2N5599

2N5599

  • 厂商:

    SAVANTIC

  • 封装:

  • 描述:

    2N5599 - Silicon PNP Power Transistors - Savantic, Inc.

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  • 价格&库存
2N5599 数据手册
SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-66 package ·Excellent safe operating area ·Low collector saturation voltage APPLICATIONS ·For high frequency power amplifier ; audio power amplifier and drivers. PINNING(see Fig.2) PIN 1 2 3 Base Emitter Collector DESCRIPTION 2N5597 2N5599 2N5601 2N5603 Fig.1 simplified outline (TO-66) and symbol Absolute maximum ratings(Ta= ) SYMBOL PARAMETER 2N5597 VCBO Collector-base voltage 2N5599/5601 2N5603 2N5597 VCEO Collector-emitter voltage 2N5599/5601 2N5603 VEBO IC PD Tj Tstg Emitter-base voltage Collector current Total power dissipation Junction temperature Storage temperature TC=25 Open collector Open base Open emitter CONDITIONS VALUE -80 -100 -120 -60 -80 -100 -5 -2 20 150 -65~150 V A W V V UNIT THERMAL CHARACTERISTICS SYMBOL Rth j-c PARAMETER Thermal resistance junction to case VALUE 4.37 UNIT /W SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors CHARACTERISTICS Tj=25 unless otherwise specified PARAMETER 2N5597 VCEO(SUS) Collector-emitter sustaining voltage 2N5599/5601 2N5603 VCEsat VBE ICBO ICEO IEBO Collector-emitter saturation voltage Base-emitter on voltage Collector cut-off current Collector cut-off current Emitter cut-off current 2N5597/5601 hFE DC current gain 2N5599/5603 2N5597/5601 fT Transition frequency 2N5599/5603 2N5597 2N5599 2N5601 2N5603 SYMBOL CONDITIONS MIN -60 TYP. MAX UNIT IC=-50mA ;IB=0 -80 -100 V IC=-1A; IB=-0.1A IC=-1A ; VCE=-5V VCB=Rated VCBO; IE=0 VCE= Rated VCEO,IB=0 VEB=-5V; IC=0 70 IC=-1A ; VCE=-5V 30 60 IC=-0.5A ; VCE=-10V 50 -1.0 -1.5 -0.1 -1.0 -0.1 200 90 V V mA mA mA MHz 2 SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors PACKAGE OUTLINE 2N5597 2N5599 2N5601 2N5603 Fig.2 outline dimensions 3
2N5599
1. 物料型号: - 2N5597、2N5599、2N5601、2N5603

2. 器件简介: - 这些是硅PNP功率晶体管,具有TO-66封装,优秀的安全工作区域,低集电极饱和电压。

3. 引脚分配: - 1号引脚:基极(Base) - 2号引脚:发射极(Emitter) - 3号引脚:集电极(Collector)

4. 参数特性: - 绝对最大额定值: - 集电极-基极电压(VCBO):2N5597为-80V,2N5599/5601为-100V,2N5603为-120V。 - 集电极-发射极电压(VCEO):2N5597为-60V,2N5599/5601为-80V,2N5603为-100V。 - 发射极-基极电压(VEBO):-5V。 - 集电极电流(Ic):-2A。 - 总功率耗散(PD):在Tc=25°C时为20W。 - 结温(Tj):150°C。 - 存储温度(Tstg):-65°C至150°C。 - 热特性: - 结到外壳的热阻(Rthj-c):4.37Ω。 - 特性(在Tj=25°C时,除非另有说明): - 集电极-发射极维持电压(VCEO(SUS)):2N5597为-60V,2N5599/5601为-80V,2N5603为-100V。 - 集电极-发射极饱和电压(VCEsat):-1.0V。 - 基极-发射极导通电压(VBE):-1.5V。 - 集电极截止电流(ICBO):-0.1mA。 - 集电极截止电流(ICEO):-1.0mA。 - 发射极截止电流(IEBO):-0.1mA。 - 直流电流增益(hFE):2N5597/5601为70至200,2N5599/5603为30至90。 - 过渡频率(fr):2N5597/5601为60MHz,2N5599/5603为50MHz。

5. 功能详解应用信息: - 这些晶体管适用于高频功率放大器、音频功率放大器和驱动器。

6. 封装信息: - 提供了TO-66封装的外形尺寸图,具体尺寸可以在PDF文档的相应部分查看。
2N5599 价格&库存

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