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2N5302

2N5302

  • 厂商:

    SAVANTIC

  • 封装:

  • 描述:

    2N5302 - Silicon NPN Power Transistors - Savantic, Inc.

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
2N5302 数据手册
SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-3 package ·Complement to type 2N4398/4399/5745 ·Low collector/saturation voltage ·Excellent safe operating area APPLICATIONS ·For use in power amplifier and switching circuits applications. PINNING PIN 1 2 3 Base Emitter Collector DESCRIPTION 2N5301 2N5302 2N5303 Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol Absolute maximum ratings(Ta= ) SYMBOL PARAMETER 2N5301 VCBO Collector-base voltage 2N5302 2N5303 2N5301 VCEO Collector-emitter voltage 2N5302 2N5303 VEBO IC IB PD Tj Tstg Emitter-base voltage Collector current Base current Total power dissipation Junction temperature Storage temperature TC=25 2N5301/5302 2N5303 Open collector Open base Open emitter CONDITIONS VALUE 40 60 80 40 60 80 5 30 20 7.5 200 200 -65~200 V A A W V V UNIT THERMAL CHARACTERISTICS SYMBOL Rth j-c PARAMETER Thermal resistance junction to case VALUE 0.875 UNIT /W SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors CHARACTERISTICS Tj=25 unless otherwise specified PARAMETER 2N5301 VCEO(SUS) Collector-emitter sustaining voltage 2N5302 2N5303 VCEsat-1 Collector-emitter saturation voltage Collector-emitter saturation voltage Collector-emitter saturation voltage 2N5301/5302 2N5303 2N5301/5302 2N5303 2N5301/5302 2N5303 IC=10A; IB=1A IC=20A ;IB=2A IC=15A ;IB=1.5A IC=30A ;IB=6A IC=20A ;IB=4A IC=10A; IB=1A IC=15A ;IB=1.5A IC=20A ;IB=2A IC=20A ;IB=4A IC=15A ; VCE=2V IC=10A ; VCE=2V IC=30A ; VCE=4V IC=20A ; VCE=4V IC=0.2A ;IB=0 SYMBOL 2N5301 2N5302 2N5303 CONDITIONS MIN 40 60 80 TYP. MAX UNIT V 0.75 1.0 2.0 1.5 3.0 2.0 1.7 1.8 2.0 2.5 1.7 1.5 3.0 2.5 1.0 10 5.0 1.0 5.0 40 15 60 V VCEsat-2 V VCEsat-3 VBEsat-1 VBEsat-2 V V V Base-emitter saturation voltage Base-emitter saturation voltage Base-emitter saturation voltage Base-emitter on voltage Base-emitter on voltage 2N5301/5302 2N5303 2N5301/5302 2N5303 2N5301/5302 2N5303 2N5301/5302 2N5303 VBEsat-3 V VBE-1 V VBE-2 ICEX ICEO ICBO IEBO hFE-1 hFE-2 V mA mA mA mA Collector cut-off current Collector cut-off current Collector cut-off current Emitter cut-off current DC current gain DC current gain 2N5303 2N5301/5302 DC current gain Transition frequency 2N5303 2N5301/5302 VCE= Rated VCEO; VBE(off)=1.5V TC=150 VCE=Rated VCEO; IB=0 VCB=Rated VCBO; IE=0 VEB=5V; IC=0 IC=1A ; VCE=2V IC=10A ; VCE=2V IC=15A ; VCE=2V IC=20A ; VCE=4V IC=30A ; VCE=4V IC=1A ; VCE=10V;f=1.0MHz 2 5 hFE-3 fT MHz 2 SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors PACKAGE OUTLINE 2N5301 2N5302 2N5303 Fig.2 outline dimensions (unindicated tolerance:±0.1mm) 3
2N5302
1. 物料型号: - 2N5301、2N5302、2N5303

2. 器件简介: - 这些是硅NPN功率晶体管,采用TO-3封装,与2N4398/4399/5745型号相补。 - 具有低集电极/饱和电压和优秀的安全工作区域。

3. 引脚分配: - 1号引脚:基极(Base) - 2号引脚:发射极(Emitter) - 3号引脚:集电极(Collector)

4. 参数特性: - 绝对最大额定值: - 2N5301的集电极-基极电压为40V,2N5302为60V,2N5303为80V。 - 2N5301的集电极-发射极电压为40V,2N5302为60V,2N5303为80V。 - 发射极-基极电压为5V。 - 集电极电流分别为30A(2N5301/5302)和20A(2N5303)。 - 基极电流为7.5A。 - 总功率耗散为200W(25°C时)。 - 结温为200°C。 - 存储温度范围为-65°C至200°C。

- 热特性: - 结到壳的热阻为0.875°C/W。

5. 功能详解: - 包括集电极-发射极维持电压、集电极-发射极饱和电压、基极-发射极饱和电压、基极-发射极开启电压、集电极截止电流、发射极截止电流等参数,并给出了不同工作条件下的最小值、典型值和最大值。

6. 应用信息: - 适用于功率放大器和开关电路应用。

7. 封装信息: - 提供了TO-3封装的外形尺寸图,未标明的公差为±0.1mm。
2N5302 价格&库存

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