1. 物料型号：
- 型号为2N3791和2N3792，均为Silicon PNP Power Transistors。
2. 器件简介：
- 这些是硅PNP功率晶体管，采用TO-3封装，是2N3715和2N3716的补充类型，具有出色的安全工作区域。
3. 引脚分配：
- PINNING描述如下：
- 1: Base（基极）
- 2: Emitter（发射极）
- 3: Collector（集电极）
4. 参数特性：
- 绝对最大额定值（在25°C环境温度下）：
- 2N3791: VCBO（集电极-基极电压）-60V，VCEO（集电极-发射极电压）-60V，VEBO（发射极-基极电压）-7V
- 2N3792: VCBO（集电极-基极电压）Open emitter -80V，VCEO（集电极-发射极电压）Open base -80V，VEBO（发射极-基极电压）Open collector -7V
- IC（集电极电流）-10A，IB（基极电流）-4A
- PD（总功率耗散）150W，Tj（结温）200°C，Tstg（存储温度）-65~200°C
5. 功能详解：
- 热特性参数：
- R(th)jc（结到外壳的热阻）: 1.17°C/W
- 特性（在25°C结温下，除非另有说明）：
- VCEO(SUS)（集电极-发射极维持电压）：2N3791 -60V，2N3792 -80V
- VCE(sat)（集电极-发射极饱和电压）：-1.0V
- VBE(on)-1（基极-发射极导通电压）：-1.8V
- VBE(on)-2（基极-发射极导通电压）：-4.0V
- IcEx（集电极截止电流）：-1.0 to -5.0 mA
- IEBO（发射极截止电流）：-5.0 mA
- hFE-1（直流电流增益）：50至180
- hFE-2（直流电流增益）：30
- fT（过渡频率）：4MHz
6. 应用信息：
- 设计用于中速开关和放大应用。
7. 封装信息：
- 封装为TO-3，PDF中提供了简化的外形图和符号，以及外形尺寸图（未标明的公差：±0.10mm）。
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