MCH6631

注文コード No. N 7 4 4 4 MCH6631 No. N 7 4 4 4 22004 新 MCH6631 特長 ・2.5V 駆動(N-ch), 1.8V 駆動(P-ch)。 N チャネルおよび P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ 超高速スイッチング用 ・低オン抵抗 , 超高速スイッチングの N チャネルおよび P チャネル MOS 形電界効果トランジスタを  1 パッケージに 2 素子内蔵した複合タイプであり、高密度実装が可能である。 ・オン抵抗特性が優れている。 絶対最大定格 Absolute Maximum Ratings / Ta=25℃ ドレイン・ソース電圧 VDSS ゲート・ソース電圧 ドレイン電流（DC） ドレイン電流（パルス） 許容損失 チャネル温度 保存周囲温度 VGSS ID IDP PD Tch Tstg N-channel 30 ± 10 0.35 P-channel − 12 ± 10 − 1.5 −6 0.8 unit V V A A W ℃ ℃ PW ≦ 10µs, duty cycle ≦ 1% セラミック基板(900mm2 × 0.8mm)装着時 1unit 1.4 150 − 55 ∼＋ 150 min ID=1mA, VGS=0 VDS=30V, VGS=0 VGS= ± 8V, VDS=0 VDS=10V, ID=100µA VDS=10V, ID=80mA 0.4 150 220 30 typ 電気的特性 Electrical Characteristics / Ta=25℃ [N-channel] ドレイン・ソース降伏電圧 ドレイン・ソースしゃ断電流 ゲート・ソースもれ電流 ゲート・ソースしゃ断電圧 順伝達アドミタンス 単体品名表示：WF 電気的接続図 6 5 4 max unit V V(BR)DSS IDSS IGSS VGS(off) yfs 10 ± 10 1.3 µA µA V mS 次ページへ続く。 1 : Source1 2 : Gate1 3 : Drain2 4 : Source2 5 : Gate2 6 : Drain1 (Top view) 外形図 2173A (unit : mm) 0.25 1 2 3 0.3 0.15 4 2.1 5 6 本書記載の製品は、極めて高度の信頼性を 要する用途 （生命維持装置、 航空機のコント ロールシステム等、多大な人的・物的損害 を及ぼす恐れのある用途） に対応する仕様に はなっておりません。そのような場合には、 あらかじめ三洋電機販売窓口までご相談下 さい。 本書記載の規格値(最大定格、動作条件範囲 等) を瞬時たりとも越えて使用し、その結果 発生した機器の欠陥について、弊社は責任 を負いません。 1.6 0.25 32 0.65 2.0 0.07 1 6 5 4 (Bottom view) 0.85 1 : Source1 2 : Gate1 3 : Drain2 4 : Source2 5 : Gate2 6 : Drain1 SANYO : MCPH6 1 2 3 (Top view) 〒370-0596 群馬県邑楽郡大泉町坂田一丁目1番1号 22004 TS IM ◎佐藤 TA-3770 No.7444-1/6 MCH6631 前ページより続く。 min ドレイン・ソース間オン抵抗 RDS(on)1 RDS(on)2 RDS(on)3 Ciss Coss Crss td(on) tr td(off) tf Qg Qgs Qgd VSD ID=80mA, VGS=4V ID=40mA, VGS=2.5V ID=10mA, VGS=1.5V VDS=10V, f=1MHz VDS=10V, f=1MHz VDS=10V, f=1MHz 指定回路において     〃     〃     〃 VDS=10V, VGS=10V, ID=150mA IS=150mA, VGS=0 typ 2.9 3.7 6.4 7.0 5.9 2.3 19 65 155 120 1.58 0.26 0.31 0.87 1.2 max 3.7 5.2 12.8 unit Ω Ω Ω pF pF pF ns ns ns ns nC nC nC V 入力容量 出力容量 帰還容量 ターンオン遅延時間 立ち上がり時間 ターンオフ遅延時間 下降時間 総ゲート電荷量 ゲート・ソース電荷量 ゲート・ドレイン電荷量 ダイオード順電圧 [P-channel] ドレイン・ソース降伏電圧 ドレイン・ソースしゃ断電流 ゲート・ソースもれ電流 ゲート・ソースしゃ断電圧 順伝達アドミタンス ドレイン・ソース間オン抵抗 V(BR)DSS IDSS IGSS VGS(off) yfs RDS(on)1 RDS(on)2 RDS(on)3 ID= − 1mA, VGS=0 VDS= − 12V, VGS=0 VGS= ± 8V, VDS=0 VDS= − 6V, ID= − 1mA VDS= − 6V, ID= − 0.8A ID= − 0.8A, VGS= − 4.5V ID= − 0.4A, VGS= − 2.5V ID= − 0.1A, VGS= − 1.8V ID= − 50mA, VGS= − 1.5V VDS= − 6V, f=1MHz VDS= − 6V, f=1MHz VDS= − 6V, f=1MHz 指定回路において     〃     〃     〃 − 12 − 10 − 0.3 1.3 1.8 220 320 430 0.75 160 45 35 11 45 29 30 2.6 0.25 0.65 − 0.92 − 1.5 ± 10 − 1.0 290 450 650 1.25 V µA µA V S mΩ mΩ mΩ Ω pF pF pF ns ns ns ns nC nC nC V 入力容量 出力容量 帰還容量 ターンオン遅延時間 立ち上がり時間 ターンオフ遅延時間 下降時間 総ゲート電荷量 ゲート・ソース電荷量 ゲート・ドレイン電荷量 ダイオード順電圧 スイッチングタイム測定回路図 [N-channel] VDD=15V VIN VIN RDS(on)4 Ciss Coss Crss td(on) tr td(off) tf Qg Qgs Qgd VSD VDS= − 6V, VGS= − 4.5V, ID= − 1.5A IS= − 1.5A, VGS=0 [P-channel] VDD= --6V VIN VIN ID= --0.8A RL=7.5Ω 4V 0V ID=80mA RL=187.5Ω D VOUT 0V --4.5V D VOUT PW=10µs D.C.≦1% PW=10µs D.C.≦1% G G P.G 50Ω MCH6631 P.G S 50Ω MCH6631 S No.7444-2/6 MCH6631 0.16 0.14 ID -- VDS 2. 5V [Nch] V 0.30 ID -- VGS Ta= --25 °C VDS=10V [Nch] V 3.5V 4.0V 6.0 V ドレイン電流, ID -- A ドレイン電流, ID -- A 0.10 0.08 0.15 VGS=1.5V 0.06 0.04 0.02 0 0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 0.10 0.05 0 0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 IT00030 ドレイン・ソース電圧, VDS -- V ドレイン・ソース間オン抵抗, RDS(on) -- Ω 10 9 8 7 6 IT00029 ドレイン・ソース間オン抵抗, RDS(on) -- Ω RDS(on) -- VGS ゲート・ソース電圧, VGS -- V 10 [Nch] Ta=25°C RDS(on) -- ID Ta =7 5° C --25 °C 25 °C 75 °C 0.20 25 VGS=4V 7 5 Ta=75°C 3 80mA 5 4 3 2 1 0 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 ID=40mA 25°C --25°C 2 1.0 0.01 2 3 5 7 0.1 2 °C 0.12 3.0 2.0 0.25 [Nch] 3 5 IT00032 ゲート・ソース電圧, VGS -- V ドレイン・ソース間オン抵抗, RDS(on) -- Ω 10 IT00031 ドレイン・ソース間オン抵抗, RDS(on) -- Ω RDS(on) -- ID ドレイン電流, ID -- A 100 7 5 3 2 [Nch] VGS=2.5V RDS(on) -- ID [Nch] VGS=1.5V 7 5 Ta=75°C 25°C 3 --25°C 10 7 5 3 2 1.0 0.001 Ta=75°C --25°C 25°C 2 1.0 0.01 2 3 5 7 0.1 2 3 5 IT00033 2 3 5 7 0.01 2 3 5 IT00034 ドレイン電流, ID -- A ドレイン・ソース間オン抵抗, RDS(on) -- Ω 7 RDS(on) -- Ta ドレイン電流, ID -- A 1.0 7 [Nch] yfs -- ID [Nch] VDS=10V 順伝達アドミタンス, yfs -- S 6 5 25°C 3 2 5 4 3 V 40 =4.0 I D= , VGS mA 80 I D= ,V mA = GS V 2.5 Ta °C = --25 75°C 0.1 7 5 3 2 2 1 0 --60 --40 --20 0 20 40 60 80 100 120 140 160 0.01 0.01 2 3 5 7 0.1 2 3 5 IT00036 周囲温度, Ta -- °C IT00035 ドレイン電流, ID -- A No.7444-3/6 MCH6631 1.0 7 5 3 IF -- VSD [Nch] スイッチングタイム, SW Time -- ns VGS=0 1000 7 5 3 2 SW Time -- ID [Nch] VDD=15V VGS=4V 順電流, IF -- A 2 =7 5° 25 C °C --25 °C td (off) tf tr 0.1 7 5 3 2 Ta 100 7 5 3 2 td(on) 0.01 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 1.1 1.2 IT00037 10 0.01 2 3 5 7 0.1 2 IT00038 100 7 5 Ciss, Coss, Crss -- VDS ダイオード順電圧, VSD -- V ドレイン電流, ID -- A 10 9 [Nch] f=1MHz ゲート・ソース電圧, VGS -- V VGS -- Qg [Nch] VDS=10V ID=150mA 8 7 6 5 4 3 2 1 0 Ciss, Coss, Crss -- pF 3 2 10 7 5 3 2 Ciss Coss Crss 1.0 0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 ドレイン・ソース電圧, VDS -- V 3 2 1.0 IT00039 総ゲート電荷量, Qg -- nC IT00040 ASO [Nch] 100µs 1m s IDP=1.4A ドレイン電流, ID -- A 7 5 3 2 0.1 7 5 3 2 ID=0.35A 10m s DC Operation in this area is limited by RDS(on). 100 op era ms n tio 0.01 1.0 Ta=25°C 1パルス セラミック基板(900mm2×0.8mm)装着時 1unit 2 3 5 7 10 2 3 5 IT03292 ドレイン・ソース電圧, VDS -- V --1.5 ID -- VDS -4 . 5V [Pch] . -3 5V 3.0V .5V --2 ドレイン電流, ID -- A --25° C 25° 75°C C --2.0 ID -- VGS Ta= [Pch] VDS= --6V --1.2 ドレイン電流, ID -- A --1.5 --0.9 --1.8 V --1.5V --0.6 --1.0 --0.5 VGS= --1.0V 0 0 0 --0.1 --0.2 --0.3 --0.4 --0.5 IT04353 0 --0.5 --1.0 Ta --0.3 =75 °C 25° --25 °C C --1.5 --2.0 --2.5 --3.0 IT04354 ドレイン・ソース電圧, VDS -- V ゲート・ソース電圧, VGS -- V No.7444-4/6 MCH6631 ドレイン・ソース間オン抵抗, RDS(on) -- mΩ 800 700 600 ドレイン・ソース間オン抵抗, RDS(on) -- mΩ RDS(on) -- VGS [Pch] Ta=25°C 800 700 600 500 400 300 200 100 0 --60 RDS(on) -- Ta [Pch] --0.8A 500 400 300 200 100 0 0 --1 --2 --3 --4 --5 --6 --7 --8 ID= --0.4A V = --1.8 , V GS --0.1A I D= V = --2.5 A, V GS = --0.4 ID = --4.5V A, V GS I D= --0.8 --40 --20 0 20 40 60 80 100 120 140 160 ゲート・ソース電圧, VGS -- V 5 3 2 IT04355 周囲温度, Ta -- °C 5 3 2 IT04356 yfs -- ID [Pch] VDS= --6V IF -- VSD [Pch] VGS=0 順伝達アドミタンス, yfs -- S 1.0 7 5 3 2 = Ta C 5° --2 °C 75 順電流, IF -- A °C 25 --1.0 7 5 5°C 25°C 3 2 0.1 --0.01 2 3 5 7 --0.1 2 3 5 7 --1.0 2 3 --0.1 --0.4 --0.6 Ta=7 --0.8 --25°C --1.0 --1.2 --1.4 IT04358 ドレイン電流, ID -- A 3 IT04357 SW Time -- ID [Pch] スイッチングタイム, SW Time -- ns 2 VDD= --6V VGS= --4.5V Ciss, Coss, Crss -- pF 5 3 2 Ciss, Coss, Crss -- VDS ダイオード順電圧, VSD -- V [Pch] f=1MHz 100 7 5 3 2 tr td(off) Ciss tf 100 7 5 3 2 td(on) 10 7 5 3 2 --0.1 Coss Crss 10 2 3 5 7 --1.0 2 3 0 --2 --4 --6 --8 --10 --12 IT04360 ドレイン電流, ID -- A --4.5 --4.0 IT04359 VGS -- Qg ドレイン・ソース電圧, VDS -- V --10 7 5 3 2 --1.0 7 5 3 2 --0.1 7 5 3 2 [Pch] ASO ゲート・ソース電圧, VGS -- V VDS= --6V ID= --1.5A ドレイン電流, ID -- A IDP= --6.0A 10 [Pch] ＜10µs 1m s ms --3.5 --3.0 --2.5 --2.0 --1.5 --1.0 --0.5 0 0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 IT04361 ID= --1.5A DC op Operation in this area is limited by RDS(on). 10 0m s era tio n --0.01 --0.1 Ta=25°C 1パルス セラミック基板(900mm2×0.8mm)装着時 1unit 2 3 5 7 --1.0 2 3 5 総ゲート電荷量, Qg -- nC ドレイン・ソース電圧, VDS -- V 7 --10 2 IT04362 No.7444-5/6 MCH6631 1.0 PD -- Ta [Nch, Pch共通] 0.8 セ ラ 許容損失, PD -- W ミ ッ ク 0.6 基 板 (9 00 m 0.4 m2 × 0.8 m m )装 0.2 着 時 1u ni t 160 0 0 20 40 60 80 100 120 140 周囲温度, Ta -- °C IT03293 本書記載の製品は、定められた条件下において、記載部品単体の性能・特性・機能などを規定するものであ り、お客様の製品（機器）での性能・特性・機能などを保証するものではありません。部品単体の評価では 予測できない症状・事態を確認するためにも、お客様の製品で必要とされる評価・試験を必ず行って下さい。 弊社は、高品質・高信頼性の製品を供給することに努めております。しかし、半導体製品はある確率で故障 が生じてしまいます。この故障が原因となり、人命にかかわる事故、発煙・発火事故、他の物品に損害を与 えてしまう事故などを引き起こす可能性があります。機器設計時には、このような事故を起こさないような、 保護回路・誤動作防止回路等の安全設計、冗長設計・機構設計等の安全対策を行って下さい。 本書記載の製品が、外国為替及び外国貿易法に定める規制貨物（役務を含む）に該当する場合、輸出する 際に同法に基づく輸出許可が必要です。 弊社の承諾なしに、本書の一部または全部を、転載または複製することを禁止します。 本書に記載された内容は、製品改善および技術改良等により将来予告なしに変更することがあります。した がって、ご使用の際には、「納入仕様書」でご確認下さい。 この資料の情報（掲載回路および回路定数を含む）は一例を示すもので、量産セットとしての設計を保証す るものではありません。また、この資料は正確かつ信頼すべきものであると確信しておりますが、その使用 にあたって第３者の工業所有権その他の権利の実施に対する保証を行うものではありません。 PS No.7444-6/6