MCH6536

注文コード No. N 7 6 4 5 MCH6536 MCH6536 PNP / NPN エピタキシァルプレーナ形シリコントランジスタ プッシュプル回路用 用途 ・MOSFET ゲートドライブ , 低周波電力増幅 , 高速スイッチ , モータドライブ。 特長 ・PNP トランジスタ、NPN トランジスタを 1 パッケージに 2 素子内蔵した複合タイプであり、高密度実装 が可能である。 ・超小型パッケージのため、セットの小型化 , 薄型化が可能である。 ・Ron が小さい。 ( ) 内は PNP の場合を示す。 絶対最大定格 Absolute Maximum Ratings / Ta=25℃ 項目 コレクタ・ベース電圧 コレクタ・エミッタ電圧 エミッタ・ベース電圧 コレクタ電流 コレクタ電流（パルス） コレクタ損失 全損失 接合部温度 保存周囲温度 記号 VCBO VCEO VEBO IC ICP PC PT Tj Tstg セラミック基板(600mm2 × 0.8mm)装着時 セラミック基板(600mm2 × 0.8mm)装着時 条件 定格値 (− 15)20 (− 12)15 (−)5 (− 500)700 (− 1.0)1.4 0.5 0.55 150 − 55 ∼＋ 150 unit V V V mA A W W ℃ ℃ 電気的特性 Electrical Characteristics / Ta=25℃ 項目 コレクタしゃ断電流 エミッタしゃ断電流 直流電流増幅率 利得帯域幅積 出力容量 コレクタ・エミッタ飽和電圧 ベース・エミッタ飽和電圧 単体品名表示：EJ 記号 ICBO IEBO hFE fT Cob VCE(sat) VBE(sat) 条件 VCB=(− 12)15V, IE=0 VEB=(−)4V, IC=0 VCE=(−)2V, IC=(−)10mA VCE=(−)2V, IC=(−)50mA VCB=(−)10V, f=1MHz IC=(−)200mA, IB=(−)10mA IC=(−)200mA, IB=(−)10mA 定格値 min typ max (−)100 (−)100 (700)800 (330)490 (3.2)4 (−)150 (−)0.9 (−)300 (−)1.2 unit nA nA MHz pF mV V 300 次ページへ続く。 本書記載の製品は、極めて高度の信頼性を要する用途 （生命維持装置、 航空機のコントロールシステム等、 多大な人的・物的損害を及ぼす恐れのある用途） に対応する仕様にはなっておりません。そのような場合に は、あらかじめ三洋電機販売窓口までご相談下さい。 本書記載の規格値(最大定格、動作条件範囲等) を瞬時たりとも越えて使用し、その結果発生した機器の欠陥 について、弊社は責任を負いません。 〒370-0596 群馬県邑楽郡大泉町坂田一丁目1番1号 42004EA TS IM ◎川浦 TA-100667 No.7645-1/5 MCH6536 前ページより続く。 項目 コレクタ・ベース降伏電圧 コレクタ・エミッタ降伏電圧 エミッタ・ベース降伏電圧 ターンオン時間 蓄積時間 下降時間 外形図 unit : mm 2225 0.25 0.3 0.15 記号 V(BR)CBO V(BR)CEO V(BR)EBO ton tstg tf 条件 IC=(−)10µA, IE=0 IC=(−)1mA, RBE=∞ IE=(−)10µA, IC=0 指定回路において 指定回路において 指定回路において 定格値 min (− 15)20 (− 12)15 (−)5 30 (57)77 (30)40 電気的接続図 6 5 4 typ max unit V V V ns ns ns 4 2.1 1.6 5 6 1 : Emitter1 (PNP TR) 2 : Base1 (PNP TR) 3 : Collector2 (NPN TR) 4 : Emitter2 (NPN TR) 5 : Base2 (NPN TR) 6 : Collector1 (PNP TR) (Top view) 0.25 32 0.65 2.0 0.07 1 1 2 3 6 5 4 (Bottom view) 0.85 1 : Emitter1 (PNP TR) 2 : Base1 (PNP TR) 3 : Collector2 (NPN TR) 4 : Emitter2 (NPN TR) 5 : Base2 (NPN TR) 6 : Collector1 (PNP TR) SANYO : MCPH6 1 2 3 (Top view) スイッチングタイム測定回路図 [PNP] PW=20µs D.C.≦1% INPUT IB1 OUTPUT IB2 VR 50Ω RB [NPN] PW=20µs D.C.≦1% INPUT RL + 470µF VCC= --5V IB1 OUTPUT IB2 VR 50Ω + 220µF VBE= --5V + 470µF VCC=5V RB RL + 220µF VBE=5V IC=20IB1= --20IB2= --400mA IC=20IB1= --20IB2=500mA A --200 --180 --160 IC -- VCE --1.0m --0.9m A [PNP] 0.9 A --0.8m mA --0.7mA 200 180 160 IC -- VCE 0. 8mA [NPN] --0.6mA --0.5mA 0.7mA 0.6mA コレクタ電流, IC -- mA コレクタ電流, IC -- mA 1.0mA --140 --120 --100 --80 --60 --0.4mA --0.3mA 140 120 100 80 0.5mA 0.4mA 0.3mA 0.2mA --0.2mA 60 40 20 --0.1mA --40 --20 0 0 0.1mA IB=0 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0 IB=0 --0.5 --1.0 --1.5 --2.0 IT05201 0 コレクタ・エミッタ電圧, VCE -- V コレクタ・エミッタ電圧, VCE -- V IT05490 No.7645-2/5 MCH6536 --600 IC -- VBE [PNP] VCE= --2V 800 700 IC -- VBE [NPN] VCE=2V --500 コレクタ電流, IC -- mA コレクタ電流, IC -- mA 600 500 400 300 200 100 --400 --300 --100 Ta= 75° C 25° C --25° C --200 0 0 --0.2 --0.4 --0.6 --0.8 --1.0 --1.2 IT05202 0 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 IT05491 ベース・エミッタ電圧, VBE -- V 1000 7 hFE -- IC ベース・エミッタ電圧, VBE -- V 1000 7 5 [PNP] VCE= --2V hFE -- IC Ta= 75° C 25°C --25° C [NPN] VCE=2V Ta=75°C 25°C 25°C 直流電流増幅率, hFE --25°C 3 直流電流増幅率, hFE 5 Ta=75°C 3 2 --25°C 2 100 7 5 3 1.0 100 7 --1.0 2 3 5 7 --10 2 3 5 7 --100 2 3 コレクタ電流, IC -- mA コレクタ・エミッタ飽和電圧, VCE(sat) -- mV --1000 7 5 3 2 5 7--1000 IT05203 2 3 5 7 10 2 3 5 7 100 2 3 コレクタ・エミッタ飽和電圧, VCE(sat) -- mV VCE(sat) -- IC コレクタ電流, IC -- mA 1000 7 5 3 2 5 7 1000 IT05492 [PNP] IC / IB=20 VCE(sat) -- IC [NPN] IC / IB=20 --100 7 5 3 2 100 7 5 3 2 2 5°C °C 75 a= T °C --25 Ta =7 C 5° C 5° -2 °C 25 --10 --1.0 2 3 5 7 --10 2 3 5 7 --100 2 3 コレクタ電流, IC -- mA コレクタ・エミッタ飽和電圧, VCE(sat) -- mV --1000 7 5 3 2 5 7--1000 IT05204 10 1.0 2 3 5 7 10 2 3 5 7 100 2 3 コレクタ・エミッタ飽和電圧, VCE(sat) -- mV VCE(sat) -- IC コレクタ電流, IC -- mA 1000 7 5 3 2 5 7 1000 IT05493 [PNP] IC / IB=50 VCE(sat) -- IC [NPN] IC / IB=50 --100 7 5 3 2 Ta =7 25 °C 5 °C 100 7 5 3 2 = Ta --25 °C °C 75 °C --25 °C 25 --10 --1.0 2 3 5 7 --10 2 3 5 7 --100 2 3 コレクタ電流, IC -- mA 5 7--1000 IT05205 10 1.0 2 3 5 7 10 2 3 5 7 100 2 3 コレクタ電流, IC -- mA 5 7 1000 IT05494 No.7645-3/5 MCH6536 IC / IB=20 ベース・エミッタ飽和電圧, VBE(sat) -- mV ベース・エミッタ飽和電圧, VBE(sat) -- V --10 7 5 3 2 VBE(sat) -- IC [PNP] 10000 7 5 3 2 VBE(sat) -- IC [NPN] IC / IB=20 25°C --1.0 7 5 3 2 Ta= --25°C 75°C 1000 7 5 3 2 Ta= --25°C 25°C 75°C --0.1 --1.0 2 3 5 7 --10 2 3 5 7 --100 2 3 コレクタ電流, IC -- mA 5 3 2 5 7--1000 IT05206 100 1.0 2 3 5 7 10 2 3 5 7 100 2 3 Cob -- VCB コレクタ電流, IC -- mA 10 5 7 1000 IT05495 [PNP] f=1MHz Cob -- VCB [NPN] f=1MHz 7 出力容量, Cob -- pF 出力容量, Cob -- pF 5 10 7 5 3 2 3 2 1.0 --0.1 2 3 5 7 --1.0 2 3 5 7 --10 2 3 1.0 0.1 2 3 5 7 1.0 2 3 5 7 10 2 3 コレクタ・ベース電圧, VCB -- V 1000 IT05207 fT -- IC コレクタ・ベース電圧, VCB -- V 7 5 IT05497 [PNP] VCE= --2V f T -- IC [NPN] VCE=2V 7 5 利得帯域幅積, f T -- MHz 利得帯域幅積, fT -- MHz 3 2 3 2 100 7 100 --1.0 2 3 5 7 --10 2 3 5 7 --100 2 3 コレクタ電流, IC -- mA 10 7 5 3 2 5 7--1000 IT05208 5 1.0 2 3 5 7 10 2 3 5 7 100 2 3 Ron -- IB IN コレクタ電流, IC -- mA 100 7 5 3 2 5 7 1000 IT05496 [PNP] OUT Ron -- IB IN [NPN] OUT f=1MHz 1kΩ 1kΩ f=1MHz 1kΩ 1kΩ IB オン抵抗, Ron -- Ω オン抵抗, Ron -- Ω IB 10 7 5 3 2 1.0 7 5 3 2 1.0 7 5 3 2 0.1 --0.1 2 3 5 7 --1.0 2 3 5 ベース電流, IB -- mA --10 IT06068 7 0.1 0.1 2 3 5 7 1.0 2 3 5 ベース電流, IB -- mA 7 10 IT06067 No.7645-4/5 MCH6536 0.7 PC -- Ta 0.6 コレクタ損失, PC -- W 0.55 0.5 0.4 全 損 0.3 1u nit 失 0.2 0.1 0 セラミック基板 （600mm2×0.8mm） 装着時 0 20 40 60 80 100 120 140 160 周囲温度, Ta -- °C IT06387 本書記載の製品は、定められた条件下において、記載部品単体の性能・特性・機能などを規定するものであ り、お客様の製品（機器）での性能・特性・機能などを保証するものではありません。部品単体の評価では 予測できない症状・事態を確認するためにも、お客様の製品で必要とされる評価・試験を必ず行って下さい。 弊社は、高品質・高信頼性の製品を供給することに努めております。しかし、半導体製品はある確率で故障 が生じてしまいます。この故障が原因となり、人命にかかわる事故、発煙・発火事故、他の物品に損害を与 えてしまう事故などを引き起こす可能性があります。機器設計時には、このような事故を起こさないような、 保護回路・誤動作防止回路等の安全設計、冗長設計・機構設計等の安全対策を行って下さい。 本書記載の製品が、外国為替及び外国貿易法に定める規制貨物（役務を含む）に該当する場合、輸出する 際に同法に基づく輸出許可が必要です。 弊社の承諾なしに、本書の一部または全部を、転載または複製することを禁止します。 本書に記載された内容は、製品改善および技術改良等により将来予告なしに変更することがあります。した がって、ご使用の際には、「納入仕様書」でご確認下さい。 この資料の情報（掲載回路および回路定数を含む）は一例を示すもので、量産セットとしての設計を保証す るものではありません。また、この資料は正確かつ信頼すべきものであると確信しておりますが、その使用 にあたって第３者の工業所有権その他の権利の実施に対する保証を行うものではありません。 PS No.7645-5/5