注 文コード No. N 7 7 1 6
MCH6306
MCH6306
特長 ・低オン抵抗。 ・超高速スイッチング。 ・4V 駆動。
P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ
汎用スイッチングデバイス
絶対最大定格 Absolute Maximum Ratings / Ta=25℃ 項目 ドレイン・ソース電圧 ゲート・ソース電圧 ドレイン電流(DC) ドレイン電流(パルス) 許容損失 チャネル温度 保存周囲温度 記号 VDSS VGSS ID IDP PD Tch Tstg 条件 定格値 − 30 ± 20 −4 PW ≦ 10µs, duty cycle ≦ 1% セラミック基板(900mm2 × 0.8mm)装着時 − 16 1.5 150 − 55 ∼+ 150 unit V V A A W ℃ ℃
電気的特性 Electrical Characteristics / Ta=25℃ 項目 ドレイン・ソース降伏電圧 ドレイン・ソースしゃ断電流 ゲート・ソースもれ電流 ゲート・ソースしゃ断電圧 順伝達アドミタンス ドレイン・ソース間オン抵抗 入力容量 出力容量 帰還容量 ターンオン遅延時間 立ち上がり時間 ターンオフ遅延時間 下降時間 単体品名表示:JF 記号 V(BR)DSS IDSS IGSS VGS(off) yfs RDS(on)1 RDS(on)2 RDS(on)3 Ciss Coss Crss td(on) tr td(off) tf 条件 ID= − 1mA, VGS=0 VDS= − 30V, VGS=0 VGS= ± 16V, VDS=0 VDS= − 10V, ID= − 1mA VDS= − 10V, ID= − 2A ID= − 2A, VGS= − 10V ID= − 1A, VGS= − 4.5V ID= − 1A, VGS= − 4V VDS= − 10V, f=1MHz VDS= − 10V, f=1MHz VDS= − 10V, f=1MHz 指定回路において 指定回路において 指定回路において 指定回路において min − 30 −1 − 1.2 2.5 3.6 53 92 105 510 115 78 11 20 40 32 ± 10 − 2.6 69 129 147 定格値 typ max unit V µA µA V S mΩ mΩ mΩ pF pF pF ns ns ns ns
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本書記載の製品は、極めて高度の信頼性を要する用途 (生命維持装置、 航空機のコントロールシステム等、 多大な人的・物的損害を及ぼす恐れのある用途) に対応する仕様にはなっておりません。そのような場合に は、あらかじめ三洋電機販売窓口までご相談下さい。 本書記載の規格値(最大定格、動作条件範囲等) を瞬時たりとも越えて使用し、その結果発生した機器の欠陥 について、弊社は責任を負いません。
〒370-0596 群馬県邑楽郡大泉町坂田一丁目1番1号 62504 TS IM ◎川浦 TA-101075 No.7716-1/4
MCH6306
前ページより続く。 項目 総ゲート電荷量 ゲート・ソース電荷量 ゲート・ドレイン電荷量 ダイオード順電圧 外形図 unit : mm 2193A
VIN VDD= --15V
記号 Qg Qgs Qgd VSD
条件 VDS= − 10V, VGS= − 10V, ID= − 4A VDS= − 10V, VGS= − 10V, ID= − 4A VDS= − 10V, VGS= − 10V, ID= − 4A IS= − 4A, VGS=0
定格値 min typ 11 2.4 1.7 − 0.86 スイッチングタイム測定回路図 − 1.2 max
unit nC nC nC V
0.25
0.3
0.15
0V --10V VIN ID= --2A RL=7.5Ω VOUT
4
2.1 1.6
5
6
PW=10µs D.C.≦1%
D
0.25
32 0.65
2.0
0.07
1
6
5
4
(Bottom view)
0.85
1 : Drain 2 : Drain 3 : Gate 4 : Source 5 : Drain 6 : Drain SANYO : MCPH6
G
P.G
50Ω
S
MCH6306
1
2
3
(Top view)
--10.0 V --8.0 V --6.0 V
--4.0 --3.5
ID -- VDS
--4.0 V
--6
ID -- VGS
VDS= --10V
.5V -3
--5
ドレイン電流, ID -- A
ドレイン電流, ID -- A
--3.0 --2.5 --2.0 --1.5 --1.0 --0.5 0 0 --0.1 --0.2 --0.3
--4.5
V
--4
--3
--2
VGS= --2.5V
--0.4 --0.5 --0.6 --0.7 --0.8 --0.9 --1.0 IT04492
--1
0 0 --0.5 --1.0 --1.5 --2.0 --2.5 --3.0 --3.5 --4.0 --4.5 --5.0
ドレイン・ソース電圧, VDS -- V
ドレイン・ソース間オン抵抗, RDS(on) -- mΩ
ドレイン・ソース間オン抵抗, RDS(on) -- mΩ
300
RDS(on) -- VGS
ゲート・ソース電圧, VGS -- V
200
25°C
Ta=7
--3.0V
5°C --25°C
IT04493
RDS(on) -- Ta
Ta=25°C
250
150
200
ID= --1A
150
--2A
100
--1 I D=
--4 S= A, VG
.0V
--1 I D=
50
--4 S= A, VG
.5V
V
100
A, I D= --2
--10.0 V GS=
50
0 0 --2 --4 --6 --8 --10 --12 --14 --16
0 --60
--40
--20
0
20
40
60
80
100
120
140
160
ゲート・ソース電圧, VGS -- V
IT04494
周囲温度, Ta -- °C
IT04495
No.7716-2/4
MCH6306
2 10 7 5
yfs -- ID
VDS= --10V
2 --10 7 5 3 2
IF -- VSD
VGS=0
順伝達アドミタンス, yfs -- S
2 1.0 7 5 3 2 0.1 7 7--0.01 2 3 5 7 --0.1
= Ta
--25
°C
C °C 5° 75 2
順電流, IF -- A
3
--1.0 7 5 3 2 --0.1 7 5 3 2
75°C 25°C
--0.01 7 5 3 2 --0.001 2 3 5 7 --1.0 2 3
ドレイン電流, ID -- A
3
5 7 --10 IT04496 1000 7
0
--0.2
--0.4
Ta=
--0.6
--25°C
--0.8
--1.0
--1.2 IT04497
SW Time -- ID
Ciss, Coss, Crss -- VDS
f=1MHz Ciss
ダイオード順電圧, VSD -- V
スイッチングタイム, SW Time -- ns
2
VDD= --15V VGS= --10V
100 7 5
Ciss, Coss, Crss -- pF
5
td (off)
tf
3 2
3 2
Coss
100
tr
10 7 --0.1 2 3 5 7 --1.0
td(on)
Crss
7 5
2
3
5
7
--10
0
--2
--4
--6
--8
--10
--12
--14
--16
--18
--20
ドレイン電流, ID -- A
--10 --9
IT06907 3 2 --10 7 5 3 2 --1.0 7 5 3 2 --0.1 7 5 3 2
VGS -- Qg
ドレイン・ソース電圧, VDS -- V
IT04498
ASO
ゲート・ソース電圧, VGS -- V
VDS= --10V ID= --4A
IDP= --16A
ID= --4A
--8 --7 --6 --5 --4 --3 --2 --1 0 0 2 4 6 8 10 12 IT04499
ドレイン電流, ID -- A
<10µs 10 0 1m µ s s 10 m s 10 0m D C s op er at io n
Operation in this area is limited by RDS(on). Ta=25°C 1パルス セラミック基板(900mm2×0.8mm)装着時
5 7 --0.1 23 5 7 --1.0 23 5 7 --10 23 5
--0.01 --0.01 2 3
総ゲート電荷量, Qg -- nC
2.0
PD -- Ta
ドレイン・ソース電圧, VDS -- V
IT06908
1.5
1.0
0.5
セ ラ ミ ッ ク 基 板 (9 00 m m2 × 0.8 m m )装 着 時
許容損失, PD -- W
0 0 20 40 60 80 100 120 140 160
周囲温度, Ta -- °C
IT06909
No.7716-3/4
MCH6306
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PS No.7716-4/4