 23 57 --1.0 23 5 7--10 23
総ゲート電荷量, Qg -- nC
1.0
PD -- Ta
ドレイン・ソース電圧, VDS -- V
57 --100 IT07675
0.8
0.6
0.4
0.2
セ ラ ミ ッ ク 基 板 (9 00 m m2 × 0.8 m m )装 着 時
許容損失, PD -- W
0 0 20 40 60 80 100 120 140 160
周囲温度, Ta -- °C
IT07669
No.8018-3/4
MCH3314
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