1. 物料型号：
- 2N5294、2N5296、2N5298，这些是Silicon NPN Power Transistors的型号。
2. 器件简介：
- 这些是硅NPN功率晶体管，采用TO-220封装，具有高功率耗散能力。
3. 引脚分配：
- 1号引脚：基极（Base）
- 2号引脚：安装底（mounting base），连接到集电极（Collector）
- 3号引脚：发射极（Emitter）
4. 参数特性：
- 绝对最大额定值：
- 2N5294：集-基电压（VCBO）80V，集-射电压（VCEO）70V
- 2N5296：集-基电压（VCBO）60V，集-射电压（VCEO）40V
- 2N5298：集-基电压（VCBO）80V，集-射电压（VCEO）60V
- 发射极-基极电压（VEBO）：开集电极时为7V
- 集电极电流（IC）：4A
- 基极电流（IB）：2A
- 总功率耗散（PT）：36W
- 结温（Tj）：150°C
- 存储温度（Tstg）：-65~150°C
5. 功能详解：
- 热特性参数：
- 从结到外壳的热阻（Rth j-c）：3.47°C/W
- 电气特性参数：
- 维持电压（VCEO(SUS)）、饱和电压（VCEsat）、基极-发射极开启电压（VBE）、集电极截止电流（IcEv）、发射极截止电流（IEBO）、直流电流增益（hFE）、转换频率（fr）、导通时间（ton）、关断时间（tor）等参数，具体数值依据不同型号和条件有所不同。
6. 应用信息：
- 适用于功率放大器和中速开关应用。
7. 封装信息：
- 封装类型为TO-220，具体尺寸见图2，未标注的公差为±0.10mm。
