2N4923

厂商：
SAVANTIC
封装：
描述：
2N4923 - Silicon NPN Power Transistors - Savantic, Inc.

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SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2N4921 2N4922 2N4923 DESCRIPTION ·With TO-126 package ·Complement to type 2N4918/4919/4920 ·Excellent safe operating area ·Low collector saturation voltage APPLICATIONS ·For driver circuits ,switching ,and amplifier applications PINNING PIN 1 2 3 DESCRIPTION Emitter Collector;connected to mounting base Base Absolute maximum ratings(Ta=25 ) SYMBOL PARAMETER 2N4921 VCBO Collector-base voltage 2N4922 2N4923 2N4921 VCEO VEBO IC ICM IB PD Tj Tstg Collector-emitter voltage 2N4922 2N4923 Emitter-base voltage Collector current Collector current-Peak Base current Total power dissipation Junction temperature Storage temperature TC=25 Open collector Open base Open emitter CONDITIONS VALUE 40 60 80 40 60 80 5 1 3 1 30 150 -65~150 V A A A W V V UNIT THERMAL CHARACTERISTICS SYMBOL Rth j-c PARAMETER Thermal resistance junction to case VALUE 4.16 UNIT /W SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors CHARACTERISTICS Tj=25 unless otherwise specified PARAMETER 2N4921 VCEO(SUS) Collector-emitter sustaining voltage 2N4922 2N4923 VCEsat VBEsat VBE Collector-emitter saturation voltage Base-emitter saturation voltage Base-emitter on voltage 2N4921 ICEO Collector cut-off current 2N4922 2N4923 ICBO ICEX IEBO hFE-1 hFE-2 hFE-3 fT COB Collector cut-off current Collector cut-off current Emitter cut-off current DC current gain DC current gain DC current gain Transition frequency Output capacitance IC=1.0A ;IB=0.1A IC=1.0A ;IB=0.1A IC=1A ; VCE=1V VCE=20V; IB=0 VCE=30V; IB=0 VCE=40V; IB=0 IC=0.1A; IB=0 SYMBOL 2N4921 2N4922 2N4923 CONDITIONS MIN 40 60 80 TYP. MAX UNIT V 0.6 1.3 1.3 V V V 0.5 mA VCB= Rated VCBO ;IE=0 VCE= Rated VCEO; VBE(off)=1.5V TC=125 VEB=5V; IC=0 IC=50mA ; VCE=1V IC=500mA ; VCE=1V IC=1A ; VCE=1V IC=250mA ; VCE=10V;f=1MHz f=100kHz ; VCB=10V;IE=0 40 30 10 3.0 0.1 0.1 0.5 1.0 mA mA mA 150 MHz 100 pF 2 SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors PACKAGE OUTLINE 2N4921 2N4922 2N4923 Fig.2 Outline dimensions 3

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2N4923

物料型号： - 2N4921 - 2N4922 - 2N4923

器件简介：这些是硅NPN功率晶体管，采用TO-126封装，与2N4918/4919/4920型号互补，具有出色的安全工作区和低集电极饱和电压，适用于驱动电路、开关和放大器应用。

引脚分配： - 1号引脚：发射极（Emitter） - 2号引脚：集电极，连接到M型安装底座（Collector; connected to M mounting base） - 3号引脚：基极（Base）

参数特性： - 集电极-基极电压（VCBO）：2N4921为40V，2N4922为60V，2N4923为80V； - 集电极-发射极电压（VCEO）：开基时分别为40V、60V、80V； - 发射极-基极电压（VEBO）：开集电极时为5V； - 集电极电流（Ic）：1A； - 峰值集电极电流（ICM）：3A； - 基极电流（Ib）：1A； - 总功耗（PD）：在Tc=25℃时为30W； - 结温（Tj）：150℃； - 存储温度（Tstg）：-65℃至150℃。

功能详解： - 这些晶体管在Tj=25℃下的特性值被列出，包括维持电压（VCEO(SUS)）、饱和电压（VCEsat和VBEsat）、基极-发射极导通电压（VBE）、截止电流（ICEO、ICBO、ICEx、IEBO）和直流电流增益（hFE-1、hFE-2、hFE-3）等； - 还提供了过渡频率（fr）和输出电容（CoB）的参数。

应用信息：这些晶体管适用于驱动电路、开关和放大器应用。

封装信息： PDF文档提供了TO-126封装的简化图和符号，以及封装的外形尺寸图（Fig.2 Outline dimensions WWW）。

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