1. 物料型号：
- 2N5605、2N5607、2N5609、2N5611
2. 器件简介：
- 这些是硅PNP功率晶体管，采用TO-66封装，具有优异的安全工作区域和低集电极饱和电压。
3. 引脚分配：
- 1号引脚：基极（Base）
- 2号引脚：发射极（Emitter）
- 3号引脚：集电极（Collector）
4. 参数特性：
- 绝对最大额定值：
- VCBO（集电极-基极电压）：2N5605为-80V，2N5607/5609为-100V，2N5611为-120V
- VCEO（集电极-发射极电压）：2N5605为-60V，2N5607/5609为-80V，2N5611为-100V
- VEBO（发射极-基极电压）：-5V
- Ic（集电极电流）：-5A
- PD（总功耗）：在Tc=25°C时为25W
- Tj（结温）：150°C
- Tstg（储存温度）：-65°C至150°C
- 热特性：
- Rjc（结到外壳的热阻）：4.37℃/W
5. 功能详解：
- 这些晶体管在Tj=25°C（除非另有说明）时的特性如下：
- VCEO(SUS)（集电极-发射极维持电压）：2N5605为-60V，2N5607/5609为-80V，2N5611为-100V
- VCEsat（集电极-发射极饱和电压）：-0.5V
- VBE（基极-发射极导通电压）：-1.5V
- ICBO（集电极截止电流）：-0.1mA
- ICEO（集电极截止电流）：-1.0mA
- IEBO（发射极截止电流）：-0.1mA
- hFE（直流电流增益）：2N5605/5609为70至200，2N5607/5611为30至90
- fT（过渡频率）：2N5605/5609为70MHz，2N5607/5611为60MHz
6. 应用信息：
- 适用于通用放大器和开关应用。
7. 封装信息：
- 封装类型为TO-66，具体尺寸见图2。
