2N5195

厂商：
SAVANTIC
封装：
描述：
2N5195 - Silicon PNP Power Transistors - Savantic, Inc.

数据手册：

下载2N5195.pdf

立即购买

详情介绍
数据手册
价格&库存

2N5195 数据手册

SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-126 package ·Complement to type 2N5190/5191/5192 ·Excellent safe operating area APPLICATIONS ·For use in medium power linear and switching applications PINNING PIN 1 2 3 DESCRIPTION Emitter Collector;connected to mounting base Base 2N5193 2N5194 2N5195 Absolute maximum ratings(Ta=25 ) SYMBOL PARAMETER 2N5193 VCBO Collector-base voltage 2N5194 2N5195 2N5193 VCEO Collector-emitter voltage 2N5194 2N5195 VEBO IC ICM IB PD Tj Tstg Emitter-base voltage Collector current Collector current-Peak Base current Total power dissipation Junction temperature Storage temperature TC=25 Open collector Open base Open emitter CONDITIONS VALUE -40 -60 -80 -40 -60 -80 -5 -4 -7 -1 40 150 -65~150 V A A A W V V UNIT THERMAL CHARACTERISTICS SYMBOL Rth j-c PARAMETER Thermal resistance junction to case VALUE 3.12 UNIT /W SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors CHARACTERISTICS Tj=25 unless otherwise specified PARAMETER 2N5193 VCEO(SUS) Collector-emitter sustaining voltage 2N5194 2N5195 VCEsat-1 VCEsat-2 VBE Collector-emitter saturation voltage Collector-emitter saturation voltage Base-emitter on voltage 2N5193 ICEO Collector cut-off current 2N5194 2N5195 2N5193 ICBO Collector cut-off current 2N5194 2N5195 2N5193 ICEX Collector cut-off current 2N5194 2N5195 IEBO Emitter cut-off current 2N5193 IC=-1.5A ;IB=-0.15A IC=-4A ;IB=-1A IC=-1.5A ; VCE=-2V VCE=-40V; IB=0 VCE=-60V; IB=0 VCE=-80V; IB=0 VCB=-40V; IE=0 VCB=-60V; IE=0 VCB=-80V; IE=0 IC=-0.1A; IB=0 SYMBOL 2N5193 2N5194 2N5195 CONDITIONS MIN -40 -60 -80 TYP. MAX UNIT V -0.6 -1.2 -1.2 V V V -1.0 mA -0.1 mA VCE=-40V; VBE(off)=-1.5V TC=125 VCE=-60V; VBE(off)=-1.5V TC=125 VCE=-80V; VBE(off)=-1.5V TC=125 VEB=-5V; IC=0 -0.1 -2.0 -0.1 -2.0 -0.1 -2.0 -1.0 mA mA 25 hFE-1 DC current gain 2N5194 2N5195 2N5193 10 hFE-2 DC current gain 2N5194 2N5195 fT Transition frequency IC=-1A ; VCE=-10V;f=1MHz IC=-4A ; VCE=-2V 7 2 IC=-1.5A ; VCE=-2V 20 100 80 MHz 2 SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors PACKAGE OUTLINE 2N5193 2N5194 2N5195 Fig.2 Outline dimensions 3

下载 PDF

2N5195

1. 物料型号： - 2N5193 - 2N5194 - 2N5195

2. 器件简介： - 这些是Silicon PNP Power Transistors，采用TO-126封装，是2N5190/5191/5192的补充型号，具有出色的安全工作区。

3. 引脚分配： - 1号引脚：Emitter - 2号引脚：Collector，连接到安装底座 - 3号引脚：Base

4. 参数特性： - VCBO（Collector-base voltage）：2N5193为-40V，2N5194为-60V，2N5195为-80V - VCEO（Collector-emitter voltage）：2N5193为-40V，2N5194为-60V，2N5195为-80V - VEBO（Emitter-base voltage）：-5V - Ic（Collector current）：-4A - ICM（Collector current-Peak）：-7A - Is（Base current）：-1A - PD（Total power dissipation）：40W - Tj（Junction temperature）：150°C - Tstg（Storage temperature）：-65~150°C

5. 功能详解： - 这些晶体管用于中等功率的线性和开关应用。

6. 应用信息： - 用于中等功率的线性和开关应用。

7. 封装信息： - TO-126封装，文档中提供了简化的外形图和符号。

2N5195 价格&库存

-> 查询更多价格&库存

很抱歉，暂时无法提供与“2N5195”相匹配的价格&库存，您可以联系我们找货

免费人工找货

搜索历史

2N5195

相关技术文章