SCH2817

注 文コード No. N 8 1 5 5 SCH2817 SCH2817 MOSFET : N チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード 汎用スイッチングデバイス 特長 ・N チャネル MOS 形電界効果トランジスタ （SCH1417） とショットキバリアダイオード （SS05015SH） 1 パッケージに を 内蔵した複合タイプであり、高密度実装が可能である。 ・ ［MOS］ ・低オン抵抗。 ・超高速スイッチング。 ・1.8V 駆動。 ・ ［SBD］ ・逆回復時間が短い。 ・低順電圧。 絶対最大定格 Absolute Maximum Ratings / Ta=25℃ 項目 [MOSFET 部] ドレイン・ソース電圧 ゲート・ソース電圧 ドレイン電流 （DC） ドレイン電流 （パルス） 許容損失 チャネル温度 保存周囲温度 ［SBD 部］ 記号 VDSS VGSS ID IDP PD Tch Tstg PW ≦ 10µs, duty cycle ≦ 1% セラミック基板(900mm2 × 0.8mm)装着時 1unit 条件 定格値 15 ± 10 1.6 6.4 0.6 150 − 55 ∼＋ 125 15 15 50Hz 正弦波 1 サイクル 0.5 3 − 55 ∼＋ 125 − 55 ∼＋ 125 unit V V A A W ℃ ℃ V V A A ℃ ℃ 繰り返しピーク逆電圧 VRRM 非繰り返しピーク逆サージ電圧 VRSM 平均出力電流 IO サージ順電流 IFSM 接合部温度 保存周囲温度 単体品名表示：QS Tj Tstg 本書記載の製品は、極めて高度の信頼性を要する用途 （生命維持装置、 航空機のコントロールシステム等、 多大な人的・物的損害を及ぼす恐れのある用途） に対応する仕様にはなっておりません。そのような場合に は、あらかじめ三洋電機販売窓口までご相談下さい。 本書記載の規格値(最大定格、動作条件範囲等) を瞬時たりとも越えて使用し、その結果発生した機器の欠陥 について、弊社は責任を負いません。 〒370-0596 群馬県邑楽郡大泉町坂田一丁目1番1号 11205 TS IM ◎川浦 TB-00001069 No.8155-1/5 SCH2817 電気的特性 Electrical Characteristics / Ta=25℃ 項目 [MOSFET 部] ドレイン・ソース降伏電圧 ドレイン・ソースしゃ断電流 ゲート・ソースもれ電流 ゲート・ソースしゃ断電圧 順伝達アドミタンス ドレイン・ソース間オン抵抗 入力容量 出力容量 帰還容量 ターンオン遅延時間 立ち上がり時間 ターンオフ遅延時間 下降時間 総ゲート電荷量 ゲート・ソース電荷量 ゲート・ドレイン電荷量 ダイオード順電圧 [SBD 部] 逆電圧 順電圧 逆電流 端子間容量 逆回復時間 外形図 unit : mm 2230A 1.6 0.05 記号 条件 定格値 min 15 1 0.4 1.38 2.3 120 165 230 105 30 24 7.8 27 18 22 1.86 0.33 0.55 0.87 15 0.4 13 10 0.46 90 1.2 160 240 350 ± 10 1.3 typ max unit V(BR)DSS IDSS IGSS VGS(off) yfs RDS(on)1 RDS(on)2 RDS(on)3 Ciss Coss Crss td(on) tr td(off) tf Qg Qgs Qgd VSD VR VF IR C trr ID=1mA, VGS=0 VDS=15V, VGS=0 VGS= ± 8V, VDS=0 VDS=10V, ID=1mA VDS=10V, ID=800mA ID=800mA, VGS=4V ID=400mA, VGS=2.5V ID=100mA, VGS=1.8V VDS=10V, f=1MHz VDS=10V, f=1MHz VDS=10V, f=1MHz 指定回路において 指定回路において 指定回路において 指定回路において VDS=10V, VGS=4V, ID=1.6A VDS=10V, VGS=4V, ID=1.6A VDS=10V, VGS=4V, ID=1.6A IS=1.6A, VGS=0 IR=0.5mA IF=0.5A VR=6V VR=10V, f=1MHz IF=IR=100mA, 指定回路において 電気的接続図 6 5 4 V µA µA V S mΩ mΩ mΩ pF pF pF ns ns ns ns nC nC nC V V V µA pF ns 0.2 654 0.2 1.6 1.5 1 2 3 1 : Gate 2 : Source 3 : Anode 4 : Cathode 5 : Drain 6 : Drain Top view 0.05 1 23 0.5 0.56 1 : Gate 2 : Source 3 : Anode 4 : Cathode 5 : Drain 6 : Drain SANYO : SCH6 0.25 No.8155-2/5 SCH2817 スイッチングタイム測定回路図 (MOSFET 部） VIN 4V 0V VIN ID=1A RL=10Ω VDD=10V trr 指定回路図 (SBD 部） Duty≦10% 100mA D PW=10µs D.C.≦1% VOUT G --5V trr SCH2817 P.G 50Ω S 1.6 ID -- VDS 6.0V 4. 0V [MOSFET部] 2.0 1.8 1.6 ID -- VGS VDS=10V 100mA 10µs 50Ω 100Ω 10Ω [MOSFET部] --25 °C Ta 0.6 0.8 1.0 1.2 ドレイン電流, ID -- A ドレイン電流, ID -- A 2.5 1.2 1.4 1.2 1.0 0.8 0.6 0.4 V 0.8 8.0V 1.5V 2.0 0.4 0 0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0 0 0.2 0.4 1.4 1.6 1.8 2.0 ドレイン・ソース間オン抵抗, RDS(on) -- mΩ 400 350 300 250 ドレイン・ソース間オン抵抗, RDS(on) -- mΩ ドレイン・ソース電圧, VDS -- V IT08577 RDS(on) -- VGS [MOSFET部] Ta=25°C 400 350 300 250 200 150 100 50 0 --60 ゲート・ソース電圧, VGS -- V IT08578 RDS(on) -- Ta [MOSFET部] 0.4A 200 150 100 50 0 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 0. I D= =1.8 VGS 1A, ID=0.1A 0.8A V =2.5 , VGS 0.4A I D= =4.0V V GS 0.8A, I D= 25 VGS=1.0V 0.2 °C =75 °C --25 °C V 25° 75° C C 140 160 IT08580 V 3.0V --40 --20 0 20 40 60 80 100 Ta= 120 ゲート・ソース電圧, VGS -- V IT08579 周囲温度, Ta -- °C No.8155-3/5 10mA SCH2817 7 5 yfs -- ID VDS=10V [MOSFET部] 3 2 1.0 IF -- VSD [MOSFET部] VGS=0 順伝達アドミタンス, yfs -- S 3 2 順電流, IF -- A 25 °C 7 5 3 2 0.1 5 3 2 1.0 7 5 3 2 Ta = °C --25 7 5°C Ta= 75° C 7 25° C 0.1 0.01 2 3 5 7 0.1 2 3 5 7 1.0 2 3 0.01 0.4 --25 ° C 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 1.1 ドレイン電流, ID -- A 3 IT08581 SW Time -- ID [MOSFET部] VDD=10V VGS=4V Ciss, Coss, Crss -- pF 3 2 ダイオード順電圧, VSD -- V IT08582 Ciss, Coss, Crss -- VDS [MOSFET部] f=1MHz スイッチングタイム, SW Time -- ns 2 100 7 5 3 2 10 7 5 3 2 1.0 0.01 tf td(off) Ciss 100 7 5 td(on) tr 3 2 Coss Crss 10 2 3 5 7 0.1 2 3 5 7 1.0 2 3 0 2 4 6 8 10 12 14 16 ドレイン電流, ID -- A 4.0 3.5 3.0 2.5 2.0 1.5 1.0 0.5 0 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 IT08583 VGS -- Qg [MOSFET部] 10 7 5 3 2 1.0 7 5 3 2 0.1 7 5 3 2 1.8 2.0 ゲート・ソース電圧, VGS -- V VDS=10V ID=1.6A ドレイン電流, ID -- A ドレイン・ソース電圧, VDS -- V IT08584 [MOSFET部] ASO ＜10µs 10 IDP=6.4A 1m 0µs s ID=1.6A 10 m D s 10 C 0m op er s at io n( Ta =2 5° C) Operation in this area is limited by RDS(on). Ta=25°C 1パルス セラミック基板(900mm2×0.8mm)装着時1unit 2 3 5 7 0.1 2 3 5 7 1.0 23 5 7 10 23 IT08586 0.01 0.01 0.8 総ゲート電荷量, Qg -- nC IT08585 [MOSFET部] PD -- Ta ドレイン・ソース電圧, VDS -- V 0.6 0.4 0.2 セ ラ ミ ッ ク 基 板 (9 00 m m2 × 0.8 m m )装 着 時 許容損失, PD -- W 1u ni t 160 0 0 20 40 60 80 100 120 140 周囲温度, Ta -- °C IT08587 No.8155-4/5 SCH2817 1.0 7 5 3 2 IF -- VF [SBD部] 10000 7 5 3 2 1000 7 5 3 2 100 7 5 3 2 10 7 5 3 2 1.0 IR -- VR Ta=125°C [SBD部] 100°C 75°C 逆電流, IR -- µA 順電流, IF -- A 0.1 7 5 3 2 0.01 0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 IT06804 50°C 25°C Ta= 125 °C 100 °C 75° C 50° C 25°C 0 5 10 15 IT06805 0.9 0.8 PF(AV) -- IO (1)方形波 θ=60° (2)方形波 θ=120° (3)方形波 θ=180° (4)正弦波 θ=180° (1) 順電圧, VF -- V 逆電圧, VR -- V 7 5 [SBD部] C -- VR [SBD部] f=1MHz (2) (4) (3) 平均順電力損失, PF(AV) -- W 0.7 0.6 0.5 端子間容量, C -- pF 1.4 IT06806 3 方形波 0.4 0.3 0.2 0.1 0 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 θ 360° 2 正弦波 180° 360° 1.2 10 7 5 1.0 2 3 5 7 10 2 3 平均順電流, IO -- A 3.5 IFSM -- t IS 逆電圧, VR -- V IT06807 [SBD部] サージ順電流, IFSM(ピーク値) -- A 電流波形 50Hz正弦波 3.0 2.5 20ms t 2.0 1.5 1.0 0.5 0 7 0.01 2 3 5 7 0.1 2 3 5 7 1.0 2 3 時間, t -- s ID00338 取り扱い上の注意：本製品は、MOSFET ですので、帯電性の大きな環境での取り扱いはご遠慮下さい。 本書記載の製品は、定められた条件下において、記載部品単体の性能・特性・機能などを規定するものであ り、お客様の製品（機器）での性能・特性・機能などを保証するものではありません。部品単体の評価では 予測できない症状・事態を確認するためにも、お客様の製品で必要とされる評価・試験を必ず行って下さい。 弊社は、高品質・高信頼性の製品を供給することに努めております。しかし、半導体製品はある確率で故障 が生じてしまいます。この故障が原因となり、人命にかかわる事故、発煙・発火事故、他の物品に損害を与 えてしまう事故などを引き起こす可能性があります。機器設計時には、このような事故を起こさないような、 保護回路・誤動作防止回路等の安全設計、冗長設計・機構設計等の安全対策を行って下さい。 本書記載の製品が、外国為替及び外国貿易法に定める規制貨物（役務を含む）に該当する場合、輸出する 際に同法に基づく輸出許可が必要です。 弊社の承諾なしに、本書の一部または全部を、転載または複製することを禁止します。 本書に記載された内容は、製品改善および技術改良等により将来予告なしに変更することがあります。した がって、ご使用の際には、「納入仕様書」でご確認下さい。 この資料の情報（掲載回路および回路定数を含む）は一例を示すもので、量産セットとしての設計を保証す るものではありません。また、この資料は正確かつ信頼すべきものであると確信しておりますが、その使用 にあたって第３者の工業所有権その他の権利の実施に対する保証を行うものではありません。 PS No.8155-5/5