物料型号：
- 2N5193、2N5194和2N5195是SavantIC Semiconductor生产的硅PNP功率晶体管。
器件简介：
- 这些晶体管具有TO-126封装，并是2N5190/5191/5192型号的补充。
- 它们具有出色的安全工作区，适用于中等功率的线性和开关应用。
引脚分配：
- 1号引脚：发射极（Emitter）
- 2号引脚：集电极，连接到安装底座（Collector; connected to mounting base）
- 3号引脚：基极（Base）
参数特性：
- 绝对最大额定值（在25°C环境温度下）：
- VCBO（集电极-基极电压）：2N5193为-40V，2N5194为-60V，2N5195为-80V。
- VCEO（集电极-发射极电压）：2N5193为-40V，2N5194为-60V，2N5195为-80V。
- VEBO（发射极-基极电压）：-5V。
- Ic（集电极电流）：-4A。
- ICM（集电极峰值电流）：-7A。
- Is（基极电流）：-1A。
- PD（总功率耗散）：40W。
- Tj（结温）：150°C。
- Tstg（存储温度）：-65°C至150°C。
功能详解：
- 这些晶体管在25°C结温下的特性包括：
- VCEO(SUS)（集电极-发射极维持电压）：2N5193为-40V，2N5194为-60V，2N5195为-80V。
- VcEsat（集电极-发射极饱和电压）：在不同集电极电流下有不同的值。
- VBE（基极-发射极导通电压）：在特定集电极电流和集电极-发射极电压下。
- ICEO（集电极截止电流）和ICBO（集电极漏电流）：在不同集电极电压下有不同的值。
- IcEx（集电极截止电流）：在特定集电极电压和基极-发射极电压下。
- IEBO（发射极截止电流）：在特定发射极-基极电压和集电极电流下。
- hFE（直流电流增益）：在不同集电极电流和集电极-发射极电压下有不同的值。
- fr（过渡频率）：在特定集电极电流和集电极-发射极电压下为2MHz。
应用信息：
- 适用于中等功率的线性和开关应用。
封装信息：
- 这些晶体管采用TO-126封装，具体尺寸和符号见文档中的图1简化外形图和符号。
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