VEC2305

注 文コード No. N 7 7 1 8 VEC2305 VEC2305 P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ 汎用スイッチングデバイス 特長 ・ロードスイッチ、DC / DC コンバータ用。 ・1.8V 駆動。 ・P チャネル MOS 形電界効果トランジスタ(MCH3319)を 1 パッケージに 2 素子内蔵した複合タイプであり、高密度 実装が可能である。 絶対最大定格 Absolute Maximum Ratings / Ta=25℃ 項目 記号 ドレイン・ソース電圧 ゲート・ソース電圧 ドレイン電流（DC） ドレイン電流（パルス） 許容損失 全損失 チャネル温度 保存周囲温度 VDSS VGSS ID IDP PD PT Tch Tstg PW ≦ 10µs, duty cycle ≦ 1% セラミック基板(900mm2 × 0.8mm)装着時 1unit セラミック基板(900mm2 × 0.8mm)装着時 条件 定格値 − 12 ±8 − 2.5 − 10 0.9 1.0 150 − 55 ∼＋ 150 unit V V A A W W ℃ ℃ 電気的特性 Electrical Characteristics / Ta=25℃ 項目 ドレイン・ソース降伏電圧 ドレイン・ソースしゃ断電流 ゲート・ソースもれ電流 ゲート・ソースしゃ断電圧 順伝達アドミタンス ドレイン・ソース間オン抵抗 入力容量 出力容量 帰還容量 ターンオン遅延時間 立ち上がり時間 ターンオフ遅延時間 下降時間 単体品名表示：BW 記号 V(BR)DSS IDSS IGSS VGS(off) yfs RDS(on)1 RDS(on)2 RDS(on)3 Ciss Coss Crss td(on) tr td(off) tf 条件 ID= − 1mA, VGS=0 VDS= − 12V, VGS=0 VGS= ± 6.4V, VDS=0 VDS= − 6V, ID= − 1mA VDS= − 6V, ID= − 1.5A ID= − 1.5A, VGS= − 4.5V ID= − 0.8A, VGS= − 2.5V ID= − 0.4A, VGS= − 1.8V VDS= − 6V, f=1MHz VDS= − 6V, f=1MHz VDS= − 6V, f=1MHz 指定回路において 指定回路において 指定回路において 指定回路において min − 12 − 10 − 0.3 2.7 4.5 87 122 162 450 100 85 15 75 64 50 ± 10 − 1.0 115 172 275 定格値 typ max unit V µA µA V S mΩ mΩ mΩ pF pF pF ns ns ns ns 次ページへ続く。 本書記載の製品は、極めて高度の信頼性を要する用途 （生命維持装置、 航空機のコントロールシステム等、 多大な人的・物的損害を及ぼす恐れのある用途） に対応する仕様にはなっておりません。そのような場合に は、あらかじめ三洋電機販売窓口までご相談下さい。 本書記載の規格値(最大定格、動作条件範囲等) を瞬時たりとも越えて使用し、その結果発生した機器の欠陥 について、弊社は責任を負いません。 〒370-0596 群馬県邑楽郡大泉町坂田一丁目1番1号 71504 TS IM ◎川浦 TA-101071 No.7718-1/4 VEC2305 前ページより続く。 項目 総ゲート電荷量 ゲート・ソース電荷量 ゲート・ドレイン電荷量 ダイオード順電圧 外形図 unit : mm 2227A 8 0.25 記号 Qg Qgs Qgd VSD 条件 VDS= − 6V, VGS= − 4.5V, ID= − 2.5A VDS= − 6V, VGS= − 4.5V, ID= − 2.5A VDS= − 6V, VGS= − 4.5V, ID= − 2.5A IS= − 2.5A, VGS=0 電気的接続図 定格値 min typ 6.5 0.8 2.0 − 0.85 − 1.5 max unit nC nC nC V 7 6 5 0.3 0.15 8 7 65 0.25 1 2 2.9 3 0.65 4 1 : Source1 2 : Gate1 3 : Source2 4 : Gate2 5 : Drain2 6 : Drain2 7 : Drain1 8 : Drain1 1 2 3 4 2.8 2.3 Top view 0.75 1 : Source1 2 : Gate1 3 : Source2 4 : Gate2 5 : Drain2 6 : Drain2 7 : Drain1 8 : Drain1 SANYO : VEC8 スイッチングタイム測定回路図 VIN 0V --4.5V VIN ID= --1.5A RL=4Ω VDD= --6V 0.07 D PW=10µs D.C.≦1% VOUT G VEC2305 P.G 50Ω S No.7718-2/4 VEC2305 --3.0 ID -- VDS -3 . --3.0 ID -- VGS VDS= --6V ドレイン電流, ID -- A --3 .5 V --2.5 -2 .5 0V V --2.5 --2.0 ドレイン電流, ID -- A --2.0 5V --1.5 --4 . --1.8 V --1.5 --1.5V --1.0 --1.0 5°C Ta =7 --0.4 --0.6 --0.8 --1.0 --1.2 --0.5 0 0 --0.1 --0.2 --0.3 --0.4 --0.5 IT06894 0 --0.2 25 --1.4 VGS= --1.0V --0.5 °C --25 °C --1.6 --1.8 ドレイン・ソース電圧, VDS -- V ドレイン・ソース間オン抵抗, RDS(on) -- mΩ 250 ドレイン・ソース間オン抵抗, RDS(on) -- mΩ RDS(on) -- VGS ゲート・ソース電圧, VGS -- V 300 IT06895 RDS(on) -- Ta Ta=25°C 200 250 ID= --1.5A 150 200 --0.8A --0.4A 100 150 100 --1.8V S= 4A, V G -0. I D= V = --2.5 A, V GS = --0.8 ID = --4.5V A, V GS I D= --1.5 50 50 0 0 --1 --2 --3 --4 --5 --6 --7 --8 0 --60 --40 --20 0 20 40 60 80 100 120 140 160 ゲート・ソース電圧, VGS -- V 3 2 IT06896 --10 7 5 3 yfs -- ID 周囲温度, Ta -- °C IT06897 IF -- VSD VGS=0 VDS= --6V 順伝達アドミタンス, yfs -- S 順電流, IF -- A 2 7 5 = Ta 3 2 °C --25 C 75° --1.0 7 5 3 2 C 25° 1.0 7 --0.1 2 3 5 7 --1.0 2 3 5 --10 IT06898 7 --0.1 --0.4 --0.5 --0.6 --0.7 --0.8 --0.9 --1.0 --1.1 --1.2 ドレイン電流, ID -- A 5 SW Time -- ID 1000 Ciss, Coss, Crss -- VDS f=1MHz Ciss ダイオード順電圧, VSD -- V =75 °C 25° C --25° C 10 Ta IT06899 スイッチングタイム, SW Time -- ns 3 2 VDD= --6V VGS= --4.5V Ciss, Coss, Crss -- pF 7 5 3 2 100 7 5 3 2 td(off) tf Coss 100 7 5 3 tr td(on) 2 3 5 7 --1.0 2 3 5 7 Crss 10 --0.1 0 --2 --4 --6 --8 --10 --12 IT06900 ドレイン電流, ID -- A IT06902 ドレイン・ソース電圧, VDS -- V No.7718-3/4 VEC2305 --4.5 --4.0 VGS -- Qg VDS= --6V ID= --2.5A 3 2 --10 7 5 3 2 --1.0 7 5 3 2 --0.1 7 5 3 2 ASO IDP= --10A ID= --2.5A ≦10µs 1m s 10 m s 10 0m s ゲート・ソース電圧, VGS -- V --3.0 --2.5 --2.0 --1.5 --1.0 --0.5 0 0 1 2 3 4 5 6 7 IT06901 ドレイン電流, ID -- A --3.5 DC op er ati on Operation in this area is limited by RDS(on). Ta=25°C 1パルス セラミック基板(900mm2×0.8mm)装着時 2 3 5 7 --0.1 2 3 5 7 --1.0 2 3 --0.01 --0.01 総ゲート電荷量, Qg -- nC 1.2 PD -- Ta セラミック基板(900mm2×0.8mm)装着時 ドレイン・ソース電圧, VDS -- V 5 7 --10 2 3 IT06903 1.0 0.9 許容損失, PD -- W 0.8 0.6 1u 全 損 失 ni t 0.4 0.2 0 0 20 40 60 80 100 120 140 160 周囲温度, Ta -- °C IT06904 本書記載の製品は、定められた条件下において、記載部品単体の性能・特性・機能などを規定するものであ り、お客様の製品（機器）での性能・特性・機能などを保証するものではありません。部品単体の評価では 予測できない症状・事態を確認するためにも、お客様の製品で必要とされる評価・試験を必ず行って下さい。 弊社は、高品質・高信頼性の製品を供給することに努めております。しかし、半導体製品はある確率で故障 が生じてしまいます。この故障が原因となり、人命にかかわる事故、発煙・発火事故、他の物品に損害を与 えてしまう事故などを引き起こす可能性があります。機器設計時には、このような事故を起こさないような、 保護回路・誤動作防止回路等の安全設計、冗長設計・機構設計等の安全対策を行って下さい。 本書記載の製品が、外国為替及び外国貿易法に定める規制貨物（役務を含む）に該当する場合、輸出する 際に同法に基づく輸出許可が必要です。 弊社の承諾なしに、本書の一部または全部を、転載または複製することを禁止します。 本書に記載された内容は、製品改善および技術改良等により将来予告なしに変更することがあります。した がって、ご使用の際には、「納入仕様書」でご確認下さい。 この資料の情報（掲載回路および回路定数を含む）は一例を示すもので、量産セットとしての設計を保証す るものではありません。また、この資料は正確かつ信頼すべきものであると確信しておりますが、その使用 にあたって第３者の工業所有権その他の権利の実施に対する保証を行うものではありません。 PS No.7718-4/4 WWW.ALLDATASHEET.COM Copyright © Each Manufacturing Company. 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