1. 物料型号：
- 型号为2N5629和2N5630，这两种型号均为Silicon NPN Power Transistors。
2. 器件简介：
- 2N5629和2N5630是硅NPN功率晶体管，采用TO-3封装，适用于高电压和高功率放大应用。
3. 引脚分配：
- 1号引脚为基极（Base），
- 2号引脚为发射极（Emitter），
- 3号引脚为集电极（Collector）。
4. 参数特性：
- 2N5629和2N5630的击穿电压分别为100V和120V，
- 集电极电流（IC）为16A，峰值集电极电流（ICM）为20A，
- 基极电流（IB）为5.0A，
- 总功率耗散（PD）为200W，
- 结温（Tj）为200°C，
- 存储温度范围为-65°C至200°C。
5. 功能详解：
- 包括维持电压（VCEO(SUS)）、饱和电压（VcEsal-1、VCEsat-2）、饱和基极-发射极电压（VBEsat）、基极-发射极导通电压（VBE）、集电极截止电流（IcBO）、集电极截止电流（ICEO、IcEV）和发射极截止电流（IEBO）等参数。
6. 应用信息：
- 适用于高电压和高功率放大应用。
7. 封装信息：
- 封装形式为TO-3，具体尺寸见图2，未标注的公差为±0.10mm。
