2N4920

厂商：
SAVANTIC
封装：
描述：
2N4920 - Silicon PNP Power Transistors - Savantic, Inc.

数据手册：

下载2N4920.pdf

立即购买

详情介绍
数据手册
价格&库存

2N4920 数据手册

SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2N4918 2N4919 2N4920 DESCRIPTION ·With TO-126 package ·Complement to type 2N4921/4922/4923 ·Excellent safe operating area ·Low collector saturation voltage APPLICATIONS ·For driver circuits ,switching ,and amplifier applications PINNING PIN 1 2 3 DESCRIPTION Emitter Collector;connected to mounting base Base Absolute maximum ratings(Ta=25 ) SYMBOL PARAMETER 2N4918 VCBO Collector-base voltage 2N4919 2N4920 2N4918 VCEO Collector-emitter voltage 2N4919 2N4920 VEBO IC ICM IB PD Tj Tstg Emitter-base voltage Collector current Collector current-Peak Base current Total power dissipation Junction temperature Storage temperature TC=25 Open collector Open base Open emitter CONDITIONS VALUE -40 -60 -80 -40 -60 -80 -5 -1 -3 -1 30 150 -65~150 V A A A W V V UNIT THERMAL CHARACTERISTICS SYMBOL Rth j-c PARAMETER Thermal resistance junction to case VALUE 4.16 UNIT /W SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors CHARACTERISTICS Tj=25 unless otherwise specified PARAMETER 2N4918 VCEO(SUS) Collector-emitter sustaining voltage 2N4919 2N4920 VCEsat VBEsat VBE Collector-emitter saturation voltage Base-emitter saturation voltage Base-emitter on voltage 2N4918 ICEO Collector cut-off current 2N4919 2N4920 ICBO ICEX IEBO hFE-1 hFE-2 hFE-3 fT COB Collector cut-off current Collector cut-off current Emitter cut-off current DC current gain DC current gain DC current gain Transition frequency Output capacitance IC=-1.0A ;IB=-0.1A IC=-1.0A ;IB=-0.1A IC=-1A ; VCE=-1V VCE=-20V; IB=0 VCE=-30V; IB=0 VCE=-40V; IB=0 IC=-0.1A; IB=0 SYMBOL 2N4918 2N4919 2N4920 CONDITIONS MIN -40 -60 -80 TYP. MAX UNIT V -0.6 -1.3 -1.3 V V V -0.5 mA VCB= Rated VCBO ;IE=0 VCE= Rated VCEO; VBE(off)=1.5V TC=125 VEB=-5V; IC=0 IC=-50mA ; VCE=-1V IC=-500mA ; VCE=-1V IC=-1A ; VCE=-1V IC=-250mA ; VCE=-10V;f=1MHz f=100kHz ; VCB=-10V;IE=0 40 30 10 3.0 -0.1 -0.1 -0.5 -1.0 mA mA mA 150 MHz 100 pF 2 SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors PACKAGE OUTLINE 2N4918 2N4919 2N4920 Fig.2 Outline dimensions 3

下载 PDF

2N4920

1. 物料型号： - 型号为2N4918、2N4919、2N4920，这些是硅PNP功率晶体管。

2. 器件简介： - 这些晶体管采用TO-126封装，是2N4921/4922/4923的补充型号，具有出色的安全工作区和低集电极饱和电压。

3. 引脚分配： - 1号引脚为发射极（Emitter）。 - 2号引脚为集电极，连接到M安装底座（Collector;connected to M mounting base）。 - 3号引脚为基极（Base）。

4. 参数特性： - 绝对最大额定值包括集电极-基极电压（VCBO）、集电极-发射极电压（VCEO）、发射极-基极电压（VEBO）、集电极电流（Ic）、集电极峰值电流（ICM）、基极电流（IB）、总功率耗散（Po）、结温（Tj）和储存温度（Tstg）。 - 热特性包括结到外壳的热阻（Rthj-e）。

5. 功能详解： - 包括集电极-发射极维持电压（VCEO(SUS)）、集电极-发射极饱和电压（VCEsat）、基极-发射极饱和电压（VBEsat）、基极-发射极导通电压（VBE）、集电极截止电流（ICEO、IcBO、IcEx）、发射极截止电流（IEBO）、直流电流增益（hFE-1、hFE-2、hFE-3）、转换频率（fr）和输出电容（CoB）。

6. 应用信息： - 适用于驱动电路、开关和放大器应用。

7. 封装信息： - 提供了TO-126封装的外形尺寸图，具体尺寸和细节见图2。

2N4920 价格&库存

-> 查询更多价格&库存

很抱歉，暂时无法提供与“2N4920”相匹配的价格&库存，您可以联系我们找货

免费人工找货

搜索历史

2N4920

相关技术文章