注 文コード No. N 8 2 2 1
MCH3420
MCH3420
特長 ・低オン抵抗。 ・超高速スイッチング。 ・4V 駆動。
N チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ
汎用スイッチングデバイス
絶対最大定格 Absolute Maximum Ratings / Ta=25℃ 項目 ドレイン・ソース電圧 ゲート・ソース電圧 ドレイン電流 (DC) ドレイン電流 (パルス) 許容損失 チャネル温度 保存周囲温度 記号 VDSS VGSS ID IDP PD Tch Tstg 条件 定格値 100 ± 20 0.5 PW ≦ 10µs, duty cycle ≦ 1% セラミック基板(900mm2 × 0.8mm)装着時 2 0.8 150 − 55 ∼+ 150 unit V V A A W ℃ ℃
電気的特性 Electrical Characteristics / Ta=25℃ 項目 ドレイン・ソース降伏電圧 ドレイン・ソースしゃ断電流 ゲート・ソースもれ電流 ゲート・ソースしゃ断電圧 順伝達アドミタンス ドレイン・ソース間オン抵抗 入力容量 出力容量 帰還容量 ターンオン遅延時間 立ち上がり時間 ターンオフ遅延時間 下降時間 単体品名表示:KV 記号 V(BR)DSS IDSS IGSS VGS(off) yfs RDS(on)1 RDS(on)2 Ciss Coss Crss td(on) tr td(off) tf 条件 ID=1mA, VGS=0 VDS=100V, VGS=0 VGS= ± 16V, VDS=0 VDS=10V, ID=1mA VDS=10V, ID=250mA ID=250mA, VGS=10V ID=250mA, VGS=4V VDS=20V, f=1MHz VDS=20V, f=1MHz VDS=20V, f=1MHz 指定回路において 指定回路において 指定回路において 指定回路において min 100 1 1.2 0.4 0.8 1.4 1.8 80 6.5 4 6 8 14 8 ± 10 2.2 1.85 2.5 定格値 typ max unit V µA µA V S Ω Ω pF pF pF ns ns ns ns
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本書記載の製品は、極めて高度の信頼性を要する用途 (生命維持装置、 航空機のコントロールシステム等、 多大な人的・物的損害を及ぼす恐れのある用途) に対応する仕様にはなっておりません。そのような場合に は、あらかじめ三洋電機販売窓口までご相談下さい。 本書記載の規格値(最大定格、動作条件範囲等) を瞬時たりとも越えて使用し、その結果発生した機器の欠陥 について、弊社は責任を負いません。
〒370-0596 群馬県邑楽郡大泉町坂田一丁目1番1号 21005PE TS IM ◎川浦 TA-100986 No.8221-1/4
MCH3420
前ページより続く。 項目 総ゲート電荷量 ゲート・ソース電荷量 ゲート・ドレイン電荷量 ダイオード順電圧 外形図 unit : mm 2167A
VIN
0.25
記号 Qg Qgs Qgd VSD
条件 VDS=50V, VGS=10V, ID=0.5A VDS=50V, VGS=10V, ID=0.5A VDS=50V, VGS=10V, ID=0.5A IS=0.5A, VGS=0
定格値 min typ 3.2 0.6 0.6 0.87 1.2 max
unit nC nC nC V
スイッチングタイム測定回路図
VDD=50V
0.3
0.15
10V 0V VIN ID=0.25A RL=200Ω
3
2.1 1.6
D
0.07
VOUT
2
0.25
1
PW=10µs D.C.≦1%
0.65 2.0
(Bottom view)
G
3
MCH3420
1 : Gate 2 : Source 3 : Drain
1 2
(Top view)
P.G
50Ω
S
0.85
SANYO : MCPH3
0.5
ID -- VDS
V 6.0
4.0 V
1.0
ID -- VGS
VDS=10V
V
ドレイン電流, ID -- A
8.0
5.0
0.4
VGS=3.0V
ドレイン電流, ID -- A
V
0.8
3.5
V
10V
0.3
0.6
0.2
0.4
°C 75° C
2.5
0 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6
0 0 0.5 1.0 1.5 2.0 3.0 3.5 4.0
ドレイン・ソース電圧, VDS -- V
ドレイン・ソース間オン抵抗, RDS(on) -- Ω
4.0 3.5 3.0 2.5 2.0 1.5 1.0 0.5 0 0 2 4 6 8 10 12 14 16
IT05985
Ta=25°C ID=0.25A
ドレイン・ソース間オン抵抗, RDS(on) -- Ω
RDS(on) -- VGS
ゲート・ソース電圧, VGS -- V
4.0 3.5 3.0 2.5 2.0 1.5 1.0 0.5 0 --60
Ta
--25
0.1
0.2
=25
°C
IT05986
RDS(on) -- Ta
0. I D=
, 25A
=4V V GS
0 I D=
=10 V GS 5A, .2
V
18
20
--40
--20
0
20
40
60
80
100
120
140
160
ゲート・ソース電圧, VGS -- V
IT05987
周囲温度, Ta -- °C
IT05988
No.8221-2/4
MCH3420
3 2
yfs -- ID
VDS=10V
1.0 7 5 3
IF -- VSD
VGS=0
順伝達アドミタンス, yfs -- S
1.0 7 5 3 2
--2 Ta=
5°C
順電流, IF -- A
75
2 5°C
°C
2
7 5 3 2 0.01 0.2
0.1 7 5 3 0.01
2
3
5
7
0.1
2
3
5
7
1.0
0.4
0.6
Ta = 7
--25° C
0.8
0.1
5°C 25°C
1.0
1.2 IT05990
ドレイン電流, ID -- A
7
IT09130 3 2 100
SW Time -- ID
Ciss, Coss, Crss -- VDS
f=1MHz Ciss
ダイオード順電圧, VSD -- V
スイッチングタイム, SW Time -- ns
5
VDD=50V VGS=10V
3
Ciss, Coss, Crss -- pF
7 5 3 2 10 7 5 3 2 1.0
2
td(off)
tf
10 7 5
tr
Coss Crss
td(on)
3 0.1
2
3
5
7
ドレイン電流, ID -- A
10
1.0 IT09131 5 3 2 1.0 7 5 3 2 0.1 7 5 3 2 0.01 7 5 3 2
0
5
10
15
20
25
30 IT05992
VGS -- Qg
ドレイン・ソース電圧, VDS -- V
ASO
ゲート・ソース電圧, VGS -- V
VDS=50V ID=0.5A
IDP=2A ID=0.5A
8
6
4
ドレイン電流, ID -- A
Operation in this area is limited by RDS(on).
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