TN6Q03

注 文コード No. N 8 2 9 3 TN6Q03 TN6Q03 特長 エクセレントパワーデバイス 擬似共振方式スイッチング電源用 ・擬似共振方式制御 IC 内蔵 ・電流検出機能付き MOSFET 内蔵 ・低入力電圧保護 (自己復帰) ・過電圧保護 (ラッチ) ・過電流保護 (パルスバイパルス) 絶対最大定格 Absolute Maximum Ratings / Ta=25℃ 項目 記号 (電圧パラメータは、GND 端子に対する電圧) ドレイン・ソース電圧 VDSS 3−5 ドレイン電流 （DC） ドレイン電流 （パルス） VDD 端子印加電圧 FB 端子印加電圧 EDGE 端子印加電圧 許容損失 動作温度 接合部温度 保存周囲温度 アバランシェエネルギー （単発） *1 アバランシェ電流 *2 *1. VDD=50V, L=10mH, IAV=4.5A *2. L ≦ 10mH, 1 パルス 電気的特性 Electrical Characteristics / Ta=25℃ 項目 [MOSFET 部] ドレイン・ソース降伏電圧 ドレイン・ソースしゃ断電流 ドレイン・ソース間オン抵抗 入力容量 出力容量 V(BR)DSS IDSS RDS(on) Ciss Coss 3−5 3−5 ID=1mA, VDD=0 VDS=650V, VDD=0 650 1 1.55 1150 200 2.0 V mA Ω pF pF 記号 条件 定格値 min typ max unit ID IDP VDD VFB VEDGE PD Topr Tj Tstg EAS IAV 3−5 3−5 3−5 3−5 4−5 1−5 2−5 Tc=25℃ PW ≦ 10µs, duty cycle ≦ 1％ 条件 定格値 650 4.5 13.5 − 0.3 ∼ 16.7 − 0.3 ∼ VDD ＋ 0.3 − 0.3 ∼ VDD ＋ 0.3 2 30 − 25 ∼＋ 125 150 − 55 ∼＋ 150 105 4.5 unit V A A V V V W W ℃ ℃ ℃ mJ A 3 − 5 ID=2.3A, VDD=15V VDS=20V, f=1MHz VDS=20V, f=1MHz 次ページへ続く。 本書記載の製品は、極めて高度の信頼性を要する用途 （生命維持装置、 航空機のコントロールシステム等、 多大な人的・物的損害を及ぼす恐れのある用途） に対応する仕様にはなっておりません。そのような場合に は、あらかじめ三洋電機販売窓口までご相談下さい。 本書記載の規格値(最大定格、動作条件範囲等) を瞬時たりとも越えて使用し、その結果発生した機器の欠陥 について、弊社は責任を負いません。 〒370-0596 群馬県邑楽郡大泉町坂田一丁目1番1号 32505IQ TS IM ◎川浦 TB-00001323 No.8293-1/4 TN6Q03 次ページより続く。 項目 [IC 部] 電源ライン降伏電圧 過電圧入力ラッチ シャットダウンしきい電圧 記号 条件 min 16.7 15.7 VEDGE=VDD VEDGE=VDD VEDGE=VDD 9.1 8.0 15.2 14.6 16.5 16.0 15.4 0.6 9.9 8.8 1.1 0.58 2.3 1.6 VEDGE=0 30 150 0.70 2.6 1.9 0.7 35 180 200 300 200 VDD − 5.7 0.82 2.9 2.2 40 210 10.7 9.6 17.3 16.8 16.2 定格値 typ max unit V(BR)DD OVP 4−5 4−5 4−5 4−5 4−5 4−5 4−5 4−5 1−5 2−5 2−5 2−5 3−5 3−5 4−5 3−5 3−5 3−5 IDD=1mA, VFB=0 V V V V V V V V V V V V kHz kHz µA ns ns V 間欠動作時発振開始しきい電圧 VBon 間欠動作時発振停止しきい電圧 VBoff 間欠動作時 発振ヒステリシス電圧 ∆VB 低電圧入力保護解除しきい電圧 UVH 低電圧入力保護動作しきい電圧 UVL (ラッチ解除電圧) 低入力電圧保護 ∆UV ヒステリシス電圧 フィードバック検出しきい電圧 VFB エッジ入力解除しきい電圧 エッジ入力検出しきい電圧 エッジ入力ヒステリシス電圧 基準発振周波数 最高発振周波数 電源電流 （起動時） 最小オン時間 ステップドライブ時間 ステップドライブゲート電圧 外形図 unit : mm 2249 10.0 4.5 3.2 3.5 VEDGE-H VEDGE-L ∆VEDGE fosc fmax IDD(on) ton(min) tstep VGstep 2.8 16.0 7.2 2.4 (5.3) (4.0) 0.9 13.3 0.5 2.54 1.27 2.54 1.27 10.3 0.7 3 12 45 (0.9) 1.5 3.0 6.5 1.27 2.54 1.27 2.54 6.0 1 : FB 2 : EDGE 3 : DRAIN 4 : VDD 5 : SOURCE SANYO : TO-220FI5H No.8293-2/4 TN6Q03 ブロックダイヤグラム 4 内部電源 低入力電圧保護 VDD端子 EDGE端子 2 立下りエッジ検出 発振器 過大電圧保護 基準電圧 ラ ッ チ 回 路 バースト回路 3 DRAIN端子 過電流 / FBコンパレータ ロジック ドライバ FB端子 1 5 SOURCE (GND)端子 端子機能説明 端子番号 1 FB 2 3 4 5 応用回路例 起動抵抗 電圧共振用コンデンサ スナバー回路 記号 名称 過電流 / フィードバック端子 エッジ検出端子 ドレイン端子 電源端子 ソース(グランド)端子 機能 過電流検出信号及び、電圧制御信号入力 遅延エッジ電圧波形入力 パワー FET ドレイン 起動電圧、ドライブ電圧入力 パワー FET ソース(グランド) EDGE DRAIN VDD SOURCE(GND) +B + 5 + 4 OCPの入力電圧 補正用抵抗 3 2 GND 1 + 誤差増幅器 FB・OCP 調整用抵抗 VCC回路 遅延時間設定コンデンサ・抵抗 No.8293-3/4 TN6Q03 3 2 10 7 5 3 2 1.0 7 5 3 2 0.1 7 5 3 2 Forward Bias ASO IDP=13.5A ID=4.5A ＜10µs 10µ s 2.5 PD -- Ta ドレイン電流, ID -- A 10 0µ 1m s 10 DC 100 ms op ms er ati on 2.0 s 許容損失, PD -- W 1.5 Operation in this area is limited by RDS(on). 1.0 0.5 0.01 1パルス 23 1.0 Tc=25°C 0 5 7 10 2 3 5 7 100 2 3 ドレイン・ソース電圧, VDS -- V 35 5 7 1000 IT09260 0 20 40 60 80 100 120 140 160 周囲温度, Ta -- °C IT09261 PD -- Tc 30 許容損失, PD -- W 25 20 15 10 5 0 0 20 40 60 80 100 120 140 160 ケース温度, Tc -- °C IT09262 本書記載の製品は、定められた条件下において、記載部品単体の性能・特性・機能などを規定するものであ り、お客様の製品（機器）での性能・特性・機能などを保証するものではありません。部品単体の評価では 予測できない症状・事態を確認するためにも、お客様の製品で必要とされる評価・試験を必ず行って下さい。 弊社は、高品質・高信頼性の製品を供給することに努めております。しかし、半導体製品はある確率で故障 が生じてしまいます。この故障が原因となり、人命にかかわる事故、発煙・発火事故、他の物品に損害を与 えてしまう事故などを引き起こす可能性があります。機器設計時には、このような事故を起こさないような、 保護回路・誤動作防止回路等の安全設計、冗長設計・機構設計等の安全対策を行って下さい。 本書記載の製品が、外国為替及び外国貿易法に定める規制貨物（役務を含む）に該当する場合、輸出する 際に同法に基づく輸出許可が必要です。 弊社の承諾なしに、本書の一部または全部を、転載または複製することを禁止します。 本書に記載された内容は、製品改善および技術改良等により将来予告なしに変更することがあります。した がって、ご使用の際には、「納入仕様書」でご確認下さい。 この資料の情報（掲載回路および回路定数を含む）は一例を示すもので、量産セットとしての設計を保証す るものではありません。また、この資料は正確かつ信頼すべきものであると確信しておりますが、その使用 にあたって第３者の工業所有権その他の権利の実施に対する保証を行うものではありません。 PS No.8293-4/4