注文コード No. N 7 2 1 3
MCH3318
No. N 7 2 1 3
72602
新
MCH3318
特長 ・低オン抵抗。 ・超高速スイッチング。 ・1.8V 駆動。
P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ
超高速スイッチング用
絶対最大定格 Absolute Maximum Ratings / Ta=25℃ ドレイン・ソース電圧 ゲート・ソース電圧 ドレイン電流(DC) ドレイン電流(パルス) 許容損失 チャネル温度 保存周囲温度 VDSS VGSS ID IDP PD Tch Tstg PW ≦ 10µs, duty cycle ≦ 1% セラミック基板(900mm2 × 0.8mm)装着時 − 12 ±8 −2 −8 0.9 150
unit V V A A W ℃ ℃ max − 10 ± 10 − 0.3 2.0 − 1.0 2.9 110 160 220 310 90 80 145 225 330 unit V µA µA V S mΩ mΩ mΩ pF pF pF 次ページへ続く。
− 55 ∼+ 150 min − 12 typ
電気的特性 Electrical Characteristics / Ta=25℃ ドレイン・ソース降伏電圧 V(BR)DSS ID= − 1mA, VGS=0 ドレイン・ソースしゃ断電流 IDSS VDS= − 12V, VGS=0 ゲート・ソースもれ電流 IGSS VGS= ± 6.4V, VDS=0 ゲート・ソースしゃ断電圧 順伝達アドミタンス ドレイン・ソース間オン抵抗 VGS(off) yfs RDS(on)1 RDS(on)2 RDS(on)3 Ciss Coss Crss VDS= − 6V, ID= − 1mA VDS= − 6V, ID= − 1A ID= − 1A, VGS= − 4.5V ID= − 0.5A, VGS= − 2.5V ID= − 0.2A, VGS= − 1.8V VDS= − 6V, f=1MHz VDS= − 6V, f=1MHz VDS= − 6V, f=1MHz
入力容量 出力容量 帰還容量 単体品名表示:JT
外形図 2167A (unit : mm)
0.25
0.3 3
0.15
2.1
本書記載の製品は、極めて高度の信頼性を 要する用途 (生命維持装置、 航空機のコント ロールシステム等、多大な人的・物的損害 を及ぼす恐れのある用途) に対応する仕様に はなっておりません。そのような場合には、 あらかじめ三洋電機販売窓口までご相談下 さい。 本書記載の規格値(最大定格、動作条件範囲 等) を瞬時たりとも越えて使用し、その結果 発生した機器の欠陥について、弊社は責任 を負いません。
1.6
0.25
0.65 2.0
(Bottom view)
0.07
2
1
3
1 : Gate 2 : Source 3 : Drain
1 2
(Top view)
0.85
SANYO : MCPH3
〒370-0596 群馬県邑楽郡大泉町坂田一丁目1番1号 72602 TS IM ◎佐藤 TA-3485 No.7213-1/4
MCH3318
前ページより続く。 min ターンオン遅延時間 立ち上がり時間 ターンオフ遅延時間 下降時間 総ゲート電荷量 ゲート・ソース電荷量 ゲート・ドレイン電荷量 ダイオード順電圧 スイッチングタイム測定回路図
VIN 0V --4.5V VIN PW=10µs D.C.≦1% ID= --1.0A RL=6.0Ω VDD= --6V
typ 14 53 53 52 4.6 0.7 1.3 − 0.89
max
unit ns ns ns ns nC nC
td(on) tr td(off) tf Qg Qgs Qgd VSD
指定回路において 〃 〃 〃 VDS= − 6V, VGS= − 4.5V, ID= − 2.0A IS= − 2.0A, VGS=0
− 1.5
nC V
D
VOUT
G
MCH3318 P.G 50Ω
S
--2.0
ID -- VDS
0V
V
--2.0 --1.8 --1.6
ID -- VGS
VDS= --6V
V --3.
--1.6
ドレイン電流, ID -- A
--3. 5
-2
--1.8
.5
ドレイン電流, ID -- A
--4.
5V
--1.4 --1.2 --1.0 --0.8 --0.6 --0.4 --0.2 0 0
--1.8
V
--1.4 --1.2 --1.0 --0.8
V --1.5
--0.4
Ta=
0 --0.5 --1.0
75°
--0.6
VGS= --1.0V
--0.1 --0.2 --0.3 --0.4 --0.5 IT04314
--0.2 0
25 °C
--1.5
--25°C
C
--2.0
--2.5 IT04315
ドレイン・ソース電圧, VDS -- V
ドレイン・ソース間オン抵抗, RDS(on) -- mΩ
400
ドレイン・ソース間オン抵抗, RDS(on) -- mΩ
RDS(on) -- VGS
ゲート・ソース電圧, VGS -- V
400
RDS(on) -- Ta
Ta=25°C
300
300
--1.0A ID= --0.5A
200
200
100
100
V = --1.8 VS .2A, G 0 I D= -V = --2.5 , V GS --0.5A I D= = --4.5V .0A, V GS I D= --1
0 0 --1 --2 --3 --4 --5 --6 --7 --8
0 --60
--40
--20
0
20
40
60
80
100
120
140
160
ゲート・ソース電圧, VGS -- V
IT04316
周囲温度, Ta -- °C
IT04317
No.7213-2/4
MCH3318
10 7 5
yfs -- ID
VDS= --6V
--10 7 5 3
IF -- VSD
VGS=0
順伝達アドミタンス, yfs -- S
3 2
25
°C
順電流, IF -- A
2
Ta
= --
°C 25
--1.0 7
5°C 25°C
75°
C
5 3 2 --0.1 --0.4
1.0 7 5 --0.1
2
3
5
7
--1.0
2
3
5 IT04318
--0.6
--0.8
--25°C
Ta=7
--1.0
--1.2
--1.4 IT04319
ドレイン電流, ID -- A
3
SW Time -- ID
スイッチングタイム, SW Time -- ns
2
VDD= --6V VGS= --4.5V
1000 7 5
Ciss, Coss, Crss -- VDS
f=1MHz
ダイオード順電圧, VSD -- V
Ciss, Coss, Crss -- pF
100 7 5
td(off)
tr
tf
3 2
Ciss
3 2
100 7 5 3
Coss
Crss
td(on)
10 --0.1 2 3 5 7 --1.0 2 3 5 IT04320
0
--2
--4
--6
--8
--10
--12 IT04321
ドレイン電流, ID -- A
--4.5 --4.0
VGS -- Qg
ドレイン・ソース電圧, VDS -- V
2 --10 7 5
ASO
ゲート・ソース電圧, VGS -- V
VDS= --6V ID= --2A
IDP= --8A ID= --2A
10
<10µs
ドレイン電流, ID -- A
--3.5 --3.0 --2.5 --2.0 --1.5 --1.0 --0.5 0 0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0
1m
ms
s
3 2 --1.0 7 5 3 2 --0.1 7 5 3 2
100µs
DC
10
op
0m
era
s
tio
n
Operation in this area is limited by RDS(on). Ta=25°C 1パルス セラミック基板(900mm2×0.8mm)装着時
2 3 5 7 --1.0 2 3 5 7 --10 2 3
--0.01 --0.1
総ゲート電荷量, Qg -- nC
1.2
IT04322
PD -- Ta
ドレイン・ソース電圧, VDS -- V
IT04323
1.0 0.9
許容損失, PD -- W
セ
0.8
ラ
ミ
ッ
ク
基
板
0.6
(9
00
m
m2 ×
0.4
0.8
m
m
)装
着
0.2
時
0 0 20 40 60 80 100 120 140 160
周囲温度, Ta -- °C
IT04324
No.7213-3/4
MCH3318
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PS No.7213-4/4
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